反激电源控制芯片解读——以KP201为例

前言

最近在看反激电源控制芯片，总是没找到好的资料，很多芯片手册就是简单带过，前几天看到KP201芯片手册写得很详细，只不过是英文版，所以尝试着简单地翻译一下，顺便提出一些个人见解。

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概述

KP201是一款离线电流模式的PWM控制器与内置的CC（constant current，恒流）调节芯片。

特性

• 通用原边恒流（CC）控制支持DCM和CCM操作
• ±5% CC调节，±1% CV调节与快速动态响应
• CC算法补偿线路变化和变压器电感容差
• 在低于30W的应用中可以做到低于75mW的待机功耗
• 电流模式控制
• 内置的频率抖动
• 固定65 KHz开关频率
• 绿色模式和突发模式控制
• 芯片热关闭
• 逐周期电流限制
• 内置前沿屏蔽
• 内置斜率补偿
• 极低的启动和工作电流
• 产品提供SOT23-6封装    

应用

充电器和适配器

电机驱动器电源

通用描述 

KP201是一款高性能的电流模式PWM（脉宽调制）控制器，专为离线反激式转换器应用而设计。这款IC内置了通用原边恒流（CC）控制功能，简化了需要输出恒流调节的隔离式电源设计。在KP201中，采用混洗技术的PWM开关频率固定为65kHz，并被微调至一个很小的范围内。此外，该集成电路还内置了绿色模式和突发模式控制功能，适用于轻载和零负载情况，可以实现低于75mW的待机功耗，适用于30W以下的应用。

KP201集成了多种功能和保护机制，包括欠压锁定（UVLO）、VDD过压保护（VDD OVP）、逐周期电流限制（OCP）、短载保护（SLP）、过载保护（OLP）、片上热关断（OTP）、软启动、VDD钳位等。这些功能和保护机制使得KP201能够在各种工作条件下稳定运行，并确保电源系统的安全和可靠性。

 典型的应用电路（适用于CC/CV控制应用）

 典型的应用电路（适用于只有CV控制的应用） 

引脚定义

 以下是关于KP201集成电路各引脚的功能描述：

引脚编号：

1. GND (P)：IC的地线引脚。它是整个IC的地，确保所有信号都有一个共同的基准。

2. FB (I)：反馈引脚。通过将光耦连接到此引脚，实现环路调节。PWM占空比由该引脚的电压和第4引脚上的电流感应信号共同决定。这允许系统根据输出需求调整PWM信号的宽度，从而控制功率。

3. SEL (I)：选择引脚。在SEL和GND之间连接一个电容，IC将工作在恒流（CC）/恒压（CV）模式下。如果SEL引脚悬空（未连接），集成电路将仅工作在恒压模式下。这个引脚用于选择电源的输出调节方式，以满足不同的应用需求。

4. CS (I)：电流感应输入引脚，用于检测电源输出电流的大小。这个信息被用来调整PWM信号的占空比，以实现恒流控制。

5. VDD (P)：IC电源供应引脚。这是IC的正电源输入，为IC内部电路提供所需的工作电压。

6. GATE (O)：图腾柱门极驱动输出。此引脚输出驱动信号，用于控制外部的MOS管的开关。通过调整GATE引脚的输出信号，可以控制MOSFET的导通和截止，从而控制电源的输出。

结构框图 

运行/工作描述

系统启动操作和IC工作电流

在IC开始工作之前，它仅消耗启动电流（通常为2uA）。这种低启动电流允许使用大阻值的启动电阻，以最小化功率损失。通过启动电阻的电流用于从高压直流总线为VDD保持电容充电。当VDD达到VDD_ON（典型值为14V）时，KP201开始切换，集成电路的工作电流增加到典型值1.2mA。在变压器的辅助绕组接管VDD电压控制之前，保持电容继续为VDD供电。当IC进入间歇工作模式时，IC的工作电流会进一步降低，因此在低于30W的应用中，可以实现小于75mW的待机功率。

对于DCM/CCM的通用原边恒流调制 

与传统的反激式DCM原边调节（PSR）恒流（CC）方法相比，KP201采用了通用原边恒流调制算法。这种算法同时支持变压器的DCM（断续导通模式）和CCM（连续导通模式）操作。

DCM（断续导通模式）和CCM（连续导通模式）是开关电源中变压器的工作模式。在DCM中，变压器在每个周期内都会完全放电，而在CCM中，变压器则保持连续导通状态。通用原边恒流调制算法使得KP201能够在这两种模式下有效地进行恒流控制，从而提高了电源的稳定性和效率

以下是反激式转换器在DCM（断续导通模式）和CCM（连续导通模式）下工作时关键波形的说明。每种模式下的输出电流Iout是通过计算一个开关周期内次级或初级电感器的平均电流来估算的。

在DCM模式下，反激式转换器的波形特点在于每个开关周期内，电感的电流会降至零，形成一个明显的“零电流”时间段。这表示在每个周期结束时，电感器已经完全放电。输出电流Iout的估算需要考虑这个放电阶段，并计算一个完整周期内电感器电流的平均值。

而在CCM模式下，电感的电流在整个开关周期内都保持在一个非零的水平，不会降至零。这意味着电感始终保持连续导通状态。在这种情况下，输出电流Iout的估算同样是基于一个开关周期内电感电流的平均值，但此时不需要考虑放电阶段的影响。

这个公式的本质是对整个周期的电流进行积分后除以总时长，求得平均电流。

在上面的描述中，Is(t) 代表次级电感或整流二极管的电流，Ip(t) 代表初级电感的电流，N 是变压器初级到次级的匝数比。 

无辅助绕组的消磁检测

在KP201中，变压器的消磁是通过监测功率MOSFET的漏极和栅极之间的寄生电容Crss中的耦合电流来检测的。当变压器完全消磁时，漏极电压的变化受到变压器电感与漏极寄生电容之间谐振能量传递的影响。这些电压振荡在寄生电容Crss中产生电流振荡。在漏极振荡的下降部分，会出现负电流；而在上升部分，则会出现正电流。通过检测这一点，即电流的反转，可以确定变压器的消磁时间，如图3所示。

这种无辅助绕组的消磁检测方法有助于更准确地控制电源转换过程，提高电源的稳定性和效率。通过监测寄生电容中的耦合电流，可以实时判断变压器的消磁状态，从而采取相应的措施来调整电源的工作状态，避免过压或过流等问题的发生。

简而言之，KP201通过监测功率MOSFET寄生电容中的耦合电流来实现无辅助绕组的变压器消磁检测，这有助于优化电源的性能和稳定性。

恒压（CV）与恒流/恒压（CC/CV）模式选择

SEL引脚上的负载决定了IC的工作模式。在KP201中，如果SEL引脚与GND之间连接了一个外部电容，那么IC将工作在恒流/恒压（CC/CV）模式。反之，如果SEL引脚处于悬空状态，那么IC将仅工作在恒压（CV）模式。

恒压（CV）模式是指无论负载如何变化，电源都会保持输出电压恒定。这种模式适用于那些对电压稳定性要求较高的设备。

±5%恒流调节，±1%恒压调节及快速动态响应

KP201中的恒流（CC）算法补偿了线路变化和变压器电感容差。这使得集成电路（IC）能够实现±5%的恒流调节。同时，由于采用了与传统PWM控制器相同的控制方法，该IC还能实现±1%的恒压（CV）调节以及快速的动态响应。

 带有频率混洗的振荡器

KP201中的PWM开关频率被固定为65kHz，并且被精确调整到一个非常窄的范围。为了改善系统的电磁干扰（EMI）性能，KP201会在设定的频率周围进行4%的频率混洗操作。

内置斜坡补偿

在传统应用中，当电流模式控制的工作占空比高于50%时，稳定性问题是一个关键问题。在KP201中，通过向电流感应输入电压添加电压斜坡来集成斜坡补偿电路，以生成PWM。这极大地提高了CCM下的闭环稳定性，防止了次谐波振荡，从而降低了输出纹波电压。

前沿消隐（LEB）

每当功率MOSFET开启时，感测电阻两端会出现一个开启尖峰。这个尖峰是由初级侧电容和次级侧整流器反向恢复引起的。为了避免过早终止开关脉冲，内部构建了一个前沿消隐电路。在这个消隐期间（典型值为250ns），PWM比较器被禁用，无法关闭栅极驱动器。

解释：

在电子电路中，特别是涉及开关电源和功率转换的应用中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是常用的开关元件。当MOSFET快速开启时，由于电路中的寄生电容和电感，以及整流二极管的反向恢复特性，会在电路中产生瞬态电压尖峰。这些尖峰如果不加以处理，可能会导致误触发、噪声干扰或损坏敏感元件。

为了解决这个问题，工程师们设计了前沿消隐（Leading Edge Blanking，简称LEB）电路。LEB电路在MOSFET开启后的极短时间内（通常是几百纳秒）暂时禁用PWM（脉宽调制）比较器，从而防止它在这个尖峰期间做出错误的判断。这样，即使出现了瞬态电压尖峰，PWM比较器也不会立即关闭栅极驱动器，从而保证了开关脉冲的稳定性和可靠性。

在这个特定的例子中，消隐期间被设置为250纳秒，这是一个典型的值，但具体的时间长度可能会根据电路的实际需求和设计而有所不同。

绿色模式操作

在开关模式电源中，轻载/零负载下的主要功耗来自开关损耗，该损耗与PWM开关频率成正比。为了满足绿色模式的要求，有必要通过跳过一些开关脉冲或降低开关频率来减少这种情况下的开关周期。

平滑频率折返

在KP201中，集成了专有的“平滑频率折返”功能，该功能可以在负载较轻时折返PWM开关频率。与其他频率降低的实现方式相比，该技术可以平滑地降低PWM频率，而不会产生可听到的噪声。

突发模式控制

当负载非常小时，系统进入突发模式。当VFB（反馈电压）下降到Vskip（跳过阈值电压）以下时，KP201将停止开关，输出电压开始下降（如图6所示），这会导致VFB上升。一旦VFB上升到Vskip以上，开关就会恢复。突发模式控制通过交替启用和禁用开关，从而减少待机模式下的开关损耗。

 

芯片过热保护 (OTP)

当IC温度超过165°C时，IC会关闭。只有当IC温度降至140°C时，IC才会重新启动。

软启动

KP201具有内部20ms（典型值）的软启动功能，该功能在启动序列期间逐渐增加逐周期电流限制比较器的阈值。这有助于防止变压器饱和，并减少启动时次级二极管上的应力。每次重新启动尝试后都会激活软启动。

CV模式下的恒功率限制

在CV模式下，集成了专有的“恒功率限制”模块，以在通用AC输入范围内实现恒定的最大输出功率能力。根据占空比信息，IC根据专有的模拟算法生成OCP阈值。

CC/CV模式下的短路保护 (SLP)

在KP201中，如果IC在CC/CV模式下工作且CC电压低于0.7V，则IC将进入短路保护（SLP）模式，在该模式下，IC将进入自动恢复保护模式。

CV模式下的过载保护 (OLP)

在CV模式下，如果发生过载，则会检测到故障。如果此故障持续存在超过43ms（典型值），则会触发保护，IC将经历上述自动恢复模式保护。43ms的延迟时间是为了防止开机和关机瞬态时的误触发。

VDD过压保护 (OVP) 和齐纳钳位

当VDD电压高于28.5V（典型值）时，IC将停止开关。这将导致VDD下降至低于VDD_OFF（典型值为9V），然后系统将再次重新启动。集成了内部32V（典型值）的齐纳钳位，以防止IC损坏。

自动恢复模式保护

如图7所示，一旦检测到故障条件，PWM开关将停止。这将导致VDD下降，因为没有功率从辅助绕组传递。当VDD降至VDD_OFF（典型值为9V）时，保护被重置，操作电流降低到启动电流，这导致VDD上升。当VDD达到VDD_ON（典型值为14V）时，系统开始开关。但是，如果故障仍然存在，系统将经历上述过程。如果故障已消失，则系统恢复正常操作。以这种方式，自动重启可以交替启用和禁用开关，直到故障条件消失。

软栅极驱动器

KP201的输出级是一个具有400mA能力的图腾柱栅极驱动器。为避免交叉传导，以最大限度地减少热耗散、提高效率并增强可靠性。为应对高于预期的VDD输入，增加了内部16V钳位用于MOSFET栅极保护。为实现最小的EMI，实施了软驱动波形。