FDPF12N60NZ介绍

产品：FDPF12N60NZ

系列：UniFET-II
FET类型：N沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：12A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：34nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1676pF @ 25VVgs（最大值）：±30V功率耗散（最大值）：39W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：650 毫欧 @ 6A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
封装形式Package：TO-220F
极性Polarity：N-CH漏源极击穿电压VDSS：600V
连续漏极电流ID：12A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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