内存颗粒位宽和容量_DDR4内存终极解析（一）--DDR4内存颗粒-CSDN博客

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DDR4内存因其更高的频率、带宽和更低的电压，逐渐取代DDR3成为主流。本文深入解析DDR4内存的新特性，如弯曲的金手指设计，提升的Bank Group结构带来的性能提升，3DS技术在增大单颗芯片容量上的应用，以及1.2V的低电压和功耗优化技术。此外，还介绍了三星、SK Hynix和美光的DDR4内存颗粒特点与超频性能。

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1DDR4内存新特性解析

如果搭配Haswell-E处理器的X99平台是DDR4的首秀，那么Skylake为首的Intel 100系列芯片组则正式将DDR4内存推向大众，现如今DDR4内存的价格不断走低，已经有全面取代DDR3之势，相比DDR3内存，DDR4内存频率起跳就是2133MHz，一些高频内存都达到了3200MHz，围绕着DDR4内存的规格及应用下面将以系列篇章形式全面解析DDR4。

DDR4内存新特性

1.外观一直以来，内存的金手指都是直线型的，而DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了。其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

DDR4内存新特性

2.带宽和频率 DDR4内存显著提高了频率和带宽，在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Gr