苏州大学实验报告模板C语言,苏州大学实验报告-Flash在线编程实验.doc

苏州大学实验报告

院、系　　　　　　　　年级专业　　　　　姓名　　　　学号

课程名称　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　成绩

指导教师　　　　　　　　　同组实验者　　　　　　实验日期

实验名称：　 Flash在线编程实验

一．实验目的

通过该实验，进一步熟悉MT-IDE嵌入式开发系统环境、汇编和C语言以及调试方式；进一步学习串口的相关内容；掌握Flash存储器在线编程的基本概念；熟悉GP32芯片Flash存储器在线编程擦除和写入的步骤；理解课本中的程序代码。

二．实验内容

通过PC机的串口发送数据到MCU方，然后将接受到的数据写入到flash中以0x8000地址开始的一页中。最后将写入的数据读出发送到PC端校验。

三．实验过程

(一)基本过程

(1)页擦除操作

下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节):

① $2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位):进行页面擦除；

② 读Flash块保护寄存器FLBPR；

③ 向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址写入0；

④ 延时tnvs(>10μs)；

⑤ $A→FLCR(1→HVEN位)；

⑥ 延时terase(>1ms)；

⑦ $8→FLCR(0→ERASE位)；

⑧ 延时tnvh(>5μs)；

⑨ $0→FLCR(0→HVEN位)；

⑩ 延时trcv(>1μs)，完成一页的擦除操作。

(2)整体擦除操作

下面过程擦除GP32的整个Flash区域，以便把新的程序装入Flash存储器，这是应用系统研制过程中开发工具对GP32编程的准备工作。

① 6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位):进行整体擦除；

② Flash块保护寄存器FLBPR；

③ 向被擦除的Flash任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向首地址写入0；

④ 延时tnvs(>10μs)；

⑤ $E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)；

⑥ 延时tMerase(>4ms)；

⑦ $C→FLCR(0→ERASE位)；

⑧ 延时tnvhl(>100μs)；

⑨ $0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)；

⑩ 延时trcv(>1μs)，完成整体擦除操作。

(3)编程操作

MC68HC908GP32的Flash编程操作以行(64字节)为单位进行的。当然，一次写入可以小于一行，但不能大于一行。对于已经写过的部分未经擦除不能重新写入变更其数据，否则将引起数据出错。写入过程如下:

a. $1→FLCR(1→PGM位)；

b. 读Flash块保护寄存器FLBPR；

c. 向将要写入的Flash行内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向行首地址写入0，这一步选定了所要编程的行，以下的目标地址必需在这一行中；

d. 延时tnvs(>10μs)；

e. $9→FLCR(1→HVEN位)；

f. 延时tpgs(>5μs)；

g. 待写数据写入对应的Flash地址；

h. 延时tprog(>30μs)，完成一个字节的写入(编程)工作；

i. 重复g、h，直至同一行内各字节写入完毕；

j. $8→FLCR(0→PGM位)；

k. 延时tnvh(>5μs)；

l. $0→FLCR(0→HVEN位)；

m. 延时trcv(>1μs)以后，完成本行写入工作，可以读出校验。

四．编程

(一)流程图

开始

头文件

和声明

MCU、SCI初始化

复位

1 ?

结束

图1 Flash存储器流程图

(二)所用寄存器名称及其所用的位

Flas控制寄存器(Flash Control Register，FLCR)

数据位

D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

定义

x x x x HVEN MASS ERASE PGM

复位

0 0 1 0 0 0 0 0

Flash块保护寄存器(Flash Block Protect Register，FLBPR)

Flash块保护寄存器设定的只是保护区域的起始地址，保护区域的结束地址始终为Flash存储区的结束地址($FFFF)。对MC68HC908GP32而言，FLBPR设定的是16位起始地址的第14～7位(第15位恒为1)。

(三)主要代码段

1．汇编方式：

主程序部分代码

……

MainInit:: //复位后程序从此开始执行

//[系统初始化]

SEI

LDHX #$023F //堆栈初始化

TXS

JSR MCUInit //调系统初始化子程序GP32Init

//[串行口初始化]

JSR SCIInit

//[程序总循环入口]

MainLoop:

//[发送1个握手信号86]

LDA #86 //发送握手信号86

JSR SCISend1

//[等待接收1的握手信号56]

JSR SCIRe1

CMP #56 //是否是56?

BNE MainLoop //否,继续握手

//[等待接收1个字节=要写入的字符个数(<=64)并存到N中]

JSR SCIRe1

STA N

//[等待接收N个字节并存到以DATA1为首址的内存中]

LDA N

LDHX #DATA1

JSR SCIReN

//[擦除以Fdata为首地址的Flash区(1页,GP32:128字节)]

LDA #%00000010 //保护$8100~$FFFF的FLASH区域

STA FLBPR

LDHX #Fdata

JSR EraseSub

//[将以DATA1开始的N个数写入以Fdata为首址的Flash区]

LDA #%00000010 //保护$8100~$FFFF的FLASH区域

STA FLBPR

LDHX #DATA1 //RAM首地址->RAMandFlash[0-1]

STHX RAMandFlash

LDHX #Fdata //Flash首地址->RAMandFlash[2-3]

STHX RAMandFlash+2

LDA N //写入FLASH的数据个数

JSR WriteSub

//[向PC机发送写入Flash区的N个数据,供PC机接收并比较]

LDHX #Fdata

LDA N

JSR SCISendN

//[转程序总循环入口]

JMP MainLoop

……

2．C语言方式：

主程序部分代码

…………

void main()

{

INT8U *p;

MCUInit(); //MCU初始化

SCIInit(); //串口初始化

//主循环开始

while(1)

{

SCISend1(86); //发送握手信号86

//等待接收一个字节的握手信号

if(SCIRe1(p)!=56) //是否是56?

continue; //否,继续握手

//等待接收写入的数据个数(N<=128)并存放到N中

SCIReN(1,data);

N=data[0];

//等待接收N个字节的数据并存放到以data数组中

SCIReN(N,data);

//调用EarseFlash()程序之前要保护后一页之后的区域

//如:EarseFlash(0x8000),则要保护的为$8100后的区域

FLBPR=0b00000010; //保护$8100~$FFFF的FLASH区域

EraseFlash(0x8000);//擦除0x8000为始址的一个页

//调用WriteFlash()程序之前要保护后一页之后的区域

//如:WriteFlash(0x8000),则要保护的为$8100后的区域

FLBPR=0b00000010; //保护$8100~$FFFF的FLASH区域

WriteFlash(0x8000);//将数据写入flash

//读出flash中的数据发给pc机比较

SCISendN(N,(INT8U *)0x8000);

}

}

五．实验问答(根据实验指导书所列举的问题)

1．flash在线编程的过程中有哪些注意点？

在进行flash在线编程过程中，有如下几点需要注意：一、严格按照芯片手册上的步骤和时序编程，进行恰当的延时，以避免延时过长或过短。二、由于flash在线编程时需要对其加高压，导致对flash存储器的存储区读取不稳定。可能导致程序不能正常执行。因而擦除、写入子程序要转入RAM区执行。三、由于擦写子程序要在移到RAM区所以在调用子程序时要注意使用BSR指令。

2．当用flash区存储一些需要变动的参数时，应如何注意哪些问题？

当用flash区存储一些需要变动的参数时，要注意flash擦除后才能写入的特性、并且一次擦除至少为一页。所以如果一些参数变动时，需要先将该参数所在页的数据读出后更新，再擦除整页，最后重新写入。

六．实验小结

通过该实验，了解了flash在线编程的基本概念，熟悉和掌握了MT-IDE嵌入式开发系统环境及其调试方式，进一步熟悉汇编编程和C语言编程；通过在GP32上的练习，了解了如何GP32上进行Flash在线编程。

第5页

展开阅读全文