本文介绍了3D NAND颗粒的主要生产商，包括东芝（闪迪）、三星、海力士和IMFT（镁光与Intel）。讨论了各厂商的制程技术，如东芝的BiCS、三星的V-NAND等，并提醒读者注意低容量SSD采用堆叠NAND可能带来的性能问题。此外，还提到了平面NAND的发展方向和容量标识规则。
目前具备生产颗粒的厂商：
东芝（与闪迪技术共享），海力士，三星，IMFT（镁光与intel共享）
东芝（闪迪）制程：
24nm-19nm-A19-15nm
24nm：传统eMLC，平面MLC
19nm：平面MLC，平面TLC
A19：堆叠MLC，堆叠TLC
15nm：BiCS（BiCS不仅仅用于15nm制程）MLC，TLC，QLC
三星制程：
27nm-21nm-40nm
27nm：老旧MLC（基本遇不到）
21nm：平面MLC，TLC
40nm：V-NAND（三星V-NAND制程不明确，民间流传官方宣称介于30-39nm之间，大部分主流网站记录为40nm制程，三星V-NAND官方文档经常提及30-40nm（但未明确说明使用），无30-39nm字眼。
海力士制程：
26nm-16nm
海力士制程消息较少，无法确认。
IMFT：
20n
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