DCL记忆上次输入值lisp_数据断电记忆方案的设计、电容容量详细计算方法

我们设计的简易PLC所提供的变量，有一类是断电记忆的。

所谓断电记忆也就是数据在断电重启之后保持断电前的数值。

MCU的存储器分为两类：RAM和ROM。

两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间断电保存。

为了实现断电记忆，需要把数据写入到ROM，即FLASH中。

不幸的是，FLASH有两个致命的缺点：

1)擦写次数有限，一般仅有10万次的擦写次数，超过擦写次数，FLASH将被损坏。

2) FLASH的存储位只能由1改为0，如果需要将0改为1，则需要将数据擦除，最小擦除的单位为1个page。对于STM32F103为2KB，对于STM32F051为1KB。

通过BACKUP寄存器实现断电记忆

Cortex系列的处理器还有一种backup寄存器供断电记忆数据使用，比如给RTC时钟使用。

该寄存器的数据可以由VBAT的电压来维持，而一般VBAT电压由纽扣电池供电。

比如，我们选择CR1220的电池，其容量为40mAh, VBAT的工作电流低到2uA。

CR1220的电池可以保证backup寄存器的数据在断电之后一年内不丢失。

通过FLASH实现断电记忆

美中不足的是，STM32F103仅有84个字节的backup寄存器。

当需要断电记忆的数据比较多时，还是需要将其存入到FLASH中。

可以分为两种数据：

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