非易失存储（non-volatile memory）的历史线

前言

  其实本来想介绍的是闪存中nand flash 和 nor flash 的优缺点，但是在调查过程中，发现对非易失性存储的历史线仍然不够清晰，以及对为什么要有闪存的背景原因不够了解，因此今天调研了一整天后有了如下总结。

一、1960年：MOSFET 晶体管

  1960年，贝尔实验室两位成员： Mohamed Atalla and Dawon Kahng ，发明了MOSFET晶体管架构。它的全称是 metal–oxide–semiconductor field-effect transistor（金属氧化物半导体场效应晶体管）。

二、1963年：Frank Wanlass的发现

  Frank Wanlass是仙童半导体研发实验室（Fairchild Semiconductor R&D Laboratory）的成员，当他在研究MOSFET晶体管架构中，发现了一个现象：电子可以穿过氧化层移动到栅极（这是后来EPROM研究的基础），但他却没有继续研究下去。

三、1967年：浮栅晶体管诞生

   Dawon Kahng and Simon Min Sze（贝尔实验室成员） 发明了浮栅晶体管（ Floating Gate of a MOSFET），通过往浮栅中注入电子可以实现数据的存储，并提出了可以将浮栅晶体管应用于可编程的ROM（Read Only Memory）中。

四、1970年：双极（TTL）ROM（掩膜ROM）

  最早期的ROM是掩膜ROM（mask ROM），其内部存储信息是由生产厂家编制到芯片中，一旦出厂，无法更改，使用者无法对其进行编写。它是由包含二极管的阵列组成，连接印刷电路板上行和列的信号线。其中，数值1和0是由矩阵中有无二极管所表示的。由于二极管可以形成尽可能小的存储单元，因此ROM器件提供了密度最高和成本最低的半导体存储器形式。
  但是在该架构下，对于不同的设计，都需要生成特定专属的掩膜编码，特别不方便，这是mask ROM的最大缺点。
于是1970年，Radiation Inc.发明了512-bit的双极（TTL）ROM，在该架构下，允许设计者通过“燃烧”外部编程单元的金属保险丝实现重新编程，但是只能使用一次。所以改进也不是很大，虽然允许用户可以重新编程ROM中的数据了，但也只能更改一次而已。

五、1971年：EPROM诞生

图1. Intel 1702A（from wikipedia)

  1971年，基于可重编程ROM的概念（浮栅晶体管），Dov Frohman （以色列英特尔公司首任总裁）发明了EPROM（erasable-programable-ROM），并在Intel设计出第一块EPROM芯片 — Interl 1702A（图一所示）。如图2中所示的浮栅晶体管结构图，EPROM通过浮栅中存储电荷的数量来表示存储的数值，即通过浮栅晶体管是否导通来表示数据为1还是0（导通为0，不导通为1；即往浮栅中充入电子为1，释放电子为1）。当要往晶体管中进行数据存储时，通过往给定的地址中施加高电压，从而产生雪崩效应，使得电子有足够的能量隧穿隧道氧化层。当停止施加高电压，电子会被保留在被隧道氧化层包围的中间的金属层中，并且由于该金属层被绝缘层包围，因此很难泄露出来。由于编程操作不可逆，因此，如果要实现擦除操作，是通过紫外线直接照射芯片使存储在浮栅中的电子消散。
  由于整个内存芯片被暴露在紫外线下，因此当执行擦除操作时是同时擦除整个内存芯片，整个过程所需的时间，如果是在UV灯照射下，仅需几分钟；如果是在阳光下，需要几周时间，如果是室内荧光灯，则需要几年时间。
  EPROM的缺点：
  1、擦除不方便，需要将EPROM芯片从系统中移到紫外线下
  2、重复的编程擦除导致隧道氧化层被破坏，使得存储在浮栅中的电子容易流失

图2. EPROM 的浮栅晶体管图【1】

六、1977年：EEPROM诞生

图3. FLOTOX晶体管结构图【1】

  由于EPROM的擦除缺陷，1971年引入了电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM），这个芯片是为了提供电擦除功能而开发的，取代了紫外线擦除。
  初始EEPROM芯片通过允许单个字节被擦除和重新变成来实现相对少量数据的存储。而现在的EEPROM允许多个字节页的擦除操作。如图3所示是FLOTOX的浮栅结构，在该结构下，允许通过量子隧穿效应进行擦除和编程操作（因为只有在厚度小于10nm的隧道氧化层中才能发生隧穿反应，FLOTOX是专门设计来可以允许FN隧穿）如图4所示是EEPROM的电子设计图，每个bit需要由两个晶体管构成。一个是传统的晶体管，另一个是FLOTOX晶体管，由设计两个晶体管组成一个bit的原因是为了严格控制FLOTOX晶体管编程的阈值电压（原理这里我也不是很懂，希望在后期能慢慢探索看看）。

图4. EEPROM 电路设计图

七、1980年：Flash Memory（闪存）诞生

  1980年，Toshiba 基于EEPROM架构发明了闪存。闪存（Flash memory）是高bit密度和高速的EEPROM设计，以增加擦除单元大小（以快为单位）和限制写次数（10，000次）为代价。闪存和EEPROM两者之间没有明确的界限，但“EEPROM”通常用于描述具有小擦除单元(小到一个字节)和长生命周期(通常为1,000,000个周期)的非易失性存储器。
  直至2020年，闪存的成本远低于以字节为单位编程的EEPROM，因此在需要大量非易失固态存储的系统中，闪存是主要的存储类型。而EEPROM仍应用于一些只需要存储较小容量的应用中。

Reference

【1】Ayers J E. Digital integrated circuits: analysis and design[M]. CRC Press, 2003.
【2】https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory
【3】https://en.wikipedia.org/wiki/EEPROM
【4】https://en.wikipedia.org/wiki/EPROM#
【5】https://www.computerhistory.org/storageengine/reusable-semiconductor-rom-introduced/
【6】https://www.computerhistory.org/storageengine/semiconductor-read-only-memory-arrays/

个人总结

  今天主要是大致了解一下非易失性存储的历史时间线，对其中一些比较关键的节点进行稍微详细的描述，后面会对闪存模块进行详细展开。如果有什么遗漏或者欠缺的地方，欢迎大家和我讨论呀~