带隙基准原理学习及cadence设计流程

        前段时间学习了一下带隙基准的基本概念，并搭建了一下书中带隙基准电路，计算器件参数，并进行了仿真，思考，具体参见如下。

        单一的元件要么是正温度系数，要么是负温度系数，所以，单独使用一种电子元件是无法产生恒定输出的，我们需要做一些改变。

        如果一个正温度系数的值与一个负温度系数的值相加，同时给它们一个特定的权重，那么我们就得到了一个零温度系数的值。

         搭建电路结构如下：

 

        双极晶体管的温度系数较好，呈现负温度系数。同时，若给两个双极性晶体管施加不同的电流，它们的电压差值就与绝对温度成正比，呈现正温度系数。利用这两者，就可以产生零温度系数的输出。

 

        其中负温度系数电压VBE不变，其权重是1，需要用前面的正温度系数电压来抵消，从而实现零温度系数，可以看出lnn越大，那么R2/R1就可以取小，相反lnn越小，R2/R1就要取的大一些，总之要满足：M··R2=17.2。（这里不清楚为什么是17.2的话，可以看一下书本）

        以上原理写得很粗略，会的不用看，不会的可能看不懂，具体原理介绍参考何乐年老师书中，解释的很详细

        接下来开始搭建电路：

        注意运放不要接反了，要让有电阻的一方是负反馈，用瞬时极性法判断，（例如+端，给一个增加的△V，那么输出变大，p管栅压变大，电流变小，从而Y点电压减小，使得+端电压又小了，所以是负反馈。）我第一次仿真的时候，运放就接反了，扫R1参数的时候，出来是错误的。

        计算参数：

        1、我们可以先确定三极管的并联个数，也就是n的取值，三极管并联个数影响的是电压差值△VBE，从而和电阻一起影响电流一般n取6、7、8，为了版图设计方便，取n=7，使得Q1、Q2、Q3比值为：1：7：1，可以得到一个3X3的三极管阵列。为啥n不取得更大呢，当n取8时，ln8=2.07，当n取7时，ln7=1.945，n=6时，ln6=1.79，差得不多，但是当n=20时候，ln20=2.99，差得明显，但是其面积会增加的很大，所以一般取n=6、7、8。我们取Q1:Q2:Q3=1:7:1。

        2、接着我们根据功耗确定每条电路的电流，选每条支路的电流都是10μA，电流大小影响电阻R的取值，在功耗有余量的情况下，可以让电流大点，这样R取的就小点，从而在工艺角变化的时候，电阻不会偏差太多（工艺角对电阻的影响很大，不同工艺角下阻值会差很多）

        3、设计运放：带隙里面的运放最重要的指标是增益，当然带宽大也好，（带宽要在确定带隙基准的管子尺寸后，先用理想运放仿一下，看看运放输出端的负载有多大，以此设计运放），这里我们用一个增益为10000（80dB）的理想运放

        4、确定PMOS的尺寸：

        ①：可以给PMOS取一个过驱动电压（100~200mV），且由功耗知道电流，又知道工艺中的Kp（即μnCox），可以计算出W/L

        ②：也可以用gm/id的方法，负载电流管，减小噪声干扰，给gm/id取小一点，(看各个工艺，一般取6~8)同时给一个沟道长度L=2μm（抑制沟道长度调制效应），由对应的id/W可以得出W，这里不算了，大概给出合适的尺寸，W=6μm，L=2μm

        5、确定R1的阻值：

        R1决定了其支路的电流，因为前面定了支路电流为10μA，电压➗电阻=电流，我们通过扫描电阻R1阻值，看支路电流为10μA的情况下，阻值是多大，扫描的时候，看的是R1这一支路电流，所以可以将R2先设置为1K。我们跑DC，让VDD从0~3.3V变化，在Tools里选扫描参数，将R1从1K扫描到100K：

         得到输出电流和电阻R1阻值的关系，这里我们确定R1的范围在4.6K附近，重新缩小范围继续扫描，从4K扫描到6K，扫描100个点

        可以看到R1取值为5.03KK的时候，电流接近10μA，再逐次逼近，最终确定R1=5.049K

        6、确定R2的阻值： 

          电阻R2主要确定电路的温度系数，（正温度系数的权重）这个时候输出电压是不随着电源电压变化而变化的了，就不再用扫描VDD了，why？

         将扫描设置成DC扫描，DC里扫描温度，参数扫描里扫描R2的阻值，观察Vout的变化情况，看温度系数的权重是否正确，只有当vout不变的时候，权重才正确。从而可以得到不随温度变化的输出电压Vout

        将VDD设置为3.3V，温度从-20~80℃扫描，R2从1K~100K扫描,得到随着温度的变化，不同阻值的R2情况下，输出电压的波动情况：

        将阻值设置完成，仿真随温度变化和随电源电压变化，输出电压的波动程度：

        可以看到，随着温度变化，输出电压的波动不超过1.9 mV 

        同样可以看到，在不同温度下，随着VDD的变化（当然VDD要使管子正常工作），在大概1.6V之后，其输出电压稳定，在-20~80℃的波动下，其输出电压只差了2.86mV。 

        接下来仿真其电源抑制比、温漂系数（注意不是温度系数）

        温漂系数：衡量带隙基准电压源输出电压随温度变化的一个性能参数，注意是在一个温度点上获得零温度系数

        单位为：ppm/℃ ，（1ppm=10^(-6)次方）。表示当温度变化1℃时，输出电压变化的百万分比。 其计算公式为：

 

        我到这里没太明白是怎么测试？是在电源电压不变，即VDD=3.3V情况下，扫描温度从-20~80℃，然后找出Vout最大和最小，算平均值，然后带入上式计算吗？

        如果是的话，那么VDD=3.3V，扫描温度-20~80℃，得到下图，

 

        然后找最大值1.20027V，最小值1.19825V，差值为2.01801mV，平均值1.2V。

        根据公式计算：温度系数为：16.82ppm/℃。是这样吗？总感觉不太对。

        看了何乐年老师书上那部分仿真内容后，明确了ppm的概念，说的就是在某一电源电压下，例如3.3V，（因为VDD如何变对VOUT无影响，或者说影响很小，而温度漂移概念说的是，当温度改变后，对应输出电压的变化程度，自然而然就要求VDD不变（或者说VDD对VOUT的变化可忽略）

        看老师的书后，也学会了利用Calculator计算温漂系数，找到最小温漂系数对应的电阻阻值R2。具体参考何乐年老师书中217页。在此不赘述公式的输入过程，直接上图：

 （公式会列吧，不会可以看下何乐年老师的书）

扫描R2，看温漂系数的变化，以此来逐步逼近确定R2的值

 

这是扫描R2，根据公式算出来温漂系数，可看到R2取48.82K的时候，温漂系数最小，为6.4ppm

        所以我们修改R2的阻值=48.82K，完事继续仿真此状态下，VDD=3.3V，R1=5.049K，R2=48.82K，扫描温度从-20~80℃的输出电压变化。 

        可以看出最大和最小只差0.78mV 

        再扫描一下VDD从0~3.3（或许可以扫描从2~4V（稳定工作）），看看输出电压变化情况。

         可以看到，当电源波动10%时，输出差不多变了1mV，我想这是正常的，是没办法，或者说不是我们该考虑的点，而是做电源管理的人该考虑的，他需要给我们提供一个好的电源模块。到这里，对于上述提到的ppm概念不清楚的问题迎刃而解

 

        继续看psrr仿真

         电源抑制比PSRR：

        在VDD上添加一个1V的交流信号，然后进行ac仿真，频率扫描从1~100MHz就够了，仿真完后，mainform中选ac-voltage-dB20，然后点选输出节点，可以得到电源抑制比：

 

        可以看到PSRR为：57dB，不高，带隙的PSRR在100dB以上才算高PSRR，但看应用背景，并不一定所有带隙都需要高PSRR。

        启动电路和简并点分析暂时还没看书，之后看了有时间的话再补上。