如何正确nandflash的块地址和页地址

[初级知识]如何正确nandflash的块地址和页地址

2016年09月07日 16:13:42

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结论

• 块地址 从1开始，其范围位于1~2048(以2Gb nandflash为例)
• 页地址 从0到63， 其范围位于0~63(以2Gb nandflash为例)

背景

对于初次接触nandflash的新手而言，不管是做裸机的驱动还是复杂的Linux下的nand驱动，能看懂nandflash的数据手册中给出的时序图，已经是不错的，但要想正确的去实现功能，恐怕是还是有一道拦路虎的，当然，弄懂了，就一纸老虎，这老虎就是我们要说的 nandflash操作中的块地址跟页地址的正确设置。

块地址

nandflash中有块和页的概念，常见的表述如，

nandflash的大小=块总数x每块的页总数x每页的大小

这里的块大小和页大小，均会在相应的数据手册中查到，那么，我们关系的擦除、读写这几个重要的操作而言，其中的块地址该如何计算而来？

比如说，我们常在控制台上用nand erase addr size,而这个命令通常是直接传入addr,我们怎么从addr中解析出块地址呢？下面给出一份正确的实现代码

int addr = 0x0ffc0000 ; 
int block_addr = 0;
int page_size = 2048;
int page_count_per_block= 64;

block_addr = addr/(page_size*page_count_per_block) ;    //小问号认为按照这句命令的理解：块地址就是块数，                                                        //求得块的数量就是块的地址，这个数量是一个块的总数量，                                                        //块总数量等于块的最大数，并且把最大块数定为块地址，                                                       //这与我们平常理解的定义地址一般是最小数（值）有些不                                                       //同，这一点要注意这一点。




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有的时候，我们看网上有的人说，nandflash的块地址等于页地址，其实这句话说的是有前提条件的，那就是第0块第0页的时候满足这个说法，其他的一概不满足

页地址

还是用上面的nand erase addr size,而这个命令通常是直接传入addr,我们怎么从addr中解析出页地址呢？下面给出一份正确的实现代码

int addr = 0x0ffc0000 ; 
int block_addr = 0;
int page_size = 2048;
int page_addr = 0;

page_addr = addr/page_size; //小问号同样认为，此语句可以理解为页地址就是在给定Nand的某个地址后，求得页的数量就是
                            //页的地址，这个数量是一个页的总数量，总数量等于页的最大数，并且把最大页数定为页地址，                            //这与我们平常理解的定义地址一般是最小数（值）有些不同，要注意这一点。

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有的时候，我们看网上有的人说，nandflash的块地址等于页地址，其实这句话说的是有前提条件的，那就是第0块第0页的时候满足这个说法，其他的一概不满足

实现nandflash的擦除

给出的已知条件为要擦除的地址，以及大小，要去实现擦除的伪代码 
- 页大小page_size 
- 每块的页总数page_count_per_block

int nand_erase_one_block(int addr, int size)
{
    int page_addr = 0;

    page_addr = addr/(page_size);

    伪代码：
    reset_nand（）；
    write_erase_cmd();
    write_addr(page_addr&0xff);
    write_addr(page_addr>>8&0xff);
    write_addr(page_addr>>16&0xff); 
    write_erase_cmd();

    wait_dev_ready();
    check_nand_erase_stat();
}

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有人或许会很好奇，你这写法为什么跟我在数据手册上看到的不一样，数据手册明明跟这不一样，而且你这种写法如何对得上数据手册中的地址周期值呢？我们不妨先解决这个疑问，用数据手册上的地址周期写法来实现一组代码，我们就按照下面的5个地址周期的数据手册写法来实现一组： 

因为我们都知道，在擦除程序时，只需要写三个行地址(为啥？因为数据手册的擦除时序图要求的，不会的看下面这张图) 

int nand_erase_one_block(int addr, int size)
{
    int block_addr = 0;

    block_addr = addr/(page_size*page_count_per_block);

    伪代码：
    reset_nand（）；
    write_erase_cmd();
    write_addr((block_addr << 6) & 0xff);//按照5个地址周期值，我们来填充数据
    write_addr((block_addr >> 2) & 0xff);
    write_addr((block_addr >> 10) & 0x01); 
    write_erase_cmd();

    wait_dev_ready();
    check_nand_erase_stat();
}

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以上这两种实现方法其实大同小异，第一种方法是用page_addr来实现的，而第二种方法是用block_addr的方法实现的，这两种方法实现其实是一模一样的，并没有什么差别。（小问号认为这里为何出现了页擦除和块擦除两种方法？，老师不是讲擦除只能是块擦除吗？）