一、基本概念
1、磁阻、磁动势、磁场强度、磁导率、磁路长度、磁通、磁通密度、磁芯面积、气隙。
(1)磁路长度:磁通线的回路长度
l
l
l由磁芯尺寸决定
(2)磁芯面积:
A
e
Ae
Ae 由磁芯尺寸决定
(3)磁导率:
μ
μ
μ (相对磁导率μr ,绝对磁导率μ0)
μ
0
=
0.4
∗
π
∗
1
0
−
8
(
H
/
m
)
μ0=0.4* π*10^-8 (H/m)
μ0=0.4∗π∗10−8(H/m)
(4)磁阻:(电阻理解)
R
g
=
1
/
(
μ
∗
A
e
)
Rg= 1/ ( μ *Ae)
Rg=1/(μ∗Ae)
(5)磁动势:
m
m
f
=
0.4
∗
π
∗
N
I
(
N
为匝数,
I
为电流
)
mmf =0.4*π*NI(N为匝数,I为电流)
mmf=0.4∗π∗NI(N为匝数,I为电流)
(6)磁场强度:
H
=
0.4
∗
π
∗
N
I
/
l
H = 0.4*π*NI/l
H=0.4∗π∗NI/l
(7)磁通:
Φ
Φ
Φ
(8)磁通密度:
B
=
Φ
/
A
e
B = Φ/ Ae
B=Φ/Ae
μ
=
B
/
H
μ=B/H
μ=B/H
(9)气隙:
l
g
lg
lg
加气隙后磁阻变为:
R
e
=
(
1
/
μ
r
∗
μ
0
∗
A
e
)
+
l
g
/
μ
0
∗
A
e
=
l
e
/
μ
e
∗
A
e
Re=(1/ μr *μ0*Ae)+lg/μ0*Ae=le/μe*Ae
Re=(1/μr∗μ0∗Ae)+lg/μ0∗Ae=le/μe∗Ae
μ
e
=
(
l
e
/
(
l
/
(
μ
r
∗
μ
0
)
+
(
l
g
/
μ
0
))
=
(
l
+
l
g
)
/
(
l
/
(
μ
r
∗
μ
0
)
+
(
l
g
/
μ
0
))
μe=(le/(l/(μr *μ0)+(lg/μ0))=(l +lg)/(l/(μr *μ0)+(lg/μ0))
μe=(le/(l/(μr∗μ0)+(lg/μ0))=(l+lg)/(l/(μr∗μ0)+(lg/μ0))
l
g
<
<
l
,同乘以
(
μ
r
∗
μ
0
)
/
l
lg<<l ,同乘以 (μr* μ0)/l
lg<<l,同乘以(μr∗μ0)/l
μ
e
=
(
μ
r
∗
μ
0
)
/
(
1
+
μ
r
∗
(
l
g
/
l
)
)
μe=(μr *μ0)/(1+μr*(lg/l))
μe=(μr∗μ0)/(1+μr∗(lg/l))
例子:铁氧体 =3600 气隙0.6mm,l=200mm
μ
e
=
3600
/
(
1
+
3600
(
0.6
/
200
)
)
=
305.085
μe = 3600/ ( 1 +3600 ( 0.6 /200))= 305.085
μe=3600/(1+3600(0.6/200))=305.085
(10)电感计算公式:
L
=
(
μ
r
∗
μ
0
∗
A
e
∗
N
2
)
/
l
L=( μr*μ0*Ae*N^2)/ l
L=(μr∗μ0∗Ae∗N2)/lor
L
=
A
l
∗
N
2
L=Al *N^2
L=Al∗N2
(11)开气隙:
1、稳定感量(减小磁导率)
2、防止饱和(增大匝比,增大饱和电流)
3、减小温度和震动的影响
4、气隙增大储藏磁能 (增大储能上限)
5、 剩磁Br减小
当一定的电流I通过绕了N匝的磁芯,磁芯饱和时,磁畴有序排列。
如果有气隙,气隙旁边的作用力减小了,磁畴有些是无序的,我们能通更大的电流。
2、磁场能量密度(单位体积包含的磁能):
W
m
=
B
/
2
μ
=
(
μ
∗
H
2
)
/
B
=
B
∗
H
/
2
Wm=B / 2 μ= (μ*H^2)/B= B*H/2
Wm=B/2μ=(μ∗H2)/B=B∗H/2