寄存器和存储器的区别_《学习笔记》--高速电路中的存储器

1、存储器概述

电路设计离不开存储器件，对一个电路系统而言，一般包含以下几种存储器：EEPROM、FLASH、SDRAM（或DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM等），在高性能系统中还包含ZBT SRAM（或DDR SRAM、QDR SRAM等），存储器分类如图1所示。

图1 存储器分类

• EEPOM一般用于存储单板信息（如单板名称、厂家名称、单板版本号、单板序列号等）；
• Flash用于存储底层驱动代码、软件代码等；
• SDRAM等用于大容量的缓存；
• ZBT SRAM等用于高吞吐量小容量的存储。

1）RAM（随机存储器，Random Access Memory），指存储内容可被快速地写入或读出，掉电存储内容丢失的存储器；可分为SRAM（静态随机存储器，Static RAM）和动态DRAM（动态随机存储器，Dynamic RAM）两种。

• SRAN的优点是只要器件不掉电，存储内容就不丢失，无需刷新电路，工作速度快，缺点是集成度低、功耗大、价格高。结构图如图2所示。

图2 SRAM存储的那元结构图

• 基本原理：①数据写入时，数据信号D及其反后的信号D#分别出现在Q1和Q1'上，待选择信号CE将Q1和Q1'导通后，D和D#触发双稳态触发器，使之发生相应的翻转，并使翻转后的状态一直得到保留，直到下一次数据写入事件的发生；②数据读出时，选择信号CE有效并使Q1和Q1'导通后，A和A'点的逻辑状态出现在数据D和D#上，从而实现数据的读取，该读取的过程并不改变存储单元内双稳态触发器的状态。

• DRAM的优点是集成度高、功耗小、价格低，缺点是即便器件不掉电，存储内容也只能保持很短的时间，需不断地被刷新。结构如图3所示。

图3 DRAM存储单元结构图

2）ROM（只读存储器，Read　Only　Memory）指一旦写入，则无法擦除改写的存储器。高速电路设计中常用的ROM包括EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）和FLASH（闪速存储器）

２、SDRAM介绍及其应用

１）概述

SDRAM指同步动态随机存储器，其信号电平为LVTTL,属于单端信号;

对于同步存储器件，有三个与工作速率相关的重要指标：内核工作频率、时钟频率、数据传输速率。SDRAM取址简图如图4所示。

图4 SDRAM取址方式简图

SDRAM存储空间被分为若干逻辑块（BANK），取址时，首先需提供BANK地址以找到待操作的逻辑块，然后需提供行地址和列地址以在该BANK内定为存储单元。因此SDRAM的容量计算：地址数

位宽

BANK（存储块）数。

2）引脚介绍

• CLK：时钟信号，为输入信号；
• CKE：时钟使能信号，为输入信号，高电平有效；（作用：①关闭时钟以进入省电模式；②进入自动刷新（SELFREFRESH）状态。）
• CS#片选信号，为输入信号，低电平有效。仅当CS#有效后，SDRAM才能识别存储器控制器发送来的命令，设计中，CS#信号应上拉；
• RAS#：行地址选通信号，为输入信号，低电平有效；
• CAS#：列地址选通信号，为输入信号，低电平有效；
• WE#：写使能信号，为输入信号，低电平有效；
• BA[1:0]：BANK地址信号，为输入信号；
• A[12:0]：地址信号，为输入信号；
• DQ[15:0]：数据信号，为输入/输出双向信号；
• DQML/DQMH：简写为DQM，是数据掩码信号，为输入/输出双向信号，其方向与数据总线的方向相同，高电平有效。当DQM有效时，数据总线上出现的对应数据字节被接收端屏蔽。
• ：SDRAM内核工作电源；
• :SDRAM数据总线I/Q电源。

3）SDRAM的基本操作

基本操作方式如表1所示：

表1 SDRAM基本操作

ps：H代表逻辑高电平、L代表逻辑低电平，X代表与该信号的逻辑状态无关。

4、DDR SDRAM介绍及其应用

1）DDR SDRAM与SDRAM的比较

DDR指双倍速率（Double Data Rate），DDR SDRAM与SDRAM的基本结构是相似的，最根本的区别在于DDR SDRAM支持在一个时钟周期内传输两次数据，这是通过接口结构的改进而实现的。

在硬件电路设计上，DDRSDRAM与SDRAM的不同点：

• 时钟信号，SDRAM的时钟信号CLK为单端信号，而DDR SDRAM则采用差分时钟信号CK/CK#；
• 信号电平，SDRAM采用LVTTL电平，接口信号为单端信号，而DDR SDRAM采用SSTL-2电平，接口信号本质上属于差分对；
• 电源，两种存储器的电源引脚都分为
  和
  ，一般这两种引脚均可采用同一电源供电，但SDRAM的电源为3.3V，而DDR SDRAM的电源为2.5V；
• 电源种类，SDRAM仅需3.3V一种电源，DDR SDRAM需三种电源：给
  和
  供电的2.5V，给
  供电的1.25V，以及给SSL-2终结电路供电的
  电源1.25V，关于DDRSDRAM的电源电路设计；
• 时序测试，对地址信号、控制信号，SDRAM与DDR SDRAM的时序测试方法相同，对数据信号，SDRAM为单边沿采样，DDR SDRAM为双边沿采样，且时序参考信号为DQS而不是时钟信号；
• 输出信号驱动能力，DDR SDRAM输出信号的驱动能力可被设置为强驱动或弱驱动两种模式，SDRAM则不能设置，在设计中，某些存储器控制器对DDR SDRAM的输出驱动能力有要求，应相应对存储器的寄存器进行配置。

2）基本操作

• 读操作；
• 写操作；
• 上电初始化操作；
• 模式寄存器的配置；
• 扩展模式寄存器的配置；

3）时序测试：时序参考点和边沿变化速率

5、存储器DIMM条

实现大容量存储器，采取的方式：

• 将多片存储芯片布放在PCB上，通过走线，将这些芯片连接在一起以构成大容量存储；
• 采用DIMM条，相对方法一，DIMM条的使用有三个优势，其一是实现了大容量的存储，其二是节省了PCB面积，其三是简化了设计。

DIMM（双列直插式存储模块，Dual-Inline-Memory-Modules）简称双面内存条，是将多片存储器件集成于一块PCB上、通过该PCB的”金手指“引脚与单板上的DIMM条插座相连的存储技术。其中，DIMM可分为两类：Unbuffered DIMM（无缓冲DIMM）和Registeed DIMM（有寄存DIMM）

两种DIMM的区别：

• 利用Register（寄存器）器件对地址和控制信号寄存，通过对寄存器控制器的配置，使地址信号和控制信号先于数据信号一个时钟周期到达DIMM，在DIMM的Register器件停留一个时钟周期，并在下一个时钟的上升沿输送到各个存储器芯片，通过Register器件的寄存，可以达到提高信号质量、增强驱动能力的目的。Register器件位于DIMM条正面的下方。
• 利用锁相环PLL对DIMM增加了一个复位引脚RESET#，以实现对Register器件和PLL锁相环的复位。Unbuffered DIMM和SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM都不具备RESET#引脚，复位功能通过CKE的低电平实现，而在使用Registered DIMM时需要特别注意，操作前，软件程序必须先发出一个有效的RESET#脉冲，Registered DIMM才能正常工作；
• 在某些型号的Registered DIMM上，数据总线串接有FET（场效应晶体管，Field　Effect　Transistor）开关，以增强数据信号的驱动能力。

6、DDR2 SDRAM

• DDR2 SDRAM与DDR SDRAM相比，虽然其仍保持了一个时钟周期完成两次数据传输的特性，但DDR2 SDRAM在数据传输率，延时，功耗等方面都有显著提高，而这些性能的提高主要来源于：4n数据预选、ODT、PostCAS、封装等。
• DDR2 SDRAM的数据传输率可以远远高于DDR SDRAM；
• 在时序设计中，由于信号边沿不单调，需对时序裕量进行降额。

7、SRAM：DRAM的性能你在很大程度上受到刷新操作的影响，而SRAM则不涉及刷新，因此子啊相同时钟频率的条件下，SRAM的性能远高于DRAM。SRAM缺点是集成度低、容量小、功耗大、价格高。

8、FLASH：在电路设计中，一般采用FLASH存储大容量的底层驱动程序或软件程序。

9、

总线操作：

（Inter-Integrated）总线是由两根信号线（时钟SCL、数据SDA）组成的串行总线，用于控制器与外围设备之间是互联。 通过

总线，控制器可以配置、读取外围设备的工作参数，总线上的每个设备都有唯一的地址标识（对使用

接口扩展芯片的情况，相当于使用了二级地址，头一级地址是

接口扩展的地址，第二级地址才是待操作设备的地址），且每个设备都可作为发送器或接收器。

特点如下：

• 使用串行总线，采用两条信号线，即可将多个设备互连，PCB设计时，走线应成菊花链；
• 属于多主机总线，当总线上有两个以上的设备申请总线的主控权时，可通过仲裁决定最终的主控方；
• 标准运行速率为100Kbps，最高可达1Mbps以上；
• 电源电压范围宽，功耗低；
• 的信号线SCL、SDA属于OD（Open Drain，漏极开路）电路，在电路设计上需做上拉处理。