关于ZXTD09N50DE6TA

最新推荐文章于 2024-04-02 11:38:50 发布
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分类专栏： 集成电路 芯片 文章标签： 集成电路 ZXTD09N50DE6TA
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版权

ZXTD09N50DE6TA
制造商：Diodes Incorporated
无铅情况/RoHs：否
技术参考：
晶体管类型 2 NPN（双）
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） 270mV @ 50mA，1A
电流-集电极截止（最大值） 10nA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 500mA，2V
功率-最大值 1.1W
频率-跃迁 215MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6
封装形式Package SOT-26
极性Polarity NPN
集电极最大允许电流Ic 1A
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V

weixin_44218979
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