f_write SD卡写入速度有时候慢的问题

write buffer要32Byte及以上对齐，一次写入尽量多的数据，经测试一次写20个block会比单个block快10倍以上。

这里讲的是另一个问题。f_write写512B，大部分时候都几ms，但有时候写一次要200ms，速度不均匀。这是合乎SD卡协议的，SD卡协议规定write可以有250ms的延时，即sd卡可以持续最多250ms的busy信号（Data0线拉低）给host。

 

那SD卡为什么会有这个延时呢？原因有两种说法。

一是SD卡内部的buffer满了，给sd卡发的数据经过CRC校验后实际放在了buffer里，然后再写入存储介质中(一般是nand flash)，只有等buffer空出来，才会将data0线拉高表示不再busy。

二是wear leveling，sd卡为了保证寿命，就要做到利用到整个地址空间，而不是只去用小部分区域，wear leveling算法就是做这个的。

 

这是硬件特性决定的，也没有什么特别好的解决方法。推荐下面两种方法：

一是建立能够保存250ms数据的缓冲区

二是选用高速sd卡，我用class4的卡这种200ms的latency出现的概率非常高，用uhs-3的卡就没有出现过了。