matlab k线图怎么分析法,1分钟k线图分析法 一根k线看多空 如何预测?

原标题:1分钟k线图分析法 一根k线看多空 如何预测?

微交易K线分析图基本表现形式:

1、长红线或大阳线

此种图表示最高价与收盘价相同,最低价与开盘价一样。上下没有影线。从一开盘,买方就积极进攻,中间也可能出现买方与卖方的斗争,但买方发挥最大力量,一直到收盘。

买方始终占优势,使价格一路上扬,直至收盘。表示强烈的涨势,市场呈现高潮,买方疯狂涌进,不限价买进。握仓者,因看到买气的旺盛,不愿抛售,出现供不应求的状况。

2、长黑线或大阴线

此种图表示最高价与开盘价相同,最低价与收盘价一样。上下没有影线。从一开始,卖方就占优势。市场处于低潮。握仓者不限价疯狂抛出,造成恐慌心理。市场呈一面倒,直到收盘、价格始终下跌,表示强烈的跌势。

3、先跌后涨型

这是一种带下影线的红实体。最高价与收盘价相同,开盘后,卖气较足,市场价格下跌。但在低价位上得到买方的支撑,卖方受挫,价格向上推过开盘价,一路上扬,直至收盘,收在最高价上。

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4、下跌抵抗型

这是一种带下影线的黑实体,开盘价是最高价。一开盘卖方力量就特别大,价位一路下跌,但在低价位上遇到买方的支撑。后市可能会反弹。

5、上升阻力

这是一种带上影线的红实体。开盘价即最低价。一开盘买方强盛,价位一路上推,但在高价位遇卖方压力,使价格上升受阻。卖方与买方交战结果为买方略胜一筹。具体情况仍应观察实体与影线的长短。

6、先涨后跌型

这是一种带上影线的黑实体。收盘价即是最低价。一开盘,买方与卖方进行交战。买方占上风,价格一路上升。但在高价位遇卖压阻力,卖方组织力量反攻,买方节节败退,最后在最低价收盘,卖方占优势,并充分发挥力量,使买方陷入“套牢”的困境。

7、反转试探型

这是一种上下都带影线的红实体。开盘后价位下跌,遇买方支撑,双方争斗之后,买方增强,价格一路上推,临收盘前,部分买者获利回吐,在最高价之下收盘。这是一种反转信号。如在大涨之后出现,表示高档震荡,如成交量大增,后市可能会下跌。如在大跌后出现,后市可能会反弹。

8、弹升试探型

这是一种上下都带影线的黑实体,在交易过程中,价格在开盘后,有时会力争上游,随着卖方力量的增加,买方不愿追逐高价,卖方渐居主动,价格逆转,在开盘价下交易,股价下跌。在低价位遇买方支撑,买气转强,不至于以最低价收盘。

有时价格在上半场以低于开盘价成交,下半场买意增强,价格回至高于开盘价成交,临收盘前卖方又占优势,而以低于开盘价之价格收盘。这也是一种反转试探。如在大跌之后出现,表示低档承接,行情可能反弹。如大涨之后出现,后市可能下跌。

9、十字线型

这是一种只有上下影线,没有实体的图形。开盘价即是收盘价,表示在交易中,价格出现高于或低于开盘价成交,但收盘价与开盘价相等。买方与卖方几乎势均力敌。

其中:上影线越长,表示卖压越重。下影线越长,表示买方旺盛。上下影线看似等长的十字线,可称为转机线,在行情高价位或低价位,意味着出现反转。

10、“┴”图形

又称空胜线,开盘价与收盘价相同。当日交易都在开盘价以上之价位成交,并以当日最低价(即开盘价)收盘,表示买方虽强,但卖方更强,买方无力再挺升,总体看卖方稍占优势,如在高价区,行情可能会下跌。

“T”图形又称多胜线,开盘价与收盘价相同,当日交易以开盘价以下之价位成交,又以当日最高价(即开盘价)收盘。卖方虽强,但买方实力更大,局势对买方有利,如在低价区,行情将会回升。

11、“一”图形

此较形不常见,即开盘价、收盘价、最高价、最低价在同一价位。只出现于交易非常冷清,全日交易只有一档价位成交。冷门行情此类情形较易发生。

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电阻率测深法的理论曲线正演可以通过有限元法或有限差分法进行模拟计算,然后绘制出电阻率深度剖面图。下面是一个简单的matlab程序,可以绘制出多条电阻率深度剖面图: ```matlab % 电阻率测深法理论曲线正演程序 % 输入参数 r = 50; % 电极距离 n = 20; % 电极数目 rho1 = 100; % 地下介质电阻率 rho2 = [500, 1000, 2000]; % 地下目标电阻率,多个值用逗号隔开 h = 2000; % 探测深度 dh = 100; % 深度间距 % 计算电极间距 d = r / (n - 1); % 计算电极位置 elec_pos = (0:(n-1)) * d; % 初始化电位数组 potential = zeros(n, n); % 计算目标电位 for i = 1:n for j = 1:n if i ~= j distance = abs(elec_pos(i) - elec_pos(j)); if distance <= r potential(i, j) = rho2(1); else potential(i, j) = rho1; end end end end % 有限差分法计算电阻率深度剖面 resistivity_profile = zeros(h/dh, numel(rho2)); for i = 1:numel(rho2) rho = rho2(i); for j = 1:(h/dh) z = j * dh; G = zeros(n-1, n-1); for k = 1:(n-1) G(k, k) = (rho1 + rho) / (2 * pi * (elec_pos(k+1) - elec_pos(k)) * z); for l = (k+1):n-1 G(k, l) = -1 * (rho1 + rho) / (2 * pi * (elec_pos(l+1) - elec_pos(l)) * z); G(l, k) = -1 * (rho1 + rho) / (2 * pi * (elec_pos(l+1) - elec_pos(l)) * z); end end U = potential(2:end, 2:end) - potential(2:end, 1:end-1); I = G \ U(:); resistivity_profile(j, i) = (rho1 + rho) / (dh * sum(I)); end end % 绘制电阻率深度剖面图 figure; for i = 1:numel(rho2) loglog(resistivity_profile(:, i), (1:(h/dh)) * dh, 'LineWidth', 2); hold on; end xlabel('电阻率(Ωm)'); ylabel('深度(m)'); title('电阻率测深法理论曲线正演结果'); legend('rho2_1 = 500', 'rho2_2 = 1000', 'rho2_3 = 2000'); ``` 这个程序主要是通过有限差分法计算电阻率深度剖面,然后绘制出电阻率深度剖面图。在程序中,我们可以设置不同的目标电阻率rho2,然后在同一张图上绘制出多条电阻率深度剖面曲线,方便比较分析

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