matlab化石墨烯,基于MATLAB的石墨烯场效应晶体管电学特性研究

第 34 卷 第 9 期 Vol.34 No.9 2015 年 9 月 Sep. 2015 研 究 简 报 基于 MATLAB 的石墨烯场效应晶体管电学特性研究 文/徐建丽 淮安信息职业技术学院 摘要: 石墨烯场效应晶体管的结构参数是对晶体管电学特性有重要影响。利用 MATLAB 软件平台仿真研究了石墨烯场效应晶体管势垒层厚度、栅极长度、平面掺杂浓度、温度等结构参数对晶体管结构电学特性的影响规律，并根据研究选择最佳的结构参数，为石墨烯场效应晶体管加工工艺提供依据。 关键词: 石墨烯；场效应晶体管；电学特性；栅极长度；垒层厚度；平面掺杂浓度；温度 石墨烯场效应晶体管具有体积小、频率高、运算速度快、功耗及噪声低、零禁带等优点[1-2]，被广泛应用 于高频卫星通信、射电天文、超高速计算机等领域中[3-4]。电学性能是石墨烯晶体管的重要性能，影响石墨烯晶体管电学性能的主要结构参数包括基底和超晶格层的平整度和晶格缺陷、势垒层的厚度、栅极长度、平面 掺杂浓度、势垒层掺杂浓度、晶体温度等[5]。本文介绍了石墨烯场效应晶体管结构特点及其工作原理，利用 MATLAB 软件平台仿真研究了晶体管势垒层厚度、栅极长度和平面掺杂浓度、温度对晶体管结构电学性能的影响规律，为选取石墨烯场效应晶体管最佳结构参数提供依据。 1 石墨烯场效应晶体管结构特点及其工作原理 图 1 为石墨烯晶体管结构示意图。在石墨烯两端源漏位置设置了漏极和源极，导电沟道采用石墨烯层材料，石墨烯导电沟道上表面具有一层较薄的氧化物，直接在氧化物上制作栅 极，即可得到石墨烯场效应晶体管。石墨烯场效应晶体管具体结构参数如表 1 所示。 表 1 石墨烯场效应晶体管结构参数表 结构名称 尺寸大小 / m 石墨烯薄膜层 长 300、宽 100 石墨烯晶体场效应管漏电极 长 100、宽 100、高 120 石墨烯场效应晶体管栅电极 长 1、宽 150、高 150 石墨烯场效应晶体管栅介质 厚度 20 石墨烯场效应晶体管的工作原理主要是通过改变栅压来实现源漏 电流变化。栅压的变换会引起石墨烯沟道内载流子的类型和浓度的变化，在栅源电极可以加载正电压和负电压，沟道中载流子分别为电子和空穴为主，随着电压的增大，电子的浓度将逐渐增大直至饱和[6]。 石墨烯场效应晶体管的材料层包括基底、超晶格层、缓冲层、隔离层、沟道层、势垒层及上面的帽层，如图 2 所示。基底和超晶格层的平整度和晶格缺陷、势垒层的厚度、栅极长度、掺杂浓度、晶体温度等多种因素将直接影响着后续晶体薄膜材料的质量及器件的电学性能。本文将运用 MATLAB 软件平台开展部分结构参数对石墨烯场效应晶体管电学性能影响的研究。 2 石墨烯场效应晶体管电学特性仿真研究 2.1 势垒层厚度对晶体管电学性能的影响 势垒层的厚度对晶体管特性影响较大，其主要作用是增加电子气的 研究简报 图 1 石墨烯晶体管的结构示意图 漏极 Ti/Au 栅极 源极 石墨烯 Si/SiO2 Ni V VBG 图 2 石墨烯晶体管材料层结构示意图 基底 超晶格层 缓冲层 沟道层 隔离层 隔离层 势垒层 栅极 源极 漏极 帽层帽层 第 34 卷 第 9 期 109 研 究 简 报 浓度。固定晶体管结构的其他参数，仿真不同势垒层厚度对晶体管电学特性的影响(图 3)。如图 3(a)所示，势垒层厚度的增加会引起晶体管结构的栅电压的绝对值增大，同时随着势垒层厚度的增加，漏源电流也会相应增加，分析其原因，沟道夹断耗尽区包括势垒层和沟道层耗尽区，势垒层厚度增加时，势垒层耗尽区的宽度也会增加，因而整个耗尽区的宽度也会随之