根据存储单元的工作原理不同,电脑内存条Ram分为静态Ram和动态Ram。
1、静态随机存储器(sRam)
静态存储单元为在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。
因此,它是靠触发器的自保功能存储数据的。
sRam存放的信息在不停电的情况下能长时间保留,状态稳定,不需外加刷新电路,从而简化了外部电路设计。
但由于sRam的基本存储电路中所含晶体管较多,故集成度较低,且功耗较大。
2、动态随机存储器(dRam)
dRam利用电容存储电荷的原理保存信息,电路简单,集成度高。
由于任何电容都存在漏电,因此,当电容存储有电荷时,过一段时间由于电容放电会导致电荷流失,使保存信息丢失。
解决的办法是每隔一定时间(为2ms)须对dRam进行读出和再写入,使原处于逻辑电平“l”的电容上所泄放的电荷又得到补充,原处于电平“0”的电容仍保持“0”,这个过程叫dRam的刷新。
分辨方法:sRam存储原理:由触发器存储数据。
单元结构:六管nmos或os构成。
优点:速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低;常用作cache。
缺点:元件数多、集成度低、运行功耗大。
dRam存储原理:利用mos管栅极电容可以存储电荷的原理,需刷新(早期:三管基本单元;之后:单管基本单元)。
刷新(再生):为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失,必须定时给栅极电容补充电荷的操作。
扩展资料
内存采用半导体存储单元,包括随机存储器(Ram),只读存储器(Rom),以及高速缓存(cache)。
只不过因为Ram是其中最重要的存储器。
(synchronous)sdRam同步动态随机存取存储器:sdRam为168脚,这是目前Pentium及以上机型使用的内存。
sdRam将cPu与Ram通过一个相同的时钟锁在一起,使cPu和Ram能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据,速度比edo内存提高50%。
ddR(doubLe data Rate)Ram :sdRam的更新换代产品,他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高sdRam的速度。