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原创 Mozz TCAD丨Si PIN二极管仿真

器件击穿通常指的是器件在强电场下失去阻断能力，电流急剧增加的现象，而碰撞电离即是载流子在强电场中获得足够能量后与晶格原子碰撞产生新的电子-空穴对的过程，其物理本质源于载流子生成率与复合率的动态平衡破坏。以雪崩击穿为例，当电场强度大于耗尽区临界值时，高能载流子被加速进而与晶格碰撞产生二次电子-空穴对，新载流子同样被电场加速并引发更多的电离事件，形成雪崩倍增。p+n结势垒升高，空间电荷区展宽，主要向低掺杂区的n基区展宽，用以承受较高的反向电压，此时器件内仅存在极小的漏电流；即通过载流子生成模型来描述击穿特性。

原创 Silvaco TCAD | RRAM仿真：从物理机制到工程实现

1971年，“忆阻器之父”蔡少棠教授在理论上提出忆阻器的概念，惠普实验室2008年宣布物理制备出了具有忆阻器特征的二端器件，并在Nature上发表了其研究成果。这一突破性文章引起了学术界和工业界的广泛关注，同时引发了一系列关于如何利用忆阻器独特性质构建新一代计算机架构和神经形态计算的讨论与探索 [1,2]。阻变存储器（简称RRAM或ReRAM）作为忆阻器件的核心代表，凭借其独特的电致阻变特性、优异的非易失性、高集成密度、低功耗及快速读写等核心优势，在存算一体架构等前沿学术研究领域占据关键地位，成为突破传统冯

原创 DTCO丨IEDM2025-DTCO专题（二）

2025年IEDM文章简短总结EXCEL下载链接，关注“半导体器件”公众号获取落幕不久的2025年IEEE国际电子器件会议（IEDM 2025）是全球半导体与电子器件领域公认的顶级学术会议。

原创 Silvaco TCAD | 铁电晶体管FeFET原理与仿真

铁电材料，如BaTiO3，PZT和硅掺杂二氧化铪HSO，凭借其独特的铁电性、压电性、热释电性以及高介电常数等特性，在信息存储领域扮演着关键角色。铁电材料因其固有的非易失性存储能力和高速读写特性，成为新一代高性能、低功耗存储器（如FeRAM）的核心基石，为物联网设备与边缘计算提供关键的存储支撑。本文将以铁电晶体管为例，从其铁电极化原理、铁电晶体管的结构和原理和仿真复现三个方面来进行说明。一、铁电极化成因在说明铁电极化之前，先简单说明一下热释电材料的相关内容。热释电材料的特征是其内部存在非零的自发极化强度矢量。

原创 Silvaco TCAD | 光电探测器的原理与仿真

光电探测器（Photo Detector，PD）是当今先进科技中不可或缺的核心元件，从高速光纤通信到自动驾驶感知，从医疗影像到空间探测，其应用几乎渗透所有前沿领域。科研界对其研究的热度居高不下，新型低维材料、量子结构及硅基集成技术不断突破极限，追求更高响应度、更宽频谱与更快响应速度。本文将从光生伏特效应、器件结构、性能参数和仿真求解等四个方面来介绍光电探测器的仿真。一、光生伏特效应当用适当波长的光照射非均匀半导体（PN结等）时，由于内建电场的作用（不外加电场），半导体内部产生电动势（光生电压）；如将PN结连

原创 Mozz TCAD丨IGBT双脉冲仿真

通过仿真与实测结合，可以深入理解 IGBT 在开关过程中的 载流子分布演化、电场变化与能量损耗机理，为高性能、低损耗功率器件的设计提供可靠的理论与数据支撑。有希望有需要学习器件建模（TCAD、SPICE）的学生、学者或者朋友，可以关注“半导体器件”公众号和知乎“懒小木”，有系统的课程、专业的答疑，累计服务行业内4万余人。双脉冲测试的核心思想，是在可控电流和电压条件下，复现功率器件的实际开通与关断过程，以测量其瞬态行为与能量损耗。第二次脉冲：在相同电流条件下，器件再次开通与关断，测量其动态特性。

原创 Mozz TCAD丨SiC平面MOS与VDMOS仿真实现

而在漏极加载正偏压（Drain Voltage， VD），如图5所示，此时N+区与P-well区形成的J2结反偏，P-well区与N-漂移 区形成的J1结也反偏，此时大部分的电压也落在J1结和N-漂移区中。而器件击穿通常指的是器件在强电场下失去阻断能力，电流急剧增加的现象，而碰撞电离即是载流子在强电场中获得足够能量后与晶格原子碰撞产生新的电子-空穴对的过程，其物理本质源于载流子生成率与复合率的动态平衡破坏。对于功率器件而言，不论是材料的优化亦是结构的创新，目的都在于期望器件导通时电阻无穷小，零功率损耗；

原创 Mozz TCAD丨晶体-器件坐标系的精准映射：MOZZ 各向异性模型的坐标配准方法

不论是Si、SiC晶体材料亦或是4H-SiC MOSFET器件，使用的都是晶体坐标系，晶格由元胞规则排列组成，晶格坐标则是描述晶体内部元胞的排布的方向。问题大概率出在“坐标系转换”上，晶体有晶体的“方向规则”（晶体坐标系），仿真有仿真的“坐标轴设定”（器件坐标系），两者没对齐，再精准的模型也会“张冠李戴”。MOZZ中，坐标系转换的本质是通过“旋转矩阵”实现器件坐标系到晶体坐标系的投影，核心依赖于lattice.x、lattice.y、lattice.z这三个关键参数，已经明确的各向异性方向定义。

原创 DTCO丨IEDM2025-DTCO专题（一）

落幕不久的2025年IEEE国际电子器件会议（IEDM 2025）是全球半导体与电子器件领域公认的顶级学术会议。

原创 DTCO丨BSIM-CMG 紧凑模型与 GAAFET 技术建模

但当工艺节点向 3nm、2nm 突破时，FinFET 的栅极控制能力逐渐触顶，更优的GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管） 应运而生 —— 它以 “四面包裹沟道 + 垂直多通道堆叠” 的结构，实现了更强的静电约束与更小的器件面积。晶体取向权重：通过沟道宽度（W）与厚度（T）的权重分配，计算总迁移率 —— 例如沟道越宽，顶 / 底面（[100]）的贡献越大，迁移率更贴近 [100] 取向的数值，完美适配 GAAFET 的结构特性。

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原创 Silvaco TCAD | GaN HEMT器件原理与仿真

参阅相关资料，GaN和AlGaN 的界面处，GaN一侧负束缚电荷的面密度σ2小于AlGaN一侧正束缚电荷的面密度σ1，在异质结界面处，有极化效应产生的是净电荷是正电荷，所以就会在异质结界面GaN一侧吸引负电荷，因此形成了具有高面密度（典型值 > 1 × 10¹³ cm⁻²）、高迁移率（未应变的GaN体材料迁移率约1000 cm2/(V·s)，而2DEG处的电子迁移率可以达到1500~2000 cm2/(V·s)）的电子。其中，POLARIZATION是必写的选项，表示激活极化模型，包括自发极化和压电极化。

原创 Silvaco TCAD | Victory DoE的基本使用方法（三）

具体到本案例来说，即前三列的node的结果保持不变。此时，如果点击Dashboard界面的左上角的黄色按钮（这个按钮的名称也是Rebuild，但作用上和Deck/Split界面的Rebuild有点不同，后面会看到演示），这些变红的node会被清空，而已运行完成的node所在的位置和所对应的代码的位置也是错乱的。这时，选中你想要重新运行的node，点击右上角的“扫把”按钮，清空node之前输出的文件，使node重新变成空白状态，此时再点击运行按钮，被清空的node会自动开始运行，并且运行的是更新后的代码。

原创 Silvaco TCAD｜ Victory DoE的基本使用方法（二）

但如果，运行过程不那么顺利，比如我们在项目运行的过程中发现了代码错误需要修改，或者在运行结束后，发现设置的DOE并没有显著的规律，还需要对DOE再进行编辑，再或者，我们运行完了项目后才发现部分代码需要修改，想在保留部分结果的情况下，对特定位置进行修改并重新运行，这些操作应该如何完成呢？点击主界面的“DOE”，如图。第四个选项为Multiplicative，倍率等比，此时在步长输入框内的输入的数值为倍率，如输入2，则表示第n+1个值是第n个的两倍，输入0.5，则表示第n+1个值是第n个的一半。

原创 DTCO丨环形振荡器核心：反相器的工作机制与性能评估仿真解析

与动态功耗的关系：动态功耗Pdyn​=idda​×Vdd​，同时也满足Pdyn​=Ceff​×f×V2dd​（Ceff​为等效电容），因此idda​=Ceff​×f×Vdd​，建立了电流与频率、电容的关联。与动态功耗的关联（Pdyn​=Ceff​fVdd2​） 动态功耗Pdyn​是单位时间内的能量损耗，若反相器工作频率为f，则：Pdyn​=Etotal​⋅f=CL​Vdd2​f，这与经典动态功耗公式Pdyn​=Ceff​Vdd2​f完全一致（Ceff​为等效负载电容，包含CL​与内部寄生电容）。

原创 Silvaco TCAD | SiC平面MOSFET器件原理与仿真

SiC是典型的宽禁带材料，基于SiC的功率器件的研究热度和行业热度居高不下，正处于技术爆发与产业繁荣的黄金期，其卓越的高效低损特性和高温稳定表现，正在快速重塑功率器件领域的格局，无论是车规级电驱系统的高效突破还是工业能源转换的可靠升级，都展现出巨大的应用潜力与商业价值。本文介绍的是最典型的SiC功率器件之一：SiC平面MOSFET，将从其结构原理、主要工艺制程、核心参数和仿真复现四个方面来进行说明。经典的Si基MOSFET结构，源极、漏极和栅极都在器件表面。

原创 DTCO丨从网表到波形：手把手教你仿真环形振荡器（RO）

从网表到波形，RO 仿真的核心是 **“控制变量 + 模块化设计”**：用子电路（inv→sub_ring→ring_chain）实现模块化，方便修改级数和扇出；用测量语句精准捕捉关键参数，避免人工读取波形的误差；以 25℃/tt/9 级 /fo=1 为基准，通过改变单一参数即可分析性能变化。掌握这套方法，不仅能仿真 反相器，更能推广到nand、nor等各类数字电路的性能评估中。下一次，不妨试试修改扇出系数，看看负载对 RO 性能的影响 —— 实践才是理解电路的最佳方式。

原创 Silvaco TCAD｜ silvaco网格类型及Remesh介绍

这是衔接工艺仿真与器件电学特性分析的关键步骤。Delaunay网格通过REMESH DELAUNAY命令激活，其特点在于与之前介绍的Conformal 网格不同，Delaunay网格对输入几何形状的采样不受笛卡尔网格控制。物理现象的某些区域，如场强变化迅速或者有显著的梯度，简单的网格划分可能无法精确捕捉这些变化，从而引入较大的数值误差。Victorymesh有着基于轴对齐的矩形的网格REGULAR和基于笛卡尔的半结构化采样的Conformal网格划分方式以及基于非结构化采样的Delaunay网格划分方式。

原创 Mozz TCAD丨LDMOS仿真实现

RESURF结构通过巧妙的掺杂分布和电场均匀设计，实现对表面电场的“展宽”与“削弱”，从而在不牺牲器件尺寸的前提下提升耐压能力。与传统的垂直型功率MOSFET不同，LDMOS采用横向漂移区设计，使得漏极和源极同在芯片表面，便于与标准IC工艺集成，因此在射频功率放大器和智能功率集成电路（Smart Power IC）中表现出显著优势。功率器件作为目前最为热门的器件之一，低压到高压、从硅基到碳化硅各种性能指标的器件在电网、新能源汽车等各个领域得到了广泛的应用。Figure 5 （a）开关器件的工作点转移图；

原创 懒小木 | Tips EveryDay|Jedit 的单窗口模式、多窗口模式、精简模式的设置，实现秒开

Jedit 是Sentaurus TCAD使用过程中的比较好用的编辑器。默认情况下，一个用户只能开启一个Jedit的界面，多个文件层叠在一起。另外，jedit启动的时候，还伴随着一个加载和欢迎界面。②单窗口模式，即多个文件共用同一个窗口，这是jedit的默认模式。③多窗口精简模式，少了菜单栏的图标，看起来比较清爽。去掉之后，jedit就可以秒开了，不墨迹。② 单窗口模式（默认模式，不用改）

原创 [器件仿真课程]半导体器件建模仿真与分析教程

原创 DTCO丨短沟道效应：半导体微型化路上的 “拦路虎” 与破解之道

然而，当源极与漏极之间的距离（沟道长度）缩小到一定程度时，一系列性能退化的问题随之而来，这就是我们今天要深入探讨的 ——短沟道效应。简单来说，短沟道效应是指随着晶体管尺寸减小，源漏间距不断缩短，导致源极和漏极的电场对沟道的侵入作用显著增强，栅极对沟道的控制能力被削弱，进而引发的一系列连锁反应。为了描述不同Finfet的短沟道效应，很多的科研工作者给出了不同FETs自然长度λ值用来衡量不同器件结构的短沟道效应。沟道中的载流子，最终导致阈值电压漂移、漏电增加等问题，严重影响器件的稳定性和能效。

原创 Silvaco TCAD｜ silvaco网格类型及Remesh介绍

这是衔接工艺仿真与器件电学特性分析的关键步骤。Delaunay网格通过REMESH DELAUNAY命令激活，其特点在于与之前介绍的Conformal 网格不同，Delaunay网格对输入几何形状的采样不受笛卡尔网格控制。物理现象的某些区域，如场强变化迅速或者有显著的梯度，简单的网格划分可能无法精确捕捉这些变化，从而引入较大的数值误差。Victorymesh有着基于轴对齐的矩形的网格REGULAR和基于笛卡尔的半结构化采样的Conformal网格划分方式以及基于非结构化采样的Delaunay网格划分方式。

原创 Mozz TCAD|先进工艺下Ribbon-6nm研究

其中，Philips模型不仅描述了迁移率随温度的变化规律，还考虑了电子-空穴散射、电离杂质的电荷载流子屏蔽以及杂质的聚集现象，已广泛应用于场效应晶体管(MOS)器件；这项技术基于GAA结构，通过结构优化有效解决了当前半导体行业在10nm以下制程中面临的短沟道效应和量子效应问题,为先进逻辑工艺的发展开辟了新方向，为摩尔定律的延续提供了新的路径。8 Lg=6nm PMOS器件结构图(a)TSi = 1.7nm (b)TSi = 3.1nm (c)TSi = 6nm (d)器件结构图。

原创 TCAD到底难不难？应该怎么学？

如果对这些不熟悉，就像盲人摸象，虽求解出了结果，但对仿真里面的每一句代码都不清楚用途，不懂原理，对所建立的仿真模型的“适用性”“准确性”就没有十足的把握，心里特别“虚”。我从2010年开始接触TCAD，2017年开始，与国内非常多的朋友一起学习和交流Sentaurus TCAD仿真技术，2018年做了第一个在线的Live，一个小讲座，粗略的讲了Sentaurus TCAD的入门方法，在后续的几年里，通过这个live，我与国内几千个器件仿真的朋友交流和学习仿真技术。通过我们的课程，可以系统的为建模者搭建起“

原创 Mozz TCAD|TCAD实现BJT三极管的仿真

以NPN晶体管子为例：P型掺杂区为晶体管的基极（Base，B），两侧的n型掺杂区分别是晶体管的发射极（Emitter，E）和集电极（Collector，C）。集电区的掺杂浓度最低且面积大，掺杂浓度低有利于提高集电结反向耐压，面积大有利于收集来自基区的电子。发射区的掺杂浓度最高，使发射区与基区形成较大的浓度梯度，当发射结正偏时，有利于电子的扩散运动。基区的掺杂浓度相对较低，掺杂浓度低可以减少发射区扩散过来的电子在基区内与空穴的复合。PNP晶体管和它的工作方式是一样的，只是所有的电流都在相反的方向。

原创 DTCO丨环形振荡器（RO）设计与性能优化：从原理到工程落地

2.计算 Bufferstage：用公式Bufferstage = ln(Cload/Ceff) - ln(ROstage×2^FFstage)，结合 “Bufferstage-Vs-ROstage 曲线”（如图 3）选择最小面积组合（ROstage+Bufferstage 越小，面积越小）；从实测数据（如表 1）可见，不同工艺角下 RO 周期差异显著：FF 角（150℃，1.98V）周期仅 10.23ns，而 SS 角（-40℃，1.62V）周期达 1440ns，设计时需确保全角下均满足性能需求。

原创 Silvaco TCAD｜ Victory DoE的基本使用方法（一）

对于左边1的内容，该模块称为Module，这个部分会把代码中的Module名，变量名和变量值读取出来，如VictoryProcess，VictoryDevices中定义的变量；其中，Deckbuild是Silvaco TCAD专用的一款文本编辑器，集成多种功能于一身，包括代码编辑，查看实时运行输出（Real Time Output，RTO）、文件列表、占用的系统资源，以及查看输出的文件（通过Deckbuild打开，会跳转到专用的查看软件进行查看），使得用户可以通过Deckbuild完成所有的器件仿真工作。