研究背景
目前,III族氮化物,包括GaN、InN和AlN,已被证明是开发蓝/绿LED、紫激光器和光电探测器的坚固材料。在这些材料中,GaN基材料,如AlGaN和InGaN,因其卓越的特性而闻名,特别是AlGaN,其能带宽度可从3.42eV调整到6.2eV,随着Al组分从0变化到1。然而,在GaN基材料的研究中仍存在许多问题,例如能带内部结构和光响应机制的研究,提高晶体生长水平的需求,以及缺乏有效和方便的检测方法,尤其是非破坏性测量方法。此外,半导体的光学参数和质量表征对于光电器件的设计和制造至关重要。
研究主旨
本文研究了GaN基薄膜的透射光谱,通过分析透射光谱,揭示了样品参数对其影响,特别关注折射率、消光系数和厚度的变化。作者对一系列样品进行了实验,模拟了透射光谱,并从中提取了关键的光学参数,如折射率和消光系数随波长的变化规律。此外,还探讨了GaN和AlGaN薄膜的色散关系,并与现有研究成果进行了对比,证明了透射光谱分析是一种准确且有用的定性和定量薄膜表征方法。
研究特点
如今,GaN基多层材料正在快速发展,了解其界面和光学特性对于器件设计和制造至关重要。本文中,我们分析了透射光谱,并讨论了样品参数对透射光谱的影响。随后,我们获得了系列GaN基样品的透射光谱。对透射光谱进行了模拟,并从中提取了有用信息。对于我们的一个样品,折射率在400到800nm的波长范围内从2.518轻微变化至2.305,而消光系数为6×10^-9.5exp(2700/λ),厚度为2860nm。最后,我们得到了GaN和AlGaN薄膜的色散关系,并将其与一些其他研究小组的结果进行了比较。