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原创 ME35N06-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

4. **工业自动化和电力电子:** 在工业自动化设备和电力电子模块中,ME35N06-VB可用于开关电源、逆变器和功率放大器。3. **汽车电子系统:** 在汽车电子系统中,ME35N06-VB可用于发动机控制单元、车载充电器和电动汽车控制器。1. **电源管理系统:** ME35N06-VB可用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器和充电电路。2. **电动工具和家用电器:** 在电动工具和家用电器中,ME35N06-VB可用于电机驱动器、电源开关和电源管理模块。

2024-10-08 15:47:07 104

原创 IM2710G-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

3. *电流控制:* 由于其双N+P沟道设计,IM2710G-VB可以用于电流控制电路中,例如电流源、电流限制器或电流调节器,以实现对电路中电流的精确控制。1. *电源管理:* IM2710G-VB可用于设计双极性电源管理模块,用于需要同时控制正负电压的场合,例如电路中需要正负电压切换或转换的应用。4. *混合信号电路:* 在需要同时处理正负电压的混合信号电路中,IM2710G-VB可以发挥重要作用,例如模拟前端电路、电压/电流转换器等。- 阈值电压(Vth):0.71V(正沟道)、-0.81V(负沟道)

2024-10-08 15:45:54 101

原创 HUFA76429D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

综上所述,HUFA76429D3S-VB在功率电子领域的各种应用中都有广泛的适用性,包括电源管理、电机驱动、电池保护和照明应用等领域,为这些领域提供可靠的性能和效率。1. 电源管理模块:由于HUFA76429D3S-VB具有高电流和低导通电阻特性,适用于各种电源管理模块,如开关电源和稳压器。2. 电机驱动器:可用于驱动各种类型的电机,包括直流电机和步进电机,在工业自动化和机器人领域有广泛应用。3. 电池保护模块:在电池管理系统中,该器件可用于电池保护模块,确保电池在充放电过程中处于安全状态。

2024-10-08 15:44:43 42

原创 HUFA76429D3ST_F085-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电机驱动**:HUFA76429D3ST_F085-VB 在电机控制系统中具有广泛应用。3. **电池管理**:在电池充放电管理系统中,HUFA76429D3ST_F085-VB 可以用于电池保护、充电和放电控制。4. **LED 驱动**:在 LED 照明系统中,该型号的 MOSFET 可用于 LED 驱动电路的设计。2. **开关电源**:在开关电源设计中,该型号的 MOSFET 能够提供可靠的功率开关和能源转换功能。- **电压额定值**:60V。- **电流额定值**:45A。

2024-10-08 15:43:03 80

原创 HUFA76423D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源管理模块**:由于其高电流和低开态电阻特性,HUFA76423D3S-VB适用于各种电源管理模块,如DC-DC变换器和开关稳压器,以提供高效的功率转换和稳定的输出。4. **LED照明**:在LED照明系统中,HUFA76423D3S-VB可用于LED驱动器和调光控制器,实现高效的照明解决方案,并延长LED灯的寿命。2. **电动工具**:在电动工具中,这款场效应管可用于电池管理系统和功率控制电路,实现高功率密度和可靠性,使得电动工具具有更长的工作时间和更高的性能。### 适用领域和模块。

2024-10-08 15:40:36 101

原创 HUFA76423D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源模块**:HUFA76423D3ST-VB适用于各种电源模块,如开关稳压器(Switching Regulators)和直流-直流转换器(DC-DC Converters)。3. **LED照明**:HUFA76423D3ST-VB还适用于LED照明应用,可用作LED驱动器中的功率开关,确保LED灯具的稳定供电和高效的工作。2. **电机驱动器**:在电机控制领域,这款MOSFET可用于电机驱动器中的功率开关电路,例如用于控制电动汽车的电机,以实现高效的电动汽车驱动。**详细参数说明:**

2024-10-08 15:39:24 84

原创 HUFA76419D3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

HUFA76419D3-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管,具有60V的漏极-源极电压额定值,能够承受最大45A的电流。3. 汽车电子:在汽车电子领域,HUFA76419D3-VB可用于车载电源管理、电动汽车驱动器和车辆动力控制系统中,提高汽车的性能和能源利用效率。1. 电源管理模块:HUFA76419D3-VB适用于电源开关模块和电源管理系统,用于实现高效率和高功率密度的能量转换。- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):24mΩ(在VGS=10V时)- 最大漏极-源极电压(VDSS):60V。

2024-10-08 15:38:09 122

原创 HUFA76419D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

3. **电动车电池管理系统(BMS):** 在电动车电池管理系统中,HUFA76419D3S-VB可用于电池充放电控制和保护电路,确保电池系统的安全运行。1. **漏极-源极电压(VDS):** 该参数表示MOSFET可以承受的最大漏极-源极电压,即在正常工作状态下,电压不能超过该值,否则可能会损坏器件。4. **LED照明:** 在LED照明驱动电路中,这款MOSFET可用于调光和控制LED灯的亮度,实现灯光的亮度调节和节能控制。- **漏极-源极电压(VDS):** 60V。

2024-10-08 15:36:54 108

原创 HUFA76419D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

3. 汽车电子系统:在汽车的电子系统中,HUFA76419D3ST-VB可以用于控制车辆的各种电气设备,如电动窗、座椅调节器等,确保其高效稳定的运行。2. 电源开关:在电源开关模块中,该器件可以用作高功率开关,帮助实现电源的开启和关闭,同时保持低导通电阻,减少功率损耗。1. 电机驱动:HUFA76419D3ST-VB可用于驱动各种类型的电机,如直流电机和步进电机,以控制其速度和方向。4. 工业控制:在工业控制领域,该器件可用于各种自动化设备和机器的控制,提高系统的响应速度和效率。- 品牌:VBsemi。

2024-10-08 15:34:18 41

原创 HUFA76419D_F085-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

2. 电动车辆:在电动车辆中,HUFA76419D_F085-VB可用作电机驱动器件,控制电机的启停和转速,提供高效的功率传输和精确的动力控制,适用于电动汽车、电动摩托车等。1. 电源模块:HUFA76419D_F085-VB可用作开关电源模块中的功率开关器件,用于控制输出电压和电流,确保电源的稳定输出,适用于电源适配器、服务器电源等。5. 电源管理:作为功率开关器件,HUFA76419D_F085-VB也可用于各种电源管理应用,如DC-DC转换器、电池充放电管理等,提供高效的电能转换和管理功能。

2024-10-08 15:16:45 193

原创 HM5N06APR-VB一种P—Channel沟道SOT89-3封装MOS管

1. **电源逆变器:** HM5N06APR-VB可用于电源逆变器中的功率开关电路,实现电源的转换和逆变,常见于UPS(不间断电源)和太阳能逆变器等领域。3. **DC-DC转换器:** HM5N06APR-VB适用于DC-DC转换器的控制电路,可用于调节电压和电流,适用于各种便携式电子设备和工业控制系统。4. **电动车电池管理系统(BMS):** 在电动车电池管理系统中,HM5N06APR-VB可用于电池的充放电管理和保护,确保电池组的安全性和性能。- **漏极-源极电压(VDS):** -60V。

2024-10-07 16:25:46 144

原创 HM40P04K-VB一种P—Channel沟道TO252封装MOS管

3. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,需要高性能的功率器件来控制各种负载。2. **电动车电池管理**:在电动车电池管理系统中,需要处理高电压和电流,并保持高效率。1. **电源开关**:HM40P04K-VB适用于各种电源开关应用,如开关电源、逆变器等。4. **汽车电子**:在汽车电子系统中,需要耐高温、高电压和高电流的器件。**型号:** HM40P04K-VB。**品牌:** VBsemi。**适用领域和模块举例:****封装:** TO252。**详细参数说明:**

2024-10-07 16:24:33 175

原创 HM25P04K-VB一种P—Channel沟道TO252封装MOS管

该器件具有-40V的漏极-源极电压承受能力和-65A的漏极电流能力。3. 工业自动化:在工业控制系统中,HM25P04K-VB可用于控制各种设备和机器,提高系统的响应速度和效率。1. 电源开关:HM25P04K-VB可用于电源开关模块,控制电源的开启和关闭,实现功率管理和保护功能。2. 电动车电力控制:在电动车的电力控制系统中,该器件可以用作电机驱动器的开关,实现电机的控制和调节。- 最大漏极-源极电压(VDS):-40V。- 最大漏极电流(ID):-65A。- 型号:HM25P04K-VB。

2024-10-07 16:23:15 68

原创 MTB60N06J3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

4. **UPS(不间断电源)系统:** 在UPS系统中,MTB60N06J3-VB可用作逆变器桥的关键组件,用于将直流电转换为交流电,以供应电器件。2. **电动工具和家电:** 在电动工具和家电领域,MTB60N06J3-VB可用作电机驱动器中的功率开关元件,用于控制电机的启停和速度调节。3. **电动汽车充电桩:** 在电动汽车充电桩中,MTB60N06J3-VB可用作功率开关器件,用于控制充电桩的输出电压和电流。- 阈值电压:Vth=1.8V。**应用领域和模块示例:****详细参数说明:**

2024-10-07 16:20:09 121

原创 MTD20N06HDT4G-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电机驱动**: MTD20N06HDT4G-VB可用于电机驱动器中,如直流电机驱动器、步进电机驱动器等,用于电机的高效开关控制。- **导通电阻(RDS(ON))**: 在VGS=10V时为24mΩ,在VGS=20V时为24mΩ,说明了器件在导通状态下的电阻特性。2. **电源开关**: 在开关电源模块中,该器件可用于实现高效的开关控制,例如DC-DC转换器和AC-DC变换器。- **封装**: TO252,适用于中等功率应用,具有良好的散热性能和焊接性能。### 详细参数说明。

2024-10-07 16:18:26 184

原创 HAT2054M-EL-E-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

综上所述,HAT2054M-EL-E-VB适用于小型功率电子应用领域,包括移动设备充电管理、电池保护和管理、小型电源模块和LED驱动器等领域,为这些领域提供高效能和可靠性的功率控制解决方案。HAT2054M-EL-E-VB是VBsemi品牌的N沟道MOSFET,具有30V的额定电压和6A的额定电流。1. 移动设备充电管理:由于HAT2054M-EL-E-VB具有小型封装和低阈值电压,适用于移动设备充电管理模块,如智能手机和平板电脑的充电回路。- 额定电压(VDS):30V。- 额定电流(ID):6A。

2024-10-07 16:16:42 153

原创 HAT2053M-EL-E-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

1. **移动设备**:由于 HAT2053M-EL-E-VB 具有小型封装和低功率特性,因此适用于移动设备中的功率管理电路,如手机、平板电脑和便携式音频设备等。2. **嵌入式系统**:在嵌入式系统中,HAT2053M-EL-E-VB 可以用于各种控制和功率转换应用,包括传感器接口、电机驱动和电源管理等。4. **电子玩具**:在电子玩具和消费类电子产品中,HAT2053M-EL-E-VB 可以用于驱动电机、LED 灯和其他功率电子应用。- **电压额定值**:30V。- **阈值电压**:1.2V。

2024-10-07 16:07:09 125

原创 H7N0607DSTL-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源管理模块**:由于其高电流和低开态电阻特性,H7N0607DSTL-VB适用于各种电源管理模块,如DC-DC变换器和开关稳压器,以提供高效的功率转换和稳定的输出。2. **电动工具**:在电动工具中,这款场效应管可用于电池管理系统和功率控制电路,实现高功率密度和可靠性,使得电动工具具有更长的工作时间和更高的性能。4. **LED照明**:在LED照明系统中,H7N0607DSTL-VB可用于LED驱动器和调光控制器,实现高效的照明解决方案,并延长LED灯的寿命。### 适用领域和模块。

2024-10-07 16:04:49 199

原创 H7N0607DSTL-E-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源模块**:H7N0607DSTL-E-VB适用于各种电源模块,如开关稳压器(Switching Regulators)和直流-直流转换器(DC-DC Converters)。3. **LED照明**:H7N0607DSTL-E-VB还适用于LED照明应用,可用作LED驱动器中的功率开关,确保LED灯具的稳定供电和高效的工作。2. **电机驱动器**:在电机控制领域,这款MOSFET可用于电机驱动器中的功率开关电路,例如用于控制电动汽车的电机,以实现高效的电动汽车驱动。**详细参数说明:**

2024-10-07 16:03:33 270

原创 H7N0607DS90TL-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. 电源管理模块:由于其较高的漏极-源极电压和电流承受能力,H7N0607DS90TL-VB适用于电源开关模块和电源管理系统中,用于实现高效率和高功率密度。3. 自动控制系统:在工业自动化和机器人控制领域,H7N0607DS90TL-VB可用于开关电路,控制电机和执行器的电流,以实现精准的运动控制和自动化功能。2. 电机驱动器:在电动工具、电动车辆和家用电器等领域中,该器件可用作电机驱动器的开关元件,帮助实现高效能的电动系统。- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):24mΩ(在VGS=10V时)

2024-10-07 16:02:07 116

原创 NTD20N06HDLT4G-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电机驱动**: NTD20N06HDLT4G-VB可用于电机驱动器中,如直流电机驱动器、步进电机驱动器等,用于电机的高效开关控制。- **导通电阻(RDS(ON))**: 在VGS=10V时为24mΩ,在VGS=20V时为24mΩ,说明了器件在导通状态下的电阻特性。2. **电源开关**: 在开关电源模块中,该器件可用于实现高效的开关控制,例如DC-DC转换器和AC-DC变换器。- **封装**: TO252,适用于中等功率应用,具有良好的散热性能和焊接性能。### 详细参数说明。

2024-09-29 13:58:50 291

原创 NTD20N06V-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

它具有出色的性能特征,包括 60V 的漏极-源极电压承受能力,45A 的漏极电流能力以及低导通电阻 RDS(ON)(在 VGS=10V 时为 24mΩ)。1. **电源管理模块**:NTD20N06V-VB 在电源管理电路中发挥着重要作用。3. **汽车电子系统**:NTD20N06V-VB 在汽车电子系统中有着重要的应用。2. **电机驱动模块**:由于该器件具有较高的电流承受能力和稳定的性能,因此在电机驱动电路中有广泛的应用。**适用领域和模块举例:****详细参数说明:**

2024-09-29 13:57:23 184

原创 NTD30N06RT4-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

**导通电阻(RDS(ON))**: 在VGS=10V时为24mΩ,在VGS=20V时为24mΩ,说明了器件在导通状态下的电阻特性。1. **电机驱动**: NTD30N06RT4-VB可用于电机驱动器中,如直流电机驱动器、步进电机驱动器等,用于电机的高效开关控制。2. **电源开关**: 在开关电源模块中,该器件可用于实现高效的开关控制,例如DC-DC转换器和AC-DC变换器。- **封装**: TO252,适用于中等功率应用,具有良好的散热性能和焊接性能。### 详细参数说明。

2024-09-29 13:56:01 323

原创 FL9014-VB一种P—Channel沟道SOT223封装MOS管

该器件具有-60V的漏极-源极电压承受能力和-6.5A的漏极电流能力。1. 电源管理模块:FL9014-VB可用于电源开关、稳压器和电池管理系统,因为其低导通电阻和高漏极电压能力使其能够在低压和高电流环境下提供有效的功率控制。2. 电动车电力控制:在电动车的电力控制系统中,FL9014-VB可以用作电机驱动器的开关,有效地控制电流流动和电压稳定。4. LED照明:作为LED驱动器的一部分,FL9014-VB可以用于控制LED灯的亮度和开关,提供高效的照明解决方案。- 阈值电压Vth:-1~-3V。

2024-09-29 13:54:31 139

原创 NTD5865NLT4G&38-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

4. **LED 照明控制:** 在 LED 照明系统中,NTD5865NLT4G&38-VB 可以作为 LED 驱动器的一部分,用于控制 LED 灯珠的通断和亮度调节。1. **电源开关模块:** NTD5865NLT4G&38-VB 可用于各种电源开关模块,例如 DC-DC 转换器、开关稳压器等,用于调节和控制不同电压的输出。2. **电机控制:** 在电机驱动器和电机控制模块中,该晶体管可用于控制电机的启停和转速,适用于工业自动化、机械设备等领域。**适用领域和模块举例:****详细参数说明:**

2024-09-29 13:53:09 219

原创 FDD5680-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. *电源管理模块:* FDD5680-VB的高电流承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择。4. *汽车电子:* 由于其耐压和电流特性,FDD5680-VB可用于汽车电子系统中的各种应用,如发动机控制单元(ECU)、电动助力转向(EPAS)和车身电子模块。2. *电机驱动:* 由于其高电流承受能力,FDD5680-VB可用于驱动各种类型的电机,包括直流电机和步进电机。3. *照明系统:* 在LED驱动和照明系统中,FDD5680-VB可以用作电流调节器或开关器件。**产品应用举例:**

2024-09-29 13:51:03 358

原创 FDD5612-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. 电源管理模块:FDD5612-VB的高电流和低导通电阻使其非常适用于电源管理模块,例如DC-DC转换器和稳压器。总的来说,FDD5612-VB在功率电子领域的各种应用中都有广泛的适用性,包括电源管理、电机驱动、电池保护和照明应用。3. 电池保护模块:在电池管理系统中,FDD5612-VB可以用于电池保护模块,以实现对电池的过充和过放保护。2. 电机驱动器:由于其高电压和电流特性,该器件可用于驱动各种类型的电机,如直流电机和步进电机。- 阈值电压(Vth):1.8V。- 额定电压(VDS):60V。

2024-09-29 13:49:43 166

原创 FDD4685TF-VB一种P—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源管理模块**:由于其高电流和低导通电阻特性,FDD4685TF-VB 可广泛应用于电源管理模块中,包括开关电源、DC-DC 变换器和逆变器等。4. **LED 照明**:由于 LED 照明需要高效率和高功率的驱动电路,FDD4685TF-VB 可以在 LED 驱动模块中提供可靠的功率控制和稳定性,帮助提高 LED 照明系统的效率和寿命。2. **电动车控制**:在电动车的电机驱动系统中,FDD4685TF-VB 能够提供可靠的功率控制和高效率的能源转换。- **阈值电压**:-1.6V。

2024-09-29 13:47:49 350

原创 NTDV20N06T4G-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

**导通电阻(RDS(ON))**: 在VGS=10V时为24mΩ,在VGS=20V时为24mΩ,说明了器件在导通状态下的电阻特性。1. **电机驱动**: NTDV20N06T4G-VB可用于电机驱动器中,如直流电机驱动器、步进电机驱动器等,用于电机的高效开关控制。2. **电源开关**: 在开关电源模块中,该器件可用于实现高效的开关控制,例如DC-DC转换器和AC-DC变换器。- **封装**: TO252,适用于中等功率应用,具有良好的散热性能和焊接性能。### 详细参数说明。

2024-09-29 13:46:34 318

原创 NVD5490NL-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

**导通电阻(RDS(ON))**: 在VGS=10V时为24mΩ,在VGS=20V时为24mΩ,说明了器件在导通状态下的电阻特性。1. **电机驱动**: NVD5490NL-VB可用于电机驱动器中,如直流电机驱动器、步进电机驱动器等,用于电机的高效开关控制。2. **电源开关**: 在开关电源模块中,该器件可用于实现高效的开关控制,例如DC-DC转换器和AC-DC变换器。- **封装**: TO252,适用于中等功率应用,具有良好的散热性能和焊接性能。### 详细参数说明。

2024-09-29 13:44:10 300

原创 ELM16602EA-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

门极-源极电压(VGS)在N沟道为20V,P沟道为-20V,阈值电压(Vth)在N沟道为0.71V,P沟道为-0.81V。2. **电动车辆:** 在电动车辆中,ELM16602EA-VB可用作电机控制器或电机驱动器,用于控制电动车辆的电机启停和速度调节。3. **工业控制:** ELM16602EA-VB可用于工业控制系统中的功率开关和驱动器,控制各种负载和设备的电源开关和功率调节。- **沟道类型:** 2个N沟道 + 2个P沟道。- **门极-源极电压(VGS):**- **阈值电压(Vth):**

2024-09-27 11:41:34 277

原创 ELM16601EA-N-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

4. **自动控制系统:** 在需要双极性信号控制的自动控制系统中,ELM16601EA-N-VB 可以作为开关元件,实现对系统的自动控制和调节功能。1. **电源管理模块:** ELM16601EA-N-VB 适用于双极性电源管理模块,如便携式电子设备、工业控制系统和通信设备中的电源管理模块。3. **电流检测:** 该器件可以用于电流检测电路,实现对双极性电流的检测和控制,如电池充放电管理系统和电动机驱动器中的电流检测。**产品适用领域和模块举例:**5. 封装:SOT23-6。**详细参数说明:**

2024-09-27 11:40:26 289

原创 ELM16408EA-N-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

ELM16408EA-N-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管,具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力。通过以上示例,可以看出ELM16408EA-N-VB适用于多个领域和模块,包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、电动工具、LED驱动器和电池保护电路等。1. 电源管理模块:ELM16408EA-N-VB可用于低压、高电流的电源管理模块,如手机充电器、笔记本电脑适配器等。2. DC-DC转换器:适用于低压、高电流的DC-DC转换器,如车载电源管理系统、工业自动化设备等。

2024-09-27 11:38:58 319

原创 ELM16404EA-N-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

ELM16404EA-N-VB 是 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道 MOSFET,采用 SOT23-6 封装。1. 便携式电子产品:ELM16404EA-N-VB 可以应用于手机、平板电脑、便携式音频设备等便携式电子产品中的功率开关、充电管理和电源管理模块,以实现高效的电能转换和电路保护。3. 医疗器械:在医疗设备和医疗器械中,ELM16404EA-N-VB 可以用于电路控制、电机驱动和传感器接口等应用,实现高效的电力转换和精确的控制。- 型号: ELM16404EA-N-VB。

2024-09-27 11:37:45 330

原创 ELM16402EA-N-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

5. **汽车电子系统**:在汽车电子模块中,ELM16402EA-N-VB可用于车载电源管理和驱动器控制,如车载充电器、车载音响等,提供稳定的电力输出和高效的能量转换。1. **电源管理模块**:ELM16402EA-N-VB适用于各种电源管理模块,如开关电源、电源适配器和DC-DC转换器,提供稳定的电压输出和高效的能量转换。3. **工业自动化**:在工业自动化设备中,ELM16402EA-N-VB可用于电机控制和电源管理,如PLC、工业机器人等,提供精准的运动控制和能源效率优化。

2024-09-27 11:36:11 320

原创 ELM16400EA-N-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

阈值电压为1.2V。2. 电机驱动器:在电机驱动器中,ELM16400EA-N-VB可用于电机控制和功率输出模块,例如在电动工具、无人机和电动车辆中的电机控制器中应用。4. LED照明模块:ELM16400EA-N-VB可用于LED照明系统中的电流控制和功率管理,例如在LED灯带、车灯和户外照明中的LED驱动器中应用。综上所述,ELM16400EA-N-VB适用于各种需要高电流输出和低导通电阻的电路模块中,包括电源管理、电机驱动、便携式电子设备和LED照明等领域。- 型号:ELM16400EA-N-VB。

2024-09-27 11:32:52 254

原创 DTU40N06-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源开关**:由于具有高电压和大电流能力,DTU40N06-VB适用于电源开关模块中的功率开关,如电源适配器、电池充电器等,提供高效的能量转换和稳定的电力输出。4. **汽车电子**:在汽车电子系统中,例如车载充电器、电动汽车驱动系统等模块中,DTU40N06-VB可用于功率开关和电压调节电路,提供可靠的电力控制和转换功能。2. **电机驱动器**:在电机驱动器模块中,DTU40N06-VB可用于控制各种类型的电机,如直流电机、步进电机等,提供高功率转换和精确的速度控制。- 最大电流:45A。

2024-09-27 11:31:37 318

原创 DMP4051LK3-13-VB一种P—Channel沟道TO252封装MOS管

1. **电源管理模块**:由于其P沟道设计和高电流承受能力,DMP4051LK3-13-VB可用于电源管理模块中的开关电源、逆变器、电池保护等应用,特别适用于需要承受高电流的场合。3. **汽车电子模块**:在汽车电子系统中,DMP4051LK3-13-VB可应用于动力总成、车身电子、信息娱乐系统等模块,具有高电流承受能力和稳定的性能。4. **电池管理模块**:用于电池充放电控制系统中的电池保护、充电管理、过放电保护等功能,确保电池的安全运行。- 门极-源极阈值电压:-1.6V。- 封装:TO252。

2024-09-27 11:30:26 256

原创 DMN6040SK3-13-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

综上所述,DMN6040SK3-13-VB 是一款功能强大、应用广泛的 N-Channel 沟道场效应管,适用于电源管理、电池保护、DC-DC 变换器、汽车电子、工业自动化等多种领域和模块的应用。3. **DC-DC 变换器**:可用于设计各种类型的 DC-DC 变换器,提供稳定的电压输出和高效的功率转换,适用于便携式电子产品、工业控制等领域。1. **电源管理模块**:由于其高电压和高电流特性,可用于设计各种类型的电源管理模块,如开关电源、稳压器等,提供稳定的电压输出和高效的功率控制。

2024-09-27 11:27:48 241

原创 DMN3115UDM-7-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

1. **便携式电子设备**:由于DMN3115UDM-7-VB具有小型的SOT23-6封装和适中的电压电流特性,适用于便携式电子设备中的电池管理、充放电保护和功率开关模块。2. **LED照明控制**:在LED照明系统中,需要高效的功率开关器件来实现LED灯具的驱动和调光功能。4. **工业控制系统**:工业控制系统需要稳定可靠的功率开关器件来控制各种负载和执行器。3. **电机驱动器**:在电机控制应用中,需要可靠的功率开关器件来控制电机的启停和速度。- **电压极限**:30V。

2024-09-27 11:26:42 268

ME35N06-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-08

IM2710G-VB一种2个N+P-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

±20V;7 /-4.5A;RDS(ON)=20 / 70mΩ@VGS=4.5V;VGS=20V;Vth=0.71 / -0.81V

2024-10-08

HUFA76429D3S-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-08

HUFA76429D3ST-F085-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-08

HUFA76423D3S-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-08

HUFA76423D3ST-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-08

HUFA76419D3-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-08

HUFA76419D3S-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-08

HUFA76419D3ST-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-08

HUFA76419D-F085-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-08

HM5N06APR-VB一种P-Channel沟道SOT89-3封装MOS管

-60V;-5A;RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1~3V

2024-10-07

HM40P04K-VB一种P-Channel沟道TO252封装MOS管

-40V;-65A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=-1.6V

2024-10-07

HM25P04K-VB一种P-Channel沟道TO252封装MOS管

-40V;-65A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=-1.6V

2024-10-07

MTB60N06J3-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-07

MTD20N06HDT4G-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-07

HAT2054M-EL-E-VB一种N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

30V;6A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.2V

2024-10-07

HAT2053M-EL-E-VB一种N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

30V;6A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.2V

2024-10-07

H7N0607DSTL-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-07

H7N0607DSTL-E-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-07

H7N0607DS90TL-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-10-07

NTD20N06HDLT4G-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-09-29

NTD20N06V-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-09-29

NTD30N06RT4-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-09-29

FL9014-VB一种P-Channel沟道SOT223封装MOS管

-60V;-6.5A;RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=-1~-3V

2024-09-29

NTD5865NLT4G&38-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-09-29

FDD5680-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-09-29

FDD5612-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-09-29

FDD4685TF-VB一种P-Channel沟道TO252封装MOS管

-40V;-65A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=-1.6V

2024-09-29

NTDV20N06T4G-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-09-29

NVD5490NL-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-09-29

ELM16602EA-VB一种2个N+P-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

±20V;7 /-4.5A;RDS(ON)=20 / 70mΩ@VGS=4.5V;VGS=20V;Vth=0.71 / -0.81V

2024-09-27

ELM16601EA-N-VB一种2个N+P-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

±20V;7 /-4.5A;RDS(ON)=20 / 70mΩ@VGS=4.5V;VGS=20V;Vth=0.71 / -0.81V

2024-09-27

ELM16408EA-N-VB一种N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

30V;6A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.2V

2024-09-27

ELM16404EA-N-VB一种N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

30V;6A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.2V

2024-09-27

ELM16402EA-N-VB一种N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

30V;6A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.2V

2024-09-27

ELM16400EA-N-VB一种N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

30V;6A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.2V

2024-09-27

DTU40N06-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-09-27

DMP4051LK3-13-VB一种P-Channel沟道TO252封装MOS管

-40V;-65A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=-1.6V

2024-09-27

DMN6040SK3-13-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V

2024-09-27

DMN3115UDM-7-VB一种N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

30V;6A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.2V

2024-09-27

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