ltspice导入spice模型_LTspice 怎么自建 MOSFET 模型

本帖最后由 e3po 于 2012-5-21 01:28 编辑

http://ltwiki.org/index.php5?title=Undocumented_LTspice

http://people.rit.edu/lffeee/SPICE.pdf

http://www.simonbramble.co.uk/lt ... pice_tutorial_6.htm

http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter7/ch7_5.htm

http://users.ece.gatech.edu/~rin ... handouts/spice3.pdf

http://hutchens.okstate.edu/ecen4303/chapters/chap4.pdf

实验38 MOSFET模型参数的提取

http://202.204.27.242/weidianzi/ ... %A8%CD%EA%A3%A9.doc

MOSFET模型参数的提取

标记LEVEL指明选用级别。一级模型即常用的平方律特性描述的Shichman-Hodges模型，考虑了衬垫调制效率和沟道长度调制效应。二级模型考虑了短沟、窄沟对阈电压的影响，迁移率随表面电场的变化，载流子极限速度引起的电流饱和和调制以及弱反型电流等二级效应，给出了完整的漏电流表达式。三级模型是半经验模型，采用一些经验参数来描述类似于MOS2的二级效应。

MOS管沟道长度较短时，需用二级模型。理论上，小于8um时，应有短沟等效应。实际上5um以下才需要二级模型。当短至2um以下，二级效应复杂到难以解析表达时，启用三级模型。MOS模型参数的提取一般需要计算机辅助才能进行。有两种实用方法，一是利用管子各工作区的特点，分段线性拟合提取；二是直接拟合输出特性的优化提取。其中，直流参数的优化提取尚有不足之处：优化所获仅是拟合所需的特定参数，物理意义不确，难以反馈指导工艺和结构的设计；只适合当前模型，模型稍做改动，要重新提取，不利于分段模型；对初值和权重的选取要求很高。

MOSFET模型发展至今，已有五十多个模型。

下面简单介绍几个有代表性的模型：

􀂄 Level 1 —— MOS1模型(Shichman-Hodges模型)，该模型是Berkley SPICE最早的MOST模型，适用于精度要求不高的长沟道MOST。电容模型为Meyer模型，不考虑电荷贮存效应

􀂄 Level 2 —— MOS2模型，该模型考虑了部分短沟道效应，电容模型为Meyer模型或Ward-Dutton模型。Ward-Dutton模型考虑了电荷贮存效应。

􀂄 Level 3 —— MOS3模型，为半经验模型，广泛用于数字电路设计中，适用于短沟道器件，对于沟道长度≥ 2μm的器件所得模拟结果很精确。

BSIM模型—— Berkeley Short-Channel IGFET Model。BSIM模型是专门为短沟道MOST而开发的模型。目前已经发展到BSIM4模型。

􀂄 Level 4 —— BSIM1 模型， 适合于L≈1μm，tox≈15nm的MOSFET。

BSIM1模型考虑了小尺寸MOST的二阶效应包括

􀂄 垂直电场对载流子迁移率的影响；

􀂄 速度饱和效应；

􀂄 DIBL(漏场感应势垒下降)效应；

􀂄 电荷共享；

􀂄 离子注入器件的杂质非均匀分布；

􀂄 沟道长度调制效应；

􀂄 亚阈值导电；

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