问题1
现象:EERPOM的参数丢失或改变。
原因1:在更新EEPROM过程中,断开电源。
解决方法1: a.更改设计避免在写入EEPROM过程中断开电源; b.增加100uF的电容,断电后瞬间维持EEPROM供电正常至EEPROM写入完成。
原因2: 在EEPROM读写过程中进入了中断服务程序,而中断服务程序也调用了EEPROM读写函数。
解决方法2: a.保证EEPROM读写函数的第一句是cli(),最后一句是sei(); b.中断服务程序不直接调用EEPROM读写函数,如果SRAM足够大使用读写缓冲区代替直接读写EEPROM,中断返回后在main循环里更新EEPROM; c.如果检测到EEPROM已被占用,则进入阻塞状态,等待EEPROM释放后继续执行; d.如果需存入的数据长度大于EEPROM最小存储单元,必须保证该数据在读写时不被打断。
问题2
现象:当大功率交流或直流电机启动或后, EEPROM里的数据自动丢失或改变。 原因:在大功率电机启动或断开瞬间EMI干扰大。 解决方法: a. 避开这些时候读写EEPROM。 b. 如果无法避开这些时候,启动EEPROM写保护功能,并且每个数据都保存多个副本。 c. 使EEPROM和EEPROM的SDA,SCK等信号线远离可能产生干扰的元件,并且避免形成大的环路。 d. 使用EMI抑制电路降低干扰幅度。
问题3
现象:EEPROM写入数据后,立即读取出来并通过串口发送到上位机。同样的程序,有时烧写后发出的正确的数,而有时会发出错数0xAB。
原因:EEPROM外设的读取数度是跟不上MCU的运行速度的,需要让MCU停下来等待一会儿,让外设有时间正常反应。
解决办法:[写入1-读取1]、[写入1-写入2]、[读取1-读取2] 之间必须加5ms的延时,必须加,否则数据易乱。