四因素三水平正交试验表_基于正交试验的金丝键合工艺参数优化(005)

本文介绍了金丝键合在微波多芯片组件中的重要性,探讨了键合工艺参数如超声功率、时间、压力和温度对键合质量的影响。通过正交试验,确定了优化的工艺参数组合,以提高金丝键合的可靠性,尤其关注25 μm金丝的第一键合点质量。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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摘 要: 金丝键合是实现微波多芯片组件电气互连的关键技术。介绍了引线键合技术的基本形式,分析了键合工艺参数对键合质量的影响。基于正交试验方法,通过对影响25 μm金丝键合第一键合点质量的工艺参数优化进行试验研究,确定最优化的工艺参数水平组合,达到提高金丝键合工艺可靠性的目的。

关键词: 金丝键合;工艺参数优化;正交试验

金丝键合是实现微波多芯片组件电气互连的关键技术。在微波多芯片组件中,通常采用金丝键合技术,实现单片微波集成电路(MMIC)、集总式电阻和电容等元器件与微带线、共面波导的互连,以及微波传输线之间或与射频接地面的互连[1-3]。虽然倒装芯片和载带自动焊技术发展迅速,但金丝键合具有工艺简单、价格低廉、热膨胀系数小等优点,在航空航天领域的微波多芯片组件中具有突出的应用价值。

金丝键合质量的优劣直接决定微波多芯片组件的可靠性、稳定性乃至整体电性能。键合质量受控于引线材料、键合面膜层质量、键合工艺参数等多方面因素,不同工艺参数的设置及匹配会对键合质量的形成构成显著影响。只有充分掌握工艺参数对键合质量的影响规律,才可能在实际操作中准确协调各工艺参数,使键合效果达到最佳状态。因此,研究键合工艺参数的优化对于提高键合质量乃至微波多芯片组件质量都起着十分重要的作用。

1 引线键合技术

引线键合技术就是指在专用设备上键合工具(劈刀或楔)提供的热、压力和/或超声能量的共同作用下,使用金属引线(金丝或铝丝)将芯片与基板上相应的焊区位置连接(压焊)起来的一种电气互连技术,是一个金属原子“扩散”、“嵌合”的过程。根据能量的施加方式,引线键合工艺可以分为三种:热压键合、超声键合和热声键合 [4-6]。热声键合因其同时使用热压和超声能量,可降低加热温度,提高键合强度,有利于器件可靠性而逐步取代热压键合和超声键合,成为当前的主流键合工艺。根据键合工具的不同,引线键合主要有两种基本形式:球键合与楔键合。

1.1 球键合

球键合一般采用直径75μm以下的细金丝,因为其在高温受压状态下容易变形、抗氧化性能好

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