三极管与MOS管孰强孰弱，看完这些你就明白了

随着当下电子产品日新月异的变化，电子元器件也深受电子行业的喜爱，其中最具代表性、最有发言权就是三极管和MOS管，这两种电子元件在便携式电子产品中受到了广泛的应用，可以说是无处不在，几乎是有便携式电子产品的地方都会有它们的身影，然而说到两者之间到底有何区别，孰强孰弱，谁也无法准确全面的说出，下面一文就是为大家准确的讲出MOS管与三极管孰强孰弱，谁才是电子行业的霸主。

一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而MOS管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适. 这也就是我们通常所说的MOS管比较稳定的原因.

 二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω. 
 
 三、MOS管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活.三极管的集电极和发射极一般不能互换使用.

  
 
 
四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关. 
  
 五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成.三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定.在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势.
  
 六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此MOS管的非线性失真比三极管的非线性失真大.

  
 
七、MOS管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于MOS管的栅极无电流,所以输入电阻R'i≈∞.跨导gm比三极管的小一个数量级,gm我们可以用转移特性求导得到

八、三极管可以说是电流控制电流源的器件,而电流是通过输入电阻的大小来体现的;但MOS管是电压控制电流源的器件