【ICS】第六章 存储器层次结构 复习

标注*则不太重要 标注！则加强注意

1.存储技术

1.1.随机访问存储器（RAM）

• 静态RAM（SRAM）比动态RAM（DRAM）快而贵

1.1.1.静态RAM（SRAM）

• SRAM用作高速缓存存储器
• 每位6晶体管
• 每个位存储在双稳态存储器单元里，干扰难以不影响其状态

1.1.2.动态RAM（DRAM）

• DRAM用作主存及图形系统的帧缓冲区
• 每位1晶体管
• 每个位对应一个电容的充电

1.1.2.1.传统的DRAM*

• 分为d个超单元，每个有w位
• 超单元被组织成r行c列的阵列，rc=d
• 内存控制器可一次从DRAM传入或传出w位
• 传入行地址i称为RAS请求，传入列地址j称为CAS请求
• RAS将整行内容复制到内部行缓冲区，CAS取出对应列
• DRAM芯片在内存模块中排成阵列，对RAS和CAS统一反应并取出

1.1.2.2.增强的DRAM*

• 快页模式DRAM：对同行内容允许直接读取行缓冲区
• 扩展数据输出DRAM： 快页的加强版，CAS信号更靠近
• 同步DRAM：用外部相同的时钟上升沿取代异步的控制信号
• 双倍数据速率同步DRAM：对同步的加强，用两个时钟沿作为信号
• 视频RAM：思想与快页类似，但输出是对内部缓冲区移位得到，允许对内存并行的读和写

1.1.3.非易失性存储器

• ROM，PROM，EEPROM，FlashMemory
• 存储在ROM设备中的程序被称为固件（firmware）

1.1.4.访问主存

• 总线事务：读事务，写事务
• 读事务：总线接口–地址A–>主存–x-->总线接口–x-->寄存器文件
• 写事务：总线接口–地址A->主存；寄存器文件–y-->主存

1.2.磁盘存储

• 容量大，访问慢，比DRAM慢10万倍，比SRAM慢100万倍

1.2.1.磁盘构造！

• 盘片，表面，主轴，磁道，柱面，扇区
• 通常5400～15000 RPM（转每分钟）
• 记录密度：每英寸可放入位数
• 磁道密度：从中心出发半径每英寸磁道数
• 面密度：记录密度与磁道密度的乘积
• 磁盘容量：盘片数x表面数x磁道数x扇区数x字节数
• 磁盘/IO设备容量：1KB = 10³ byte; 1MB = 10⁶ byte; 1GB = 10⁹ byte
• RAM容量：1KiB = 2¹⁰byte; 1MB = 2²⁰ byte; 1GB = 2³⁰ byte

1.2.2.磁盘操作！

• 访问时间：寻道时间，旋转时间，传送时间
• 旋转时间^max = 1/RPM x 60s；旋转时间^avg = 1/RPM x 60s x 0.5
• 传送时间 = 1/RPM x 60s x (1/平均每磁道扇区数)

1.2.3.逻辑磁盘块

• 磁盘控制器通过编号映射到盘面，磁道，扇区三元组，隐藏磁盘构造的复杂性
• 磁盘控制器必须对磁盘格式化才能在磁盘上存储数据。这包括用标示扇区的信息填写扇区间隙，标示故障柱面并不再使用，预留一组柱面作为备用。由于备用柱面，格式化容量小于最大容量。

1.2.4.访问磁盘

• 从总线获取地址，读取内容到主存，然后发送中断信号

1.3.固态硬盘（SSD）

• 由B个块组成，每块有P个页
• 以页为单位读写，只有页所属的整块被擦除后才能写这一页
• 一个块被擦除后，每一个页都可以不需要再进行擦除就写一次
• 读快于写
• 随机写很慢，擦除需要时间，已有数据的块被写时要复制到新块

2.局部性

• 时间局部性：倾向于反复使用不久前的数据
• 空间局部性：倾向于使用访问数据周围的数据
• 每隔k个元素的访问称为步长为k的引用模式
• 评价一个程序关于取指令的局部性，程序指令存放在内存中，循环体多次执行时，也会具有良好的时间局部性
• 循环体越小，循环迭代次数越多，局部性越好

3.存储器层次结构

3.1.缓存

• 第k层是第k+1层的缓存
• 数据以块大小为传送单元，相邻层次的块大小确定，但不同层之间可以有区别。
• 离CPU越远，块大小越大

3.1.1.缓存命中

• 需要k+1层对象d时先在k层中查询，命中则读取d

3.1.2.缓存不命中

• 需要k+1层对象d时先在k层中查询，第k层中没有对象d
• 从k+1层中取出d，放入k层，k层满时根据替换策略覆盖一个现存的块

3.1.2.1.缓存不命中的种类

• 冷不命中：k层缓存是空的，暖身之后不会出现
• 冲突不命中：抖动，由于替换策略，两个块交替出现
• 容量不命中：缓存太小，无法处理工作集

4.高速缓存存储器！

4.1.读取与写回

• 机器存储器地址有m位，其高速缓存S=2^s组，每组E行，每行1个有效位，t=m-(b+s)个标记位，B=2^b字节
• 地址分为标记，组索引，块偏移三个部分
• 直接映射高速缓存和全相联高速缓存是组相联高速缓存的特殊情况
• 全相连高速缓存只适合小容量
• 直写-非写分配 写回-写分配
• i-cache和d-cache的分开解决了冲突不命中，但是增加了容量不命中

4.2.参数对性能的影响

• 不命中率：不命中数量/引用数量
• 命中时间，不命中处罚
• 高速缓存增加：命中时间和命中率
• 块大小增加：强化空间局部性，行数减少，减弱时间局部性
• 高相联度：减少抖动，提高成本，增加不命中处罚，不命中处罚低时（高层次高速缓存）用低相联，反之用高相联
• 写策略：直写传送次数多，写回少，越往下走传送时间越长，越可能用写回

5.高速缓存对程序性能的影响

5.1.存储器山

5.2.重排循环提高空间局部性

*详见ICS课本P448