C语言杂记1

一、建立项目
1、建立project，扩展名uv2
2、选单片机
3、ctrl+n新建c程序写入后保存
4、ctrl+s存储后添加进入项目
5、编译运行

6、ctrl+f5进入调试模式


1、2、3分别为运行停止复位，4为打开串行调试窗口
二、51单片机

AT89C51IO引脚多，AT89C2051体积小


XTAL1为片内振荡器的反相放大器输入端，XTAL2为输出端，使用外部振荡器如图所示；使用内部振荡器时时钟发生器进行二分频，晶振为12MHz时，时钟频率为6MHz。电容30pf，晶振1-24MHz。

reset高电平复位
单片机输出低电平时，一个标准TTL门的低电平输入电流是-1mA（负号表示从TTL门向外流），电流是灌入单片机的；单片机输出高电平时，TTL门高电平输入电流40μA。51单片机IO口能驱动8个TTL门是指它输出低电平时，允许灌入8mA电流；输出高电平时，允许输出0.32mA的拉电流。因为P0口是集电极开路的，不能输出高电平。只有P1、P2、P3口可以输出高电平。P0口必须外加上拉电阻才能输出高电平。
P0端口为8位双向I/O口，输出驱动8个TTL电平，需要上拉电阻。内部存储器编程时接收数据。外部存储器编程时为低8位地址/数据总线。上拉电阻4.7-10K。
P1端口为带有内部上拉电阻的8位双向I/O口，输出驱动4个TTL。内部存储器编程时接收低8位地址。
P2端口为带有内部上拉电阻的8位双向I/O口，输出驱动4个TTL。内部存储器编程时接收高8位地址。外部存储器编程时为高8位地址。
P3端口为带有内部上拉电阻的8位双向I/O口，输出驱动4个TTL。内部存储器编程时接收控制信息。还有专用功能。
|P3.0|串行通信输入RXD|
|P3.1|串行通信输出TXD|
|P3.2|外部中断0INTO 低电平有效|
|P3.3|外部中断1INT1 低电平有效|
|P3.4|定时器0输入T0|
|P3.5|定时器1输入T1|
|P3.6|外部存储器写选通WR低电平有效|
|P3.7|外部存储器读选通RD低电平有效|
ALE/PROG低 30 访问外部存储器时，ALE（地址锁存允许）的输出用于锁存地址的低位字节。即使不访问外部存储器，ALE 端仍以不变的频率输出脉冲信号(此频率是振荡器频率的1/6)。在访问外部数据存储器时，出现一个ALE 脉冲。对Flash 存储器编程时，这个引脚用于输入编程脉冲PROG。
PSEN低 29 该引是外部程序存储器的选通信号输出端。当AT89C51 由外部程序存储器取指令或常数时，每个机器周期输出2 个脉冲即两次有效。但访问外部数据存储器时，将不会有脉冲输出。
EA低/VPP 31 外部访问允许端。当该引脚访问外部程序存储器时，应输入低电平。要使AT89C51 只访问外部程序存储器（地址为0000H-FFFFH）,这时该引脚必须保持低电平。对Flash 存储器编程时，用于施加Vpp 编程电压。Vpp 电压有两种，类似芯片最大频率值要根据附加的编号或芯片内的特征字决定。