【十年磨一剑：三星引入长江存储专利技术】

近日，三星与长江存储（YMTC）签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议。不过，目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。

本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/202502/467404.htm
三星从第10代V-NAND（V10）将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上制造，因此需要长江存储的专利技术W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术实现 —— 通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，形成间距为10μm及以下的互连。从而使得电路路径变得更短，显著提高了传输速率，并降低了功耗；另外还减少芯片内部的机械应力，提高产品的整体可靠性。

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三星计划在2025年下半年开始量产下一代V10 NAND，预计该产品的堆叠层数将达到420至430层。在此之前，三星在NAND闪存采用的是COP（Cell on Peripheral）技术，即将外围电路置于单独的晶圆上，在其上方堆叠存储单元。但是随着NAND堆叠层数的增加，尤其是超过400层时，底层外围电路的压力会显著提升，这可能影响芯片的可靠性。

目前掌握3D NAND混合键合关键专利的公司美国的Xperi、中国的长江存储和中国台湾的台积电，这意味着三星几乎无法绕过其他厂商的专利布局。在判断规避长江存储专利几乎不可能的情况下，为了克服这一挑战，三星选择了和长江存储达成专利许可协议，加速其技术研发进程，来化解未来可能出现的风险。此外，在V11、V12等后续NAND产品的开发过程中，三星仍可能会依赖长江存储的专利技术。

除了三星，SK海力士也正在开发适用于400层以上NAND产品的混合键合技术，未来他们也可能需要与长江存储签订专利授权协议。

长江存储建立技术优势

长江存储四年前就已经将混合键合技术应用于3D NAND制造，并将其命名为「晶栈（Xtacking）」。初期，长江存储通过与Xperi签署许可协议获得了混合键合技术的原始专利，随后在该领域构建了全面的自主专利体系，目前在混合键合技术方面处于全球领先地位。

早在2016年，长江存储一期项目开工建设时就开始全自研开发的一种3D NAND闪存芯片架构；2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。

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2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。该技术可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。

目前，长江存储自研的Xtacking技术已经进展到了4.x版本，并且开始供应其第五代3D TLC NAND闪存产品（有294层结构，其中包含232个有源层），是目前已经商用的3D NAND产品当中堆叠层数最高、存储密度最高的。而作为从东芝半导体独立出来的铠侠，是继长江存储之后首批采用混合键合技术大规模生产3D NAND产品的主要制造商，但其基于新架构的第八代技术（BiCS8）的218层3D NAND直到2024年下半年才量产。

最早将混合键合应用于3D NAND的长江存储在相关技术上拥有强大的专利积累，截至目前，长江存储专利总申请数量超过1万件。值得一提的是，长江存储以8件专利起诉美光之后，又在2024年7月追加了11件专利的起诉，两案并案处理。这也从侧面凸显了长江存储近年来在3D NAND领域丰富的技术专利积累。

对于长江存储来说，此次向三星这样的头部存储技术大厂提供专利许可，属于是中国存储产业历史上的首次。长江存储实现了对三星的技术专利许可，这对于一直在坚持自主研发的中国科技企业而言，无疑是又一次重大鼓舞。而对于三星来说，专利许可协议解决了下一代NAND开发中的“核心难题”，在面对SK海力士的强势挑战背景下，这一突破显得尤为重要；但也面临市场主导权丧失的风险，以及由于专利使用可能导致的技术依赖等忧虑。

长江存储最早找对方向

虽然长江存储近年来发展受到了外部的各种限制，但是已经成功地将存储密度提升至与行业领先水平相当的高度，实现了目前商业产品中最高的垂直栅密度，使得长江存储成为了全球NAND闪存市场的有力竞争者。这其中的关键在于，长江存储率先转向CBA架构，并实现了混合键合的技术良率稳定。

NAND闪存制造一开始是只使用一块晶圆，NAND阵列和CMOS电路的集成要么是将CMOS电路放置在单元阵列旁边（CMOS Next Array或CAN），要么将CMOS电路放置在NAND阵列（CUA）下方。大多数NAND闪存厂商在最初的3D NAND工艺中实施CAN方法，在后续工艺中迁移到CUA架构。除了，美光和Solidigm在32层3D NAND路线图之初就实施了CUA架构。

在传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%。而随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路所占据的芯片面积或将达到50%以上，这也造成了存储密度的降低。同时，这种方法最多可容纳300多层的NAND，否则施加于底部电路上的压力可能会对电路造成损坏。

为了解决这一问题，长江存储早在2018年推出了全新的Xtacking技术，推动了高堆叠层数的3D NAND制造开始转向了CBA（CMOS键合阵列）架构。而NAND晶圆和CMOS电路晶圆可以在不同的生产线上制造，使用各自优化的工艺节点分别生产，不仅可以缩短生产周期，还可以降低制造复杂度和成本。

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对于三星、SK海力士等传统3D NAND大厂来说，已经在传统的单片晶圆生产方面具有很大的技术优势和产能优势。如果从传统的单片晶圆生产，转换到CBA架构两片晶圆生产，无疑需要增加对新的洁净室空间和设备的额外投资；同时，还将面临混合键合技术所带来的良率挑战，这也使得他们转向CBA架构的意愿并不积极。

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