基于HLW8112的直流测量原理及校准方法

芯片介绍
HLW8112是一款高精度的电能计量IC,它采用CMOS制造工艺,该器件内部集成了三个∑-Δ型ADC和一个高精度的电能计量内核。
HLW8112用于单相应用,也可以测量直流信号。
HLW8112可以通过多种通讯接口访问片内寄存器,包括SPI和UART。
HLW8112电能计量IC采用3.3V或5.0V电源供电,内置振荡器,采用16脚SSOP封装。
直流典型应用
下图是HLW8112直流应用的典型电路,直流测量和交流测量的采样方法的原理是相同的,因为交流测量一般是220V电源,而直流测量以12V和24V为主,所以只需要将电压采样的5个200K电阻改为20K,电流采样电阻不变。
在这里插入图片描述

设置成直流模式时,需要将EMUCON REG的bit9设置成1,工作在直通模式;将bit4、bit5和bit设置成1,关闭高通滤波器,测量有效值是需将WaveEN设置成1。

采用以下电路,
电压PGA = 1时,可测量电压范围是DC 0-50V;
电流PGA = 16时,可测量电流的范围是:0 - 30A;
可以根据被测信号的量程来修改前端采样电路,比如,最大测量电流是6A,可以改变1mR采样电阻,需遵循以下条件:
I(被测电流)R<(800mV/1.414/PGA);
V(被测电压)/(1K/(20K
5)) < (800mV/1.414/PGA)。

为什么需要校准
HLW8112用于交流测量时,由于出厂做过交流信号的校准,在对精度要求不是非常高的情况下,可以免校准。在用于直流测量时,因为没有对芯片进行校准,所以使用HLW8112进行直流测量系统的设计时,需要对系统进行校准。
以上图为例,直流测量系统的误差来源于以下几个方面:
电压采样电路:分压电路器件参数引起的误差;
电流采样电路:1mR电阻的误差;
HLW8112:内部1.25V Vref参考电源和PGA增益误差,包括电流PGA和电压PGA。
为减少系统带来的测量的误差,需要对整个系统进行offset校准和增益校准。

如何校准
校准一共有3个部分,offset校准、增益校准和电量校准,校准完成后,需要将校准得到的数据写入EEPROM内,等系统上电初始化时,从EEPROM内读取校准数据,用于计算。
在这里插入图片描述

**Offset校准**

offset是为了解决零信号的偏置,系统输入零电流信号(相当于短路采样电阻),这时HLW8112内部读取的RMSIAOS和PAOS的REG值,表示电流偏置和有功功率偏置,由于RMSIAOS和PAOS是补码数据,所以在读取到RMSIAOS和PAOS REG的值后,按位取反加1,将值记录到EEPROM内。等到初始化时,再将EEPROM内的值写入RMSIAOS REG 和 PAOS REG。
增益校准
增益校准是为了解决HLW8112内部PGA的增益误差,在进行增益校准时,需要给系统输入一个稳定的负载,一般建议取量程的1/3。比如,如果测量12V/30A的系统,可以选取12V/10A作为输入负载用于增益校准。在增益校准前,应将offset 校准的数据提前写入RMSIAOS REG 和 PAOS REG。
电流的计算公式如下,K1表示电流系数:
电流有效值= (RmsIXXRmsIXXC)/(K12^23 ) ;
现在的电流有效值,是理论计算值,实际是这个值和10A是有一定偏差的。
那么我们在校准时,需要增加一个系数D_CAL_A_I,叫做校准电流系数,这个公式就更新为,将理论值和实际的偏差通过校准电流系数建立起关系,
电流有效值= (RmsIXXRmsIXXC)/(K12^23 )D_CAL_A_I ;
那么,在输入12V/10A时,
10A= 电流有效值= (RmsIXX
RmsIXXC)/(K12^23 )D_CAL_A_I ;
D_CAL_A_I = 10/( (RmsIXX
RmsIXXC)/(K1
2^23 ) ) ;
这样,我们就可以计算出校准电流系数D_CAL_A_I。
同样,功率的校准和电流的校准方法是相同的。
电量校准
电量的计算公式如下:
电能= (EnergyXXEnergyXXCHFconst)/(K1K22^294096) , K1表示电流系数,K2表示电压系数;
同电流的校准流程,实际电能的计算公式应该如下:
电能= (EnergyXX
EnergyXXCHFconst)/(K1K22^294096)* D_CAL_A_E ;
D_CAL_A_E是校准电能系数;
以12V/10A负载为输入信号,计算出12W消耗0.001度电的时间:
T = (1W3600S)/12W = 300S;
为了节省校准时间,可以减少统计电量的时间,比如统计0.0001度电消耗的时间,那么,
0.0001= (EnergyXX
EnergyXXCHFconst)/(K1K22^294096)* D_CAL_A_E

通过以上公式,我们可以计算出D_CAL_A_E的值,并存入EERPOM内。

小结
校准完成后,需要重新上电,对HLW8112进行初始化,在配置完成功能寄存器后,需要读取EEPROM内存储的数据,RMSIAOS、PAOS、D_CAL_A_I、D_CAL_U、D_CAL_A_P和D_CAL_A_E。
将EEPROM内的RMSIAOS 和 PAOS 的值,写入到RMSIAOS REG 和PAOS REG内完成初始化。
电参数的计算公式更新为如下:
电流有效值= (RmsIXXRmsIXXC)/(K12^23 )D_CAL_A_I ;
电压有效值= (RmsUXX
RmsUXXC)/(K22^22 ) D_CAL_U ;
有功功率/视在功率= (PowerXX
PowerXXC)/(K1
K22^31 ) * D_CAL_P ;
电能= (EnergyXX
EnergyXXCHFconst)/(K1K22^294096)* D_CAL_A_E ;

  • 6
    点赞
  • 22
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 7
    评论
HLW8112数据手册中提供了两种校准方法:增量校准和全面校准。根据需要选择相应的校准方法。 1. 增量校准 增量校准是将芯片测量的电压、电流值与外部参考电压、电流计测量值进行比较,然后根据比较结果对芯片进行校准。 具体步骤如下: 1)将芯片的VCC引脚接入正电源,GND引脚接地。 2)将芯片的V+和V-接入待测电路。 3)通过外部参考电压,测量待测电路的电压值。 4)通过外部电流计,测量待测电路的电流值。 5)通过芯片提供的SPI接口或者I2C接口,读取芯片内部测量的电压、电流值。 6)将测量值与外部参考值进行比较,计算出校准系数。 7)将校准系数写入芯片的寄存器中。 2. 全面校准 全面校准是对芯片的各个参数进行校准,包括增益误差、偏移误差、温度漂移等。 具体步骤如下: 1)将芯片的VCC引脚接入正电源,GND引脚接地。 2)将芯片的V+和V-接入待测电路。 3)通过外部参考电压,测量待测电路的电压值。 4)通过外部电流计,测量待测电路的电流值。 5)通过芯片提供的SPI接口或者I2C接口,读取芯片内部测量的电压、电流值。 6)将测量值与外部参考值进行比较,计算出校准系数。 7)通过改变芯片内部的校准系数寄存器的值,对芯片进行校准。 需要注意的是,无论是增量校准还是全面校准,都需要使用高精度的参考电压、电流计进行测量,以保证校准的准确性。同时,在进行校准时,应该将负载电路的电压和电流限制在芯片的额定值范围内,以免损坏芯片。

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论 7
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值