首先一点：RAM（Random Access Memory）、ROM（Read Only Memory）、Flash Memory都是内存。
但现在一般把内存代指RAM（Random Access Memory），全名为随机存取器。
而RAM与Flash Memory 则有区别：
1、数据
RAM：电源关闭数据不保留。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
Flash：电源关闭数据保留。结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势）。
2、性能
RAM的读取数据速度远远快于Flash。
关于内存的工作原理：
内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因;
刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1/2，则认为其代表1，并把电容充满电; 若电量小于1/2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
关于内存的详细资料：
1、RAM：
RAM分为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)、静态RAM(Static RAM/SRAM)。
（1）DRAM（动态随机存取存储器）使用单个晶体管来存储每个位元，这样就导致需要重新刷新电荷来保持记忆。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
（2）SRAM（静态随机存取存储器）使用一对晶体管中的触发器或跷跷板运动保持电荷，从而缩短了刷新的时间，使得SRAM的存储速度相当快，但是另一个方面，这样的结构限制了SRAM的密度和容量的扩张。SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
2、ROM(Read Only Memory)
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，
ROM有很多种，PROM是可编程的ROM，它和EPROM(可擦除可编程ROM)的区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这是早期的产品，现在已经不再使用，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序的一种通用存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦除，价格很高，写入时间很长，写入慢。
举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时存在SRAM中，不是马上写入通话记录(通话记录保存在EEPROM中)，因为当时有很重要工作(通话)要做，如果写入，漫长的等待用户无法忍受。
3、Flash Memory
闪存 （Flash）类型：
NOR闪存：由英特尔（Intel）于1988年推出。 NOR闪存提供芯片内编程（XIP）和高读取性能。高性价比，但是低密度，同时读写速度非常慢。NOR Flash通常用在家电，嵌入式设计和底端机顶盒。
NAND：由东芝（Toshiba）在1989年推出。 NAND闪速利用比NOR闪存小40%的存储器单元，同时提高密度（降低每单位价格）和提高书写擦除速度。NAND闪存主要应用于PC卡，CF卡，SD卡和USB卡，固态硬盘和MP3播放器。
NOR/NAND Flash的差别详细解读：
| NOR | NAND | ||
| 容量 | 1~32MB | 16~512MB | |
| XIP | Yes | No | |
| 性能 | 擦除 | 非常慢(5s) | 快(3ms) |
| 写 | 慢 | 快 | |
| 读 | 快 | 快 | |
| 可靠性 | 比较高，位反转的比例小于NAND Flash 的10％ | 比较低：，位反转比较常见，必需有校验措施，比如“1-4 bit EDC/ECC”；必须有坏块管理措施 | |
| 可擦除次数 | 10000~100000 | 100000~1000000 | |
| 生命周期 | 低于NAND Flash的10％ | 是NOR Flash的10倍以上 | |
| 接口 | 与RAM接口相同 | I/O接口 | |
| 访问方法 | 随机访问 | 顺序访问 | |
| 易用性 | 容易 | 复杂 | |
| 主要用途 | 常用于保存代码和关键数据 | 用于保存数据 | |
| 价格 | 高 | 低 | |
NOR Flash支持XIP（executed in place，本地执行），即代码可以直接在NOR Flash上执行，无需拷贝到内存中。这是由于NOR Flash的接口与RAM完全相同，可以随机访问任意地址的数据。在NOR Flash上进行读操作的效率非常高，但是擦除和写操作的效率很低；另外，NOR Flash的容量一般比较小。
NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高，并且容量更大。一般而言，NOR Flash用于存储程序，NAND Flash用于存储数据。基于NAND Flash的设备通常也要搭配NOR Flash以存储程序。
Flash存储器件由擦除单元(也称为块)组成，当要写某个块时，需要确保这个块已经被擦除。NOR Flash的块大小范围为64KB～128KB；NAND Flash的块大小范围为8KB～64KB，擦/写一个NOR Flash块需4S，而擦/写一个NAND Flash块仅需2ms。
NOR Flash的块太大，不仅增加了擦写时间，对于给定的写操作，NOR Flash也需要更多的擦除操作——特别是小文件，比如一个文件只有1KB，但是为了保存它却需要擦除大小为64KB～128KB的NOR Flash块。
NOR Flash的接口与RAM完全相同，可以随意访问任意地址的数据。而NAND Flash的接口仅仅包含几个I/O引脚，需要串行地访问。NAND Flash一般以512字节为单位进行读写。这使得NOR Flash适合于运行程序，而NAND Flash更适合于存储数据。
容量相同的情况下，NAND Flash的体积更小，对于空间有严格要求的系统，NAND Flash可以节省更多空间。市场上NOR Flash的容量通常为1~4MB(也有32MB的NOR Flash)，NANDFlash的容量为8~512MB。容量的差别也使得NOR Flash多用于存储程序，NAND Flash多用于存储数据。
对于Flash存储器件的可靠性需要考虑3点：位反转、坏块和可擦除次数。所有Flash器件都遭遇位反转的问题：由于FLASH固有的电器特性，在读写数据过程中，偶然会产生一位或几位数据错误——这种概率很低，而NAND Flash出现的概率远大于NOR Flash。当位反转发生在关键的代码、数据上时，有可能导致系统崩溃。
当仅仅是报告位反转，重新读取即可；如果确实发生了位反转，则必须有相应的错误检测/恢复措施。在NAND Flash上发生位反转的概率更高，推荐使用EDC/ECC进行错误检测和恢复。
NAND Flash上面会有坏块随机分布，在使用前需要将坏块扫描出来，确保不再使用它们，否则会使产品含有严重的故障。NAND Flash每块的可擦除次数通常在100000次左右，是NOR Flash的10倍。另外，因为NAND Flash的块大小通常是NOR Flash的1/8，所以NAND Flash的寿命远远超过NOR Flash。
linux对NOR、NAND Flash的软件支持都很成熟。在NOR Flash上常用jffs2文件系统，而在NAND Flash上常用yaffs文件系统。在更底层，有MTD驱动程序实现对它们的读、写、擦除操作，它也实现了EDC/ECC校验。
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