存储设备：
处理器中必须额外接存储设备
RAM(内存，掉电数据丢失)：
原理分类：
1.SRAM
静态RAM，线性存储的结构，不会刷数据，每增加个数据，就会在末尾处加一块内存，这样存取数据会快一些，同时也导致SRAM的面积大一些
小的SRAM集成到CPU上（小的4~8k，大的几十k）
2.DRAM
动态RAM(常用)，特点就是便宜，会每间隔ms就刷一次内存数据，这段间隔时间内存储器时无法使用的，这是个缺点，但DRAM面积小一些
嵌入式处理器，外接DRAM
处理器中有控制器，然后根据接口控制外接DRAM（SDRAM和DDRAM），外接DRAM必须一开机初始化才能使用，但是开机的一刹那，程序如果是在DRAM上运行，则会导致程序无法运行，所以就需要SRAM，把DRAM的初始化工作放到SRAM中，等到他初始化完成之后，再执行DRAM中的程序
本身具有随机访问的能力
FLASH(代替电脑的硬盘)：
NandFlash
同与（N and），与DRAM优点差不多，就是便宜，NandFlash没有地址线，所以不能直接执行程序，操作系统把其中的内容读出来放到内存中，然后才能被执行，操作Nandflash要按块去操作，不可以按字节去操作
最小结构叫做页
可以存储启动代码
处理器中内置nandflash控制器
CPU利用nandflash控制器从nandflash读出数据后放到DRAM后，再由处理器从内存中取指执行
我们编写程序主要还是对nandflash控制器编程
NorFlash
同或（N or），NorFlash与SRAM的处理器接口是完全一样，NorFlash中的程序可以直接运行，本身具有随机访问的能力
Nandflash：
分析原理
需要单独学习nandflash的datasheet（三星的nandflash datasheet）
先弄清楚管脚的定义，共48根管脚其中N.C(not connect)是未连接的
IO0~7：数据输入输出的8根管脚，因此从NandFlash中分批次的读写数据，就是8位数据，作为输出管脚的话，把数据传递给CPU，作为输入管脚的话，把数据/命令/地址从CPU读进flash里边，nandflash没有地址线，所以CPU就不能直接寻址，对nandflash的操作就是操作命令（读，写，擦除命令）
CPU给Nandflash发送数据可以是数据，地址，命令，那么怎么区分，就引入了下述两根管脚，比如发送0x30
CLE（command latch enable）：命令锁存使能管脚，CLE拉高那么ALE就不会拉高，拉高就表示IO中传递的是谁，当两者都拉低的时候IO传递就是数据
ALE（address latch enable）：地址锁存使能管脚，同上
CE（chip enable）：芯片使能管脚，flash内部分块的，片选就是选择一个内存块，比如3G，分成3个块，片选一个就可以用一个G，片选信号一般都是低电平有效
CE1同上
CE2同上
这里有个小标记，在datasheet中，CE上边有小横线，就代表是低电平有效，CE/CE1/CE2都有小横线，所以都是低电平有效，有的时候#/n都是代表低电平有效
RE（read enable）：读使能，一根信号线，低电平有效，激活的话就是nandflash要读数据，数据流向处理器，就是处理器读
WE（write enable）：写使能，一根信号线，低电平有效，激活的话就是nandflash要写数据，数据流向存储器，处理器写
WP（write protect）：写保护，只读不写，不可以写，只可以读
RnB（ready busy）：B低电平有效，R高电平有效，他俩复用，B是忙的状态，R是准备状态，这个就是通知Nandflash是否是忙状态
Vcc：点烟
GND：地
待续？？
看原理图
flash的IO连接处理器的数据线的低八位
片选使能，使能命令管脚，传递命令，使能地址所存，传递地址，读/写使能，传输数据，这些都是nandflash控制器硬件完成
看datasheet
找到与nandflash相关的部分
写入数据，要先写校验，然后再写数据，读也需要先校验，暂不考虑校验
NFCONF寄存器：
1位：AddrCycle，对nandflash操作需要传递地址周期，地址是分周期传递的，这个周期是看页大小，地址周期？页大小？从哪知道周期？
地址周期：nandflash没有地址线，CPU如何操作nandflash的地址，处理器地址和设备地址（nandflash地址），处理器的地址空间0~4G，是ARM最大寻址空间，是处理器地址，是处理器可以直接访问，通过ldr与str可以直接访问，但是ARM不能直接访问nandflash的地址（设备地址），我们要把5存到0x10000（nandflash的地址）上（处理器上也会有这个地址0x10000），我们要操作的设备地址，理论上16个G的nandflash，需要34位的数，但实际处理器与nandflash只有8根线，所以传递一个地址，需要多次传递过去，这个次数就是地址周期，所以需要5个周期来传递地址，这个周期还需要页的大小是谁，周期为5时，页大小是2k（这个可以从nandflash的datasheet中得到）
每个页式基本单位，每个页后边跟一块存储区，是校验用的，校验方法：硬件校验与软件校验，写入之前要校验，校验完成，写的数据放到2k中，校验数据放到64字节中，读取的时候，2k与64字节都需要寻址，所以寻址一个页需要12个位数据来寻址，若干个页构成一个块，三星的这款NandFlash是64个页组成的块，对Flash擦除是整块擦除，还有个特点，在写到Flash前要先擦除，默认的全是F，写数据是把1变成0可以，要把0变成1，只能擦除整个块，若干个块构成一个device（8192个块）
2位：PageSize，页大小，要看MLCFlash是多少，来决定这个位的值代表的页大小
3位：MLCFlash，FLASH的类型，SLC（单层的，1~2个G）与MLC（多层的，比较大的）这两种flash
4~15：TWRPH1，TWRPH0，TACLS
这几位的配置需要看时序图，HCLK是时钟用来驱动nandflash的时钟，差不多是130M左右，PCLK是外设时钟，串口控制器,GPIO控制器，SPI控制器都会用，HCLK对速度要求高点的设备用，nandflash就是用这个时钟，H2CLK高速设备，没来一个周期，控制器做一件事，来一个周期,CLE与ALE先变化,都先拉高，从这里可以知道ALE和CLE先拉高，然后数据会变化，数据先往上放，数据会持续一段时间会在8个IO上，然后WE再变化，此时是写使能稳定一段时间之后，拉低，在写使能拉低的过程中，会将数据发送出去，其他的那些都是准备时间
TACLS（time address command）：地址或命令锁存建立时间，这个时间应该越短越好，但肯定是要有的，因为要使能地址和命令锁存器时间是Duration = HCLK（时钟周期） x TACLS，Duration是已知的，HCLK由uboot决定，从而计算出TACLS
TWRPH0（time write RPH0）：写使能持续时间，Duration = HCLK x ( TWRPH0 + 1 )，取值同上
TWRPH1（time write RPH1）：写使能持续时间，Duration = HCLK x ( TWRPH1 + 1 )，取值同上
23~24：ECCType0，ECC校验类型
MsgLength：与校验相关的
NFCONT寄存器：（与中断相关）
0位：MODE，是nandflash控制器的模式
NFCMMD寄存器（命令寄存器）：
8位
NFADDR寄存器（地址寄存器）：
8位
NFDATA寄存器（数据寄存器）：
可以当做32位/16位/8位，一次性可以读8位，如果读一个页，需要读2k次，如果一次传32位，则需要循环512次，nandflash控制器中肯定是有缓冲，缓存32位后一下发到寄存器中，所以CPU读这个寄存器可以读到32位，决定读多少位是咱们告诉CPU的，采用int型的就是按4字节读，采用short是采用2字节读，采用char就是按1字节读
以上三个寄存器都是通过8根IO来控制，nandflash控制器把传递的功能映射到3个寄存器（NFCMMD，NFADDR，NFDATA）上，然后由处理器来处理
U盘就是USB+FLASH
实现从nandflash中读ID的操作：
读nandflash的datasheet，可以看到read ID operation的时序
1.使能片选信号，CPU发送片选信号给nandflash
2.然后命令锁存寄存器使能，同时写寄存器使能，这就代表发送命令，CPU发送命令给nandflash
3.然后地址锁存寄存器使能，同时写寄存器使能，这就代表发送地址，CPU发送地址给nandflash
4.读寄存器使能，这个时候IO不断有数据出来，是CPU从nandflash中读出来
读出来数据是EC DC 35 75 75，这几个值读对了，就代表是正确的
读ID是确定nandflash是否正常，是否好用，所以驱动都先是读ID
读flash代码
start.s
.global start@为了让.c看得到
start:
bl uart_run @没有赋值，说明uart_run没有参数
bl
b . @b .是死循环
uart.c
char shell_buffer[256];
void uart_init(void){
配置寄存器，就是操作地址
}
char getc(void){
volatile int *b = (int *)0xe2900010;
//1.查看状态
while(!(*b&0x1)){
//2.读出字符
b = (int *)0xe2900024;
return (char)*b;
}
}
void putc(char a){
volatile int *b = (int *)0xe2900010;
//1.查看状态
while(!(*b&0x2)){
//2.写入字符
b = (int *)0xe2900024;
(char)*b = a;
}
}
void puts(char* s){
}
void gets(void){
int i = 0;
while(1){
if((shell_buffer[i] != '\r')&&(i<256)){ //输入回车结束,'\r'是回车
shell_buffer[i] = getc(); //获取输入的指令
putc(shell_buffer[i]); //这里是为了在终端显示
i++;
}else{
if(shell_buffer[i] == '\r'){
shell_buffer[i] = '\0';
}else{
/*do nothing*/
}
break;
}
}
}
void nand_init(void){
//配置寄存器,nandflash,config寄存器
//控制寄存器,nandflash,contrl寄存器
}
void nand_read(){
//操作命令寄存器
//操作地址寄存器
//操作数据寄存器
//itoa具体实现
//puts
}
void do_nand_id(){
//1.nandflash初始化
nand_init();
//2.读id
nand_read();
}
void parse_cmd(void){
char cmd_buffer[5] = "test";
char cmd_buffer1[9] = "donandID";
for(int i=0;((shell_buffer[i] != '\0')&&(i<5));i++){
if(shell_buffer[i] != cmd_buffer[i]){
puts("cmd is error");
break;
}
else if(shell_buffer[i] == cmd_buffer1[i]){
do_nand_id();
}
else{
do_test_cmd();//硬盘上的一段程序，通常需要shell进程去做这个函数的处理
}
}
}
void uart_run(void){
uart_init();
while(1){
char a = getc();
putc(a);
puts("##");
gets();
parse_cmd();
}
}
32位地址怎么变成5周期地址，5个8位地址有CPU上的nandflash控制器传递地址给nandflash
通常这个位置（32位整数）变成5周期的地址
5周期地址分成两部分：2周期是列地址（页内部地址，一个页内的地址），3周期是行地址（页偏移地址，是一个块内的页的地址）
我操作的一个页是2k的，我想读0x100000的地址，怎么读？
0x100000除以2k就是页偏移地址，一个周期只能使用8根IO传递数据，需要24位数来传递，所以需要3个周期
余数就是页内地址需要11位，就需要2个周期
按页读取的话，地址一定是2k页的整数倍，所以页内便宜一定是0
R/B信号（ready/busy）：就是在读大的数据量的时候，显示busy状态，这个时候就是准备过程，等到，ready状态后，CPU可以读出数据，R/B寄存器只会由0变1，但是由1变0不可以，所以操作R/B状态时，需要在读操作之前先给它写0，然后再检测什么时候被拉高变1，变1说明是进入ready状态
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