黑苹果电池电量补丁_【黑苹果】用一次实战记录电池热补丁的编写方法

参考资料(必看)：

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需要准备的软件

0x00 新建DSL文件

保存并且命名为SSDT-BATT.dsl

0x01 反编译原来的 DSDT

参考https://jcstaff.club/2019/DSDT-SSDT-battery/的提取和反编译两个小节来进行提取，不要用MaciASL来提取，因为MaciASL提取到的DSDT会受到Clover/OC的二进制重命名影响，用Clover提取到的是最好的原厂DSDT。

将 DSDT.aml 和 DSDT.dsl 都复制到桌面，在我们要确定如何做二进制更名时需要用到原本的aml文件。

0x02 搜索EC

在DSDT.dsl中搜索「PNP0C09」来找到你的EC，然后再从EC之中寻找所有的Field

... 表示省略了部分代码，下同

OperationRegion (ERAM, EmbeddedControl, Zero, 0xFF)

Field (ERAM, ByteAcc, Lock, Preserve)

{

SMPR, 8,

SMST, 8,

SMAD, 8,

SMCM, 8,

SMD0, 256, //

BCNT, 8,

SMAA, 8,

...

Offset (0x82),

MBST, 8,

MCUR, 16, //

MBRM, 16, //

MBCV, 16, //

FGM1, 8,

FGM2, 8,

FGM3, 8,

Offset (0x8D),

...

}

...

Field (ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve)

{

Offset (0x04),

SMW0, 16 //

}

Field (ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve)

{

Offset (0x04),

SMB0, 8

}

Field (ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve)

{

Offset (0x04),

FLD0, 64 //

}

Field (ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve)

{

Offset (0x04),

FLD1, 128 //

}

Field (ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve)

{

Offset (0x04),

FLD2, 192 //

}

Field (ERAM, ByteAcc, NoLock, Preserve)

{

Offset (0x04),

FLD3, 256 //

}

像这样，把逗号后面数字大于8的变量和他们的Offset记录下来。

Offset怎么计算呢？

我们先看OperationRegion (ERAM, EmbeddedControl, Zero, 0xFF)这一句，括号里面第一个参数是区域名ERAM。

接着我们发现所有的Field里面的第一个参数也都是ERAM，可以确定它们是对同一个内存区域进行操作的，这一块内存区域名为 ERAM。

你的DSDT不一定都是 ERAM，如果出现了其他名字的 Field，请寻找对应的 OperationRegion 来确定它的类型和偏移量

OperationRegion (ERAM, EmbeddedControl, Zero, 0xFF)的第二个参数是EmbeddedControl，这个是操作空间类型，我的是 EmbeddedControl，而有的主板厂商会选择将EC数据映射到内存中，此时类型为 SystemMemory，且第三个参数通常不为零。

第三个参数是Zero，在ASL中 Zero 和 0 等效。此处参数为操作空间的偏移量，也就是Offset，如果不为零的话我们也要把这个参数记录下来。

第四个参数是0xFF，为操作空间的最大大小，此处为 0xFF Byte，化成十进制就是255个字节，不重要。

ok，现在我们知道我们只有一个操作区 ERAM，偏移量为0。

我们从头开始看

{

SMPR, 8,

SMST, 8,

SMAD, 8,

SMCM, 8,

SMD0, 256, //

BCNT, 8,

SMAA, 8,

前面的 SMPR 是变量名，其类型为FieldUnitObj，后面的 8 是长度，单位为 bit。

8 bit，也就是 1 byte。

因此我们可以确定到第一个箭头指向的变量SMD0的偏移量是 (8+8+8+8)/8=