单片机备用电池供电电路_对电池供电设备提供保护的极性校正电路

本文介绍了使用P沟道MOSFET和N沟道MOSFET构建的反向电池保护电路,确保在电池极性错误时负载不会受损。电路利用MOSFET的内部二极管实现全桥整流,同时提供了在高电压应用中的改进设计,以保护MOSFET的栅源结。

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早前发布的设计实例“Circuit provides reverse-battery protection”当中概述了一种极性保护电路,它可以将电池正确连接到负载,而不论电池在其底座中的方向如何。这个电路采用Maxim公司提供的快速开关、低压、双SPDT CMOS模拟开关IC MAX4636设计,可以工作,但存在一些缺点。它的电源电压范围有一定的局限(1.8~5.5V),并且内部电阻略高,因此只能用于电流负荷不超过30mA的产品。幸运的是,由于MOSFET技术的一些重大进步,现在可以克服这些局限。

图1说明了使用P沟道MOSFET晶体管对负载进行反极性电池保护的方法。通常,要使P沟道MOSFET导通,需要向其栅源控制结施加适当的电压(栅极端为负电位,源极端为正电位)。图1所示的P沟道MOSFET的连接稍有不同,其工作方式如下。

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图1:使用P沟道MOSFET保护负载免受反向电池的损坏。

当将电源加到A和B端子(A为正,B为负)时,晶体管的内部二极管D1处于正向偏置,为Q1提供栅源控制电压,从而使其导通。MOSFET的小电阻充当二极管D1的旁路,将电流送到负载。

当电池反向时,电压也施加到A和B端子(但现在是A为负,B为正),晶体管的内部二极管D1受到反向偏置,Q1的栅源电压为0。因此,Q1晶体管截止,

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