热点分析图_通过分析功率MOSFET管的工作特性，判断其损坏原因

0 前言

目前，功率 MOSFET管广泛地应用于开关电源系统及其它的一些功率电子电路中，然而，在实际的应用中，通常，在一些极端的边界条件下，如系统的输出短路及过载测试，输入过电压测试以及动态的老化测试中，功率 MOSFET 有时候会发生失效损坏。工程师将损坏的功率 MOSFET 送到半导体原厂做失效分析后，得到的失效分析报告的结论通常是过电性应力 EOS，无法判断是什么原因导致 MOSFET 的损坏。

本文将通过功率 MOSFET 管的工作特性，结合失效分析图片中不同的损坏形态，系统的分析过电流损坏和过电压损坏，同时，根据损坏位置不同，分析功率 MOSFET 管的失效是发生在开通的过程中，还是发生在关断的过程中，从而为设计工程师提供一些依据，来找到系统设计的一些问题，提高电子系统的可靠性。

1、过电压和过电流测试电路

过电压测试的电路图如图 1(a)所示，选用 40V 的功率 MOSFET：AON6240，DFN5*6 的封装。其中，所加的电源为 60V，使用开关来控制，将 60V 的电压直接加到 AON6240 的 D 和 S 极，熔丝用来保护测试系统，功率 MOSFET 损坏后，将电源断开。测试样品数量：5 片。

过电流测试的电路图如图 2(b)所示，选用 40V 的功率 MOSFET：AON6240，DFN5*6 的封装。首先合上开关 A，用 20V 的电源给大电容充电，电容 C 的容值：15mF，然后断开开关 A，合上开关 B