【ARM笔记】调试EERPOM时碰到的若干问题

问题1

现象：EERPOM的参数丢失或改变。

原因1：在更新EEPROM过程中，断开电源。

解决方法1： a.更改设计避免在写入EEPROM过程中断开电源； b.增加100uF的电容，断电后瞬间维持EEPROM供电正常至EEPROM写入完成。

原因2： 在EEPROM读写过程中进入了中断服务程序，而中断服务程序也调用了EEPROM读写函数。

解决方法2： a.保证EEPROM读写函数的第一句是cli（），最后一句是sei（）； b.中断服务程序不直接调用EEPROM读写函数，如果SRAM足够大使用读写缓冲区代替直接读写EEPROM，中断返回后在main循环里更新EEPROM； c.如果检测到EEPROM已被占用，则进入阻塞状态，等待EEPROM释放后继续执行； d.如果需存入的数据长度大于EEPROM最小存储单元，必须保证该数据在读写时不被打断。

 

问题2

现象：当大功率交流或直流电机启动或后, EEPROM里的数据自动丢失或改变。 原因：在大功率电机启动或断开瞬间EMI干扰大。 解决方法： a. 避开这些时候读写EEPROM。 b. 如果无法避开这些时候，启动EEPROM写保护功能，并且每个数据都保存多个副本。 c. 使EEPROM和EEPROM的SDA，SCK等信号线远离可能产生干扰的元件，并且避免形成大的环路。 d. 使用EMI抑制电路降低干扰幅度。

 

问题3

现象：EEPROM写入数据后，立即读取出来并通过串口发送到上位机。同样的程序，有时烧写后发出的正确的数，而有时会发出错数0xAB。

原因：EEPROM外设的读取数度是跟不上MCU的运行速度的，需要让MCU停下来等待一会儿，让外设有时间正常反应。

解决办法：[写入1-读取1]、[写入1-写入2]、[读取1-读取2] 之间必须加5ms的延时，必须加，否则数据易乱。