SRAM

设DRAM中电容的电荷每2ms就会丢失，所以2ms内必须对其补充。补充电荷是按行来进行的，为了【全部】内存都能保住电荷，必须对【所有】的行都得补充。
假设刷新1行的时间为0.5μs（刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。顺便说一下存取周期＞真正用于存取的时间，因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。——对于SRAM也是这样，对于DRAM更是如此）。
并假设按存储单元(1B/单元)分为64行64列。

（64×64个单元×1B/单元 = 2^12个单元×1B/单元 = 4KB内存 ）。

    集中刷新：快到2ms的时候，停止一切对内存的读取操作，使用0.5μs×64对64行依次刷新。这将占用3.2μs。在这3.2μs中，内存只用来刷新，阻塞一切存取操作。

补充一点给楼主：为什么刷新与存取不能并行？：因为内存就一套地址译码和片选装置，刷新与存取有相似的过程，它要选中一行——这期间片选线、地址线、地址译码器全被占用着。同理，刷新操作之间也不能并行——意味着一次只能刷一行。

    分散刷新：在每个存取操作后绑定一个刷新操作。这样存取周期就成了0.5μs + 0.5μs = 1μs。它延长了存取周期。但是由于与存取操作绑定，就不需要专门给出一段时间来刷新了。这样，每有64个读取操作，就会把0-63行（共计64行）全部刷新一遍。又因为刷新是不间地断循环着的——循环对64行依次刷新，所以对于同一行，每64次读取就会轮到其被刷新——它的刷新周期是1μs × 64 = 64μs ＜2ms ， 在2ms丢失电荷前就会及时补充。


   异步刷新：分散刷新的刷新周期64μs ，其实根本不需要这么频繁，有些浪费，异步刷新就是恰好卡在2ms这个时间点上。对于每行以2ms为刷新周期足够了，刷新循环到它需要64刷新次操作， 2ms ÷ 64 作为【每次刷新的周期】，（注意每次刷新周期与特定行的刷新周期的不同：每次刷新间隔指对于内存来说它隔多长时间就进行一次刷新操作，轮着刷新时，刷新的行是上一次刷新的行的下一行——是不同的两行，但对于全局内存来说确实是两次刷新操作间隔。特定哪一行的刷新周期：下一次对它进行刷新的间隔，期间要经过64次内存刷新周期才又轮得到它。）过64次刚好保证每行的刷新周期为2ms。刷新操作周期为2ms ÷ 64 。但是这个时间并不是绑定在存取周期内，所以仍然是拒绝存取的死时间。但是它已经很小了。所以这种刷新策略非常可行。