画出传输门、三态门、开路门_数字电子技术习题第二章.ppt

数字电子技术习题第二章

解答：比较TTL和CMOS输入特性(续) +VDD uY uA TP D1 C1 C2 RS TN D2 D3 VSS 0 II UI -UDF VDD+UDF II UI 1 UO +VDD (a)电路图 (c)伏安特性 (b)伏安特性测试图 结论： CMOS是压控器件 输入阻抗＞108Ω 正常情况无栅流 伏安特性实际是输入端二极管保护网络的特性。 +VCC(5V) R1 uI uo 4k? A D1 T1 T2 T3 T4 D R2 1.6k? R3 1k? R4 130? Y 1 iI +VCC +5 V uI + - uo I V / u I mA / i 0 1 2 -1 1 +VCC +5V uI + - uo Ri Ri/ ? 0 2 6 4 1 2 uI / V UI=UIL时IIS流入UIL约－1mA左右 UI=UIH时IIH流入TTL约几十uA 关门电阻ROFF≤0.7K 开门电阻RON≥2.5K 由于CMOS门电路的输入阻抗非常高容易受空间电荷的影响而出现输入状态不确定，故不能悬空。 而TTL门电路输入悬空等效接无穷大电阻其输入状态为1故可以悬空，通常为了可靠也将不用的输入 端作相应的处理。 2-19 分析题2-19图所示各电路，要实现相应输出信号表达式所规定的逻辑功能，电路连接上有和错误？请改正之。 ⑴各电路为TTL电路； ⑵各电路为CMOS电路。 2-20 画出如题2-20图所示各电路输出信号波形图，输入信号A,B,C的波形如题2-20图(d)所示。 △ A C Y1 (a) & 1 EN △ A C Y2 (b) ≥1 1 EN Y3 (c) =1 & & A B C A B C (d) 解： 图(a)由低电平使能的三态门和 TTL与非门组成逻辑表达式为 图(b)由高电平使能的三态门和 TTL或非门组成逻辑表达式为 图(c)与非门和异或门组成逻辑表达式为 根据逻辑表达式画波形图： A B C Y1 Y2 Y3 * * * 一、教学要求 1、掌握内容 ①基本门电路的逻辑特性 与门： 或门： 非门： A B & A 1 A B ≥1 ②常用门电路的逻辑特性 A B & A B =1 A B ≥1 A B & C D ≥1 ⑴常用门电路的逻辑功能 与非门： 或非门： 与或非门： 异或门： ⑵CMOS和TTL反相器输入、输出特性 ① CMOS反相器的输入输出特性 原理图 示意图 输入特性 输出特性 结论： 输入阻抗高108Ω 带保护二极管 时具有二极管 保护网络特性。 当UI=UIL=0, 负载电流经TP 流出(拉电流) 当UI=UIH=VDD, 负载电流经RL流入TN(灌电流) ② TTL反相器的输入输出特性 +VCC(5V) R1 uI uo 4k? A D1 T1 T2 T3 T4 D R2 1.6k? R3 1k? R4 130? Y I V / u I mA / i 0 1 2 -1 1 iI +VCC +5 V uI + - uo 1 +VCC +5V uI + - uo Ri Ri/ ? 0 2 6 4 1 2 uI / V 输入特性 IIS IIH IIS≈1.1mA IIH≈15uA 关门电阻 ROFF≤0.7K 开门电阻 RON≥2.5K Uth Uth≈1.4V 输出特性 +VCC(5V) R1 uI uo 4k? A D1 T1 T2 T3 T4 D R2 1.6k? R3 1k? R4 130? Y UI=UIL时输出高电平:VOH=3.6V UI=UIH时输出低电平:VOH=0.3V IO经T3、D流出到负载与参考方 向相反故为负(拉电流)。 IO经负载流入T4与参考方 向一致故为正(灌电流)。 普通TTL门电路输出 端不能直接接电源和 接地也不能并联使用。 注意！！ ⑶传输门、三态门、漏极和集电极开路门的逻辑符号 与工作特点 ① 传输门和三态门 传输门 三态门 当C=1、 传输门是传输信号的电压 控制开关 TP、TN均导通 UO=UI TP、TN均截止 输入输出断开 三态门 输出端 低电平VOL 高电平VOH 高阻态Z ② 漏极和集电极开路门 漏极开路(OD门) +VCC +5V R1 A D2 T1 T2 T4 R2 R3 Y D1 B +V ?CC RC 外 接 Y A B & +V ?CC RC 集电极开路(OC门) 两者符号相同特点无异 输出端直接连接构成“线与” 必须外接负载电阻到电源 逻辑电平变换 2、深入理解内容 ⑴CMOS和TTL与非门、或非门电路的工作原理 ⑵CMOS和TTL反相器的电压传输特性 CMOS TTL UI=UIL时,UO=UOH;UI=UIH时,UO=UOL UOH＝VDD UOL=0V UTH＝0.5VDD UN