推挽开漏 & 上拉电阻

推挽开漏 & 上拉电阻

GPIO配置为输出模式时，两个MOS管的开关状态组合有四种

【PS】

• 当Q1、Q2均关闭时，输出点对于其他点来说，阻值为无穷大，故称为高阻态，高阻态时无法确定高低电平，处于不稳定状态

• 当Q1、Q2均打开时，VCC与GND短接，故一般不会出现这种状态

推挽模式

针对上表的前两种模式进行分析，一般GPIO输出会外接一个MOS管，下面对两种模式进行分析

• 当Q1打开，Q2关闭，输出高电平时，电流方向为由VCC到外部，给外部MOS管的栅极充电，该过程类似推动电流到MOS管，故该过程称为 “推”

• 当Q1关闭，Q2打开，输出低电平时，电流方向为由外部到GND，给外部MOS管的栅极放电，该过程类似推动电流被挽回到GPIO内部，故该过程称为 “挽”

• 综上，所谓的推挽模式实际描述的是MOS管输出高低电平时电流的流动方向

开漏模式

针对上表的后两种模式进行分析，一般GPIO输出会外接一个MOS管，下面对两种模式进行分析

• 无论Q2处于什么状态，Q1均为关闭状态，故可以认为Q1部分不存在，认为是开路，即图中淡化部分，此时只观察下面部分，Q2的漏极相当于什么都没有接，因此称为开漏模式

开漏模式作用

改变高电平电压

假设单片机内部VCC为为5V，而外部芯片的EN引脚仅支持3.3V输入，若使用推挽模式，高电平时，单片机的5V电压会直接输入到EN引脚，就可能将外部芯片烧毁。因此，为解决该问题，单片机此时应该使用开漏模式

开漏模式下，需要外接一个上拉电阻，实现5V单片机对3.3V芯片的控制

• 当Q2关闭时，输出端处于高阻态，电平极性不确定，因此外接上拉电阻将电平拉到3.3V，使EN引脚为高电平

• 当Q2打开时，输出端、EN引脚处于低电平

多个GPIO同时控制一个输入

该作用类似模拟一个或门电路，若使用推挽模式，当GPIO导通时，总会有一个MOS管烧坏，故只能使用开漏模式，开漏模式下具体每个MOS管开关状态组会如下图，实现了多个GPIO同时控制一个输入

上拉电阻

解决开漏模式下，Q2关闭时，输出端处于高阻态，其电平状态不确定，为了解决电平状态不确定问题，可在该点接入一个上拉电阻，同时由于外部芯片的等效输入电阻R2十分大，外接上拉电阻几乎可以忽略不记，因此外接上拉电阻能够使得输出端稳定在高电平状态。

问：为了使输出端电平稳定，为何不可直接接入3.3V电源 答：开漏模式下，当Q2打开时，若直接接入3.3V电源，则会导致短路问题，因此需要接入上拉电阻

上拉电阻如何取值

漏电流影响：导通时漏电流浪费了，且会因为经过电阻产生热量

驱动能力影响：一般电路会在图示处接入寄生电容，在低电平→高电平的过程中，实际需要一个对寄生电容充电的过程，因此电平转换并不是立刻跳变的，而是经过了一个缓慢的上升沿：电容⬆→充电越慢，驱动能力弱→PWM或I2C波形出现失真

综上，上拉电阻取值：（也可无脑取边界值10K）

• 控制开关：R1取10K-100K

• PWM或者通讯：R1取1K-10K

参考

1. 推挽 开漏 高阻 这都是谁想出来的词？？bilibili

2. 单片机的上拉电阻 到底在拉什么？bilibili