电感计算软件_MMIC电路设计中的电阻、电容、电感和过孔

电阻器

通过在MMIC表面下使用有源半导体层或在表面上铺设电阻金属合金薄膜作为电阻材料来产生MMIC电阻器。采用这两种方法，电阻器在电阻材料薄膜的任一端构造有金属接触焊盘，如图1所示，并具有典型薄膜电阻器的特性。

图1、薄膜电阻的结构

电阻材料的特征在于其电阻率(单位是欧姆每平方)，因为20*20-μm方形电阻与100*100-μm方形电阻具有相同的电阻值，如果它是由相同的材料制成的电阻的话(电阻=电阻率*长度/宽度=电阻率*20/20=电阻率*´100/ 100)。这也可以通过计数有多少个方块组成了电阻器来快速计算电阻的大小，例如，图2右侧的电阻由三个串联的方块组成，每个方块的电阻为50ΩW，因此总串联电阻为150ΩW。图2左侧的电阻可以看作是两个平行的方块，其电阻为串联一个方块的一半，因此总串联电阻为25ΩW。请注意，此原理仅适用于直线电阻器，不适用于电阻膜蜿蜒以使小面积适合大值电阻器的电阻器。在这种情况下，直线部分具有标称的薄膜电阻率，但是由于薄膜内角处的电流拥挤，因此拐角角部分具有较高的电阻率。

用半导体材料制成的电阻器的缺点是它们的电阻是有源半导体层内电子迁移率的函数，因此对温度变化敏感。它们的优点是(1)它们通常具有每平方几百欧姆的电阻率，这使得它们可用于高值去耦电阻，以及(2)它们位于半导体表面之下，因此可以铺设其他没有电接触的互连金属化。使用的常见金属合金包括镍铬合金(NiCr)和氮化钽(TaN)，它们的薄膜电阻率通常为每平方20ΩW到50ΩW，以及钨硅酸盐(TiWSi)，它的薄膜电阻率为500ΩW到 每平方1,500ΩW。镍铬合金(NiCr)具有有用的特性，即其电阻率与温度变化几乎完全恒定。

图2、使用正方形计算薄膜电阻器的电阻(a)25Ω电阻器和(b)150-Ω电阻器<