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RSS订阅原创 STM32基础知识（一）
FLASH存储器即闪存，它与EEPROM都是掉电后数据不丢失的存储器，但是FLASH的存储容量都普遍大于EEPROM，在存储控制上，最主要的区别是FLASH芯片只能一大片一大片的擦除，而EEPROM可以单个字节擦除。STM32片内自带SRAM和FLASH，Flash是用来存储程序的，SRAM是用来存储程序运行中的中间变量，不同型号的STM32的SRAM和FLASH大小是不相同的。寄存器是单片机内部一种特殊的内存，可以实现对单片机各个功能的控制，简单来说，寄存器就是单片机内部的控制机构。
2023-11-06 17:05:00
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原创 STM32基础知识（二）
中断是嵌入式系统中重要的组成部分，但是在标准C中不包含中断。这就涉及到一个中断嵌套问题，由于printf之类的glibc函数采用的是缓冲机制，这个缓冲区是共享的，相当于一个全局变量，第一层中断来时，它向缓冲里面写入一些部分内容，恰好这时来了个优先级更高的中断，它同样调用了printf，也向缓冲里面写入一些内容，这样缓冲区的内容就错乱了。在GPIO外设中，控制端口高低控制寄存器CRH和CRL可以配置每个GPIO的工作模式和工作的速度，每4个位控制一个IO，CRH控制端口的高8位，CRL控制端口的低8位。
2023-09-25 14:56:50
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原创 硬件电路——PCB六层板设计
这种结构的电源平面/地平面采用小间距的结构，可以提供较低的电源阻抗和较好的电源退耦作用。靠近接地平面的第2层是最好的布线层，可以用来布时钟等高风险的信号线。在确保RF回流路径的条件下，也可以用第5层作为其他的高风险布线的布线层。第1层、第2层、第5层和第6层应采用交叉布线。这种方案有4个布线层和两个参考平面，但电源平面和地平面之间夹有两个信号层，电源平面与接地平面之间不存在任何电源退耦作用。由于第3层靠近地平面，因此它是最好的布线层，应安排时钟等高风险线。第一层、第四层、第六层是可布线层。
2023-09-20 17:02:16
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原创 【硬件电路】电源树设计
LTpowerCAD程序是完整的电源设计工具，可以大幅度简化电源设计，具体针对使用ADI公司电源产品的用户应用，提供推荐的组件值和性能估算。电源树设计对硬件设计至关重要，它是电路中的隐形框图，很多硬件设计问题都是因为电源的设计余量不足而导致异常。电源设计需要自下而上进行设计，首先要了解各个模块的电源需求情况，然后进行汇总，最后进行整体设计。点击右侧的“设计参数”框，输入您的设计参数，例如输入电压、输出电压、电流等等。在“设计输出”框中，您可以查看设计的输出参数，例如输出功率、效率等等。
2023-09-13 09:15:14
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原创 数据结构基础知识（一）
二元组表示：B = （D，R）；若某个元素没有前驱元素，则称该元素为开始元素，若无后继元素，则称为终端元素。（1）计算算法的频度 T（n） 算法时间分析就是求出所有原操作的执行次数（也称频度），它是问题规模的函数，用 T（n）表示，算法执行时间等于 原操作所需时间 * T（n）。线性结构：数据元素存在一对一的关系，开始元素和终端元素都是唯一的，其余元素有且仅有一个前驱元素和后继元素，如线性表。树形结构：每个元素仅有一个前驱元素，除了终端元素，每个元素有一个或多个后继元素，如二叉树。（2）确定输入输出；
2023-09-04 13:09:25
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原创 硬件电路 ------ PCB四层板设计
四层板设计需要注意电源层和信号层的区别，信号层是正片输出，电源层是负片输出，即信号层上画线实际上加工出来的这条线是一条铜线，而在电源层上画线实际加工出来这条线没有铜，即电源层上画线就相当于把铜扣掉，而信号层上画线就是画一个铜线。（3）pullpack：内电层内缩量，在设计时候遵循20H原则的时候，电源层比参考层内缩40~80mil即可，便是设置此参数；方案三：适用于元器件以插件为主的PCB，常用于电源在布线层S2中实现，BOTTOM层为地平面，进而构成屏蔽腔体。方案一：常见的四层PCB的主选层设置方案。
2023-08-31 09:49:22
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原创 硬件电路的设计思路（参考总结篇）
不是东一榔头，西一棒子。只有了解以上的电路形态、电路功能，了解各个模块之间PCB走线的疏密情况，才能在PCB布局的时候，做到心中有数，即我所说的大局观。原理图设计是最详细的信号流向图，对于PCB工程师，不要求了解原理图的细节，但是要知道原理图每个电路模块的基本作用，比如看到DCDC电路要知道，他是进行电压转换的。PCB电路的设计，其实是硬件电路的实现的手段。新产品电路设计开始，都会进行框图设计，包括电源框图、逻辑框图，模块框图等，这些框图中都会清楚标注出信号的走向，通过这些框图，可以很清楚的知道信号走向。
2023-08-24 15:15:42
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原创 EMC 中的旁路和去耦（一）
根据去耦电容的工作原理，如果增加从电源线吸收能量的难度，就会使大部分能量从去耦电容中获得，充分发挥去耦电容的作用，同时电源线上也将产生更小的 dI/dt 噪声。电路中 RF 能量的产生是和 IAf 成正比，I 是回路的电流， A 是回路的面积， f 是电流的频率。这是因为电源供电网络中存在着一定的电感，而去耦电容能提供一个局部的、没有电感的或者很小电感的电源。旁路通常发生在电源与地之间、信号与地之间或不同的地之间，它与去耦的实质有所不同，但是对于电容的使用方法来说是一样的，所以有关电容的特性均适用于旁路。
2023-08-21 21:26:05
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空空如也
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