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石墨烯的能带结构及独特的电学电学性能；石墨烯FET的优势和缺点；提高石墨烯晶体管开关比低的方法（如何解决石墨烯FET存在的问题）；石墨烯的制备方法及其各自的优缺点；MEMS加速度计、陀螺仪、喷墨打印机的打印头、数字微镜器件的原理；MEMS器件；使用电子耗尽层理论解释半导体金属氧化物气体传感器的原理；电子皮肤的概念、特点及其应用场景；真空微纳电子器件特点；冷阴极技术；如何理解More Moore及More Than Moore。
2019-07-11
微纳电子器件期末考试复习思考题.docx
本资源包括微纳电子器件课程的全部课后思考题，包括等比例缩小(Scaling-down)定律、CMOS器件的“Heat death”、MOS中绝缘层减薄带来的负效应、EOT的概念 、“HKMG”、 窄沟道效应 、热载流子（HCE）效应、源漏穿通及次开启抑制措施、 迁移率的退化和漂移速度饱和、小尺寸MOS器件的物理效应对阈值电压的影响、漏工程、沟道工程、栅工程、SOI器件、3D集成、TSV的原理、MCP，3D IC, SIP、SOP、SOC、碳纳米管、引线的电迁移现象等内容，总结非常详细，内容十分丰富，特别适合期末考试复习使用。
2019-07-06
空空如也
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