研究背景
ZnO是一种有趣的直接宽带隙半导体,正在探索其在众多应用中的潜力。过渡金属掺杂的ZnO是自旋电子学领域有前景的候选材料。自旋电子学(或自旋电子学)是基于利用载流子的量子力学自旋属性以及载流子电荷来实现电子功能的概念。许多研究小组在镁掺杂ZnO合金方面取得了大量进展,并确认带隙被拓宽,MgxZn1-xO合金的结构从六角形变为立方体。
研究主旨
本研究通过溶胶-凝胶法制备了(Al/Mg)共掺杂的ZnO纳米粒子,分析了其结构和磁性。结果发现,Mg和Al可以替代Zn形成单相结构,且随着Al含量的增加,室温下的铁磁性增强,饱和磁化强度也随之增加。这一发现为自旋电子学提供了新的材料选择。
研究特点
通过简单的溶胶-凝胶过程制备了多晶纳米粒子Zn1-x-yMgxAlyO (ZMAO)(x= 0, 0.05, 0.1 和 y= 0, 0.05和0.1)系统。采用X射线衍射(XRD)和Rietveld方法进行了结构和微观结构分析。分析表明,Mg2+和Al3+取代Zn2+产生ZMAO单相。取代Zn+2以相反的方式影响晶格参数,参数c减小而a增大,总体上c/a比值减小,使ZMAO晶格逐渐偏离六方闪锌矿结构。在不同的外加磁场下测量了零场冷却(ZFC)和场冷却(FC)下的磁化强度与温度的关系。此外,在不同的温度下测量了磁化强度与外加磁场的关系。该系统在室温下显示出铁磁性。饱和磁化强度随Al掺杂量的增加而增加。