【硬件深似海】三极管

三极管中两个结，集电结和发射结，vbb使发射结耗尽层变窄开启，n区(发射区)的自由电子进入p区(基区)，一小部分形成ib另一部分跨越集电结形成ic，当vbb增大更多的自由电子进入基区，但是由于ib很小即便vbb增大增大的也不多，所以ic也增大由上述可以看出vbb翻倍ib翻倍，发射区进入基区的自由电子也翻倍，ic也翻倍，所以ib和ic有一个线性关系β，如果vbb太小的话由于集电结反偏的耗尽层形成一个反向电场使得vcc不能控制进入基区的自由电子数目，但是vbb可以控制由发射区进入基区的自由电子数目也就是书上的ien，（将其理解为阀门）从而实现ib控制ic。（三极管的发射极，那就是源头）

作者：汽水不冒泡了
链接：https://www.zhihu.com/question/363017058/answer/1518612774
来源：知乎
著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。