半导体测试为什么还用c语言,半导体C-V测量入门(1)

普通测试

电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体器件，尤其是MOSCAP和MOSFET结构的参数。但是，通过C-V测量还能够对很多其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光电电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)等。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201612/333885.htm

这类测量的基本特征对于很多应用和培训都是十分有用的。大学实验室和半导体制造商通过这类测量可以评估新材料、工艺、器件和电路。C-V测量对于从事产品与良率改进工作的工程技术人员也是极其重要的，他们要负责改进工艺和器件的性能。可靠性工程师通过这类测量检验材料供应商的产品是否合格，监测工艺参数，分析器件的失效机制。

采用适当的方法、仪器和软件，我们可以测得很多半导体器件和材料的参数。从评估外延多晶的生长开始，这些信息在整个生产链中都会用到，包括平均掺杂浓度、掺杂分布、载流子寿命等参数。在圆片工艺中，通过C-V测量可以确定栅氧厚度、栅氧电荷、游离子(杂质)和界面阱密度。在另外一些工艺步骤之后还会用到这类测量，例如光刻、蚀刻、清洗、电介质与多晶硅沉积、金属化。在圆片上完成整个器件制造工艺之后，还要在可靠性与基本器件测试阶段通过C-V测量对阈值电压和其他一些参数进行特征分析，对器件的性能进行建模。

半导体电容的物理特性

MOSCAP结构是半导体制造过程中的一种基本器件形态(如图1所示)。虽然这类器件可以用于真正的电路中，但是一般将它们作为一种测试结构集成到制造工艺中。由于它们的结构简单，制造过程容易控制，因此是一种十分方便的评估底层工艺的方法。