nandflash地址的物理地址，逻辑地址，spare地址等理解

最新推荐文章于 2023-09-01 23:17:51 发布

justmeloo

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分类专栏：存储及文件系统

本文链接：https://blog.csdn.net/justmeloo/article/details/40114441

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本文详细介绍了NAND Flash的数据存储结构，包括cell、bit line、page和block的组织方式。每页528Byte，分为512Byte的Main Area和16Byte的Spare Area。NAND Flash的地址包括Block Address、Page Address和Column Address，地址传递需要4-step addressing。对于不同容量的NAND Flash，寻址步数可能有所不同，256Mbit以下只需3步。地址传输过程中，Column Address、Page Address和Block Address依次通过I/O[7:0]移位传递。

摘要由CSDN通过智能技术生成

物理地址中所讲的block ,page column地址都是值得nandflash底层的物理地址，而我们实际使用的nandread nandwrite等命令中的flash地址则是逻辑地址，在mtd层中都会维护这样一个逻辑地址===> 物理地址的映射表，而文件系统的操作又是基于逻辑地址来的，在mtd层之上，这个映射表的维护是发挥mtd层作用的核心。

在mtd层通过mtdutils工具nandread,nandwrite等对nanflash上的某地址进行读写操作都是基于每一页的data area来的，spare area是不包含在内的；假如你想对spare area中的数据进行读取，就只能在mtd层往下的物理地址范畴内进行操作即block,page,colum这一层的地址进行操作，此时要读些spare区则column设为2048. 因为1page又是由bitline即字节或word组成的，所以 1page= column (列)x bitline （行）所以，column地址实际上就是本页的第几个字节而已，所以在找spare area区域地址的时候,column地址就是2048开始的地址（前面2048个字节是data area，这里开始就是spare area了），我是这样理解的。。

参考下文。

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