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RSS订阅原创 LDO功率管
1、NMOS管的导通电阻很小，功率管上的压降很小，在片外仅仅需要很小的输出电容以及较低的ESR(等效串联电阻)就能将LDO的系统主极点推到高频，提高相位裕度，使功率管栅极的极点变为主极点，同时片外低ESR电容还能产生零点补偿在输出端上生成的极点，实现LDO的环路稳定。使用NMOS作为功率管结构的缺点：NMOS栅极电压必须要大于输出电压并且要高出一个VTH。2、NMOS的电子迁移率比PMOS高，在驱动相同的电流时，NMOS版图面积小。4、NMOS型LDO系统环路的单位增益带宽较大，具有很好的瞬态响应能力。
2024-04-29 17:47:15
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