本文介绍了数字电路的功耗来源，包括静态功耗和动态功耗。静态功耗主要来自CMOS单元的栅极漏电和亚阈值电流，而动态功耗则在电路翻转时产生，分为翻转/开关功耗和内部功耗。在后端设计中，动态功耗与翻转率密切相关，计算时需要考虑库文件和互连线的影响。Synopsys功耗模型通过测量单元的漏电功率和转换能量来表征功耗。
功耗来源
一个单元的功耗分为静态功耗和动态功耗。
静态功耗
这是在没有发生翻转活动时消耗的功率。对于CMOS单元，这部分功耗主要来自于栅极漏电和亚阈值电流。这种静态功耗可能因输入引脚中的电压而异。
由于一个标准单元的 leakage power 和其面积成正比，因此在实际后端设计的各个阶段，尤其是低功耗设计中，一般会重点关注芯片中逻辑门的面积变化并以此快速推断设计的 leakage 功耗变化。
动态功耗
动态功耗是电路发生翻转时消耗的功耗。对于静态CMOS电路，动态功耗通常占总功耗的绝大部分。
这种功耗可进一步分为两类：
- 翻转/开关功耗（Switching Power）：这是由于单元驱动的外部电容性负载的充电和放电而消耗的能量/功率。
- 内部功耗（Internal Power）：由于开关过程中发生的短路情况以及单元本身内部电容的充电/放电，内部能量以脉冲形式耗散。
一个两输入NAND的动态功耗波形如下：
在 t=12 ns 时，在 Vip1处发生下降沿。这不会在输出端发生完整的逻辑转换，但会带来一个小毛刺（图中不严格按照比例&#
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