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RSS订阅原创 Closing the B+ -tree vs. LSM-tree Write Amplification Gap on Modern Storage Hardware
文章目录摘要一、Introduction二、使用步骤1.引入库2.读入数据总结 摘要 本文研究了B+ -tree如何充分利用内置透明压缩的现代存储硬件。近年来，人们对使用日志结构的合并树(LSM-tree)作为B+树的替代品产生了浓厚的兴趣，因为人们普遍认为LSM-tree在存储成本和写扩增方面具有明显的优势。本文的目的是在内置透明压缩的存储硬件到来时重新审视这一信念。先进的存储设备和新兴的计算存储驱动器执行基于硬件的无损数据压缩，对操作系统和用户应用程序透明。除了直接减少B+树和lsm树之间的存储成本差
2022-04-26 12:21:55
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原创 Read Disturb Errors in MLC NAND Flash Memory: Characterization, Mitigation, and Recovery 论文精读
文章目录摘要一、Introduction二、Background & Related Work2.1 NAND闪存里的数据存储总结 摘要 NAND闪存的可靠性会随着内存的缩减和每个单元被编程的比特数的增加而下降。导致这种可靠性降低的一个关键因素是读干扰，其中对一行单元的读会影响同一块不同行中未读flash单元的阈值电压。这种干扰可能会将这些未读单元的阈值电压转换到与最初编程不同的逻辑状态，从而导致读取错误，损害闪存持久性。 在公开文献中，本文首次对最先进的2Y-nm (即20-24 nm) M
2022-04-24 14:48:06
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