嵌入式软件管培生每日总结-第6-7天

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前言

本文为模拟电子技术基础晶体三极管的相关知识以及c语言知识总结与记录

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晶体三极管结构及其类型

• NPN型晶体管：发射区有非常多的载流子，作用是发射载流子；集电区收集载流子；基区作为控制区，控制发射区流到集电区的载流子数量
• 不管是NPN型还是PNP型晶体管，发射极上的箭头表示发射结加正向偏压时，发射极电流的实际方向。
• 晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置
• NPN型中，处于放大状态时：发射极电流IE主要来源于大量电子在外加正向偏置电压作用下的扩散运动；基极电流IB主要来源于电子空穴的复合运动；集电极电流IC主要来源于在外加反向偏置电压的作用下发射区扩散到基区的大量电子漂移运动穿过集电结形成
• 对于一个特定的三极管，发射区注入基区进而扩散到集电区的电子流于从发射区注入基区被复合后形成的电流之间的比例关系是确定的，通常将这个比值成为共发射极直流电流放大系数
• 三极管电流的分配关系还可以用发射区传输到集电区的电子流于发射极总发射的电子流之间的比例关系来表示（说明IE对IC也有控制作用）
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晶体三极管结构共射特性曲线

• 输入特性：当uCE为0时，相当于并联两个二极管的正向特性；当uCE增大，曲线右移，相同输入电压uBE下，电流iB减小，这是因为uCE增大，更多电子被集电区收集到，在基区参与复合运动的电子少了，所以iB减小；实际上当uCE增大到一定程度时，绝大部分扩散过来的电子都被集电区收集，iB基本不再变小。
• 输出特性：1）截止区：有iB=0,iE=iC=Iceo，显然晶体管工作于截止区时，没有电流放大能力，且各极电流近似为0，相当于开关断开；2）放大区：iC=βiB，iE=iB+iC=（1+β）iB≈βiB；3）饱和区：对应于不同iB的输出特性曲线几乎重合，iC再受iB控制，只随uCE变化，没有电流放大能力