一、布局规划
1. 核心器件优先定位
- 将电源芯片、功率电感、大容量电容等核心器件作为布局起点,确保输入/输出路径最短化。
- 输入电容尽量贴近电源芯片引脚,缩短高频电流回路(如Buck电路的SW节点环路)。
2. 分区布局策略
- 功率路径区:保持输入滤波→开关器件→电感→输出滤波的直线布局,减少寄生参数。
- 控制信号区:反馈网络、使能信号等敏感电路远离高频噪声源(如电感、开关节点),优先用地平面隔离。
- 散热敏感区:MOSFET、二极管等发热元件分散布局,预留散热通道。
3. 电感与变压器处理
- 电感避免平行靠近敏感信号线,防止磁场耦合。立式电感优先选择闭合磁芯结构。
- 变压器下方禁止走线,初次级间保留≥3mm隔离带,满足安规爬电距离。
二、布线优化
1. 功率走线设计
- 线宽计算:根据电流值选择铜厚(如2oz),线宽需满足载流能力(示例:5A电流需≥2mm@1oz)。
- 铺铜代替走线:大电流路径优先采用矩形铺铜,边缘倒角避免尖峰放电。
- 过孔阵列:高电流路径过孔采用多孔并联(如4×0.3mm过孔承载3A电流)。
2. 高频噪声抑制
- 开关节点(如Buck的SW)面积最小化,采用包地处理或顶层/底层交叉走线减少辐射。
- 反馈线采用差分走线或地线伴随,远离电感至少5mm,必要时增加屏蔽层。
3. 地系统设计
- 分地策略:功率地(PGND)与信号地(SGND)单点连接,推荐在输出电容负极汇接。
- 多层板中优先使用完整地平面,避免地线形成环路。
三、热管理
1. 铜箔散热设计
- 发热器件焊盘连接大面积铺铜(如10×10mm MOSFET连接2cm²铜箔)。
- 关键器件底部增加散热过孔阵列(φ0.3mm,间距1mm),连接内部地平面散热。
2. 热平衡布局
- 多相电源的各相元件均匀分布,避免局部热集中。
- 温度传感器靠近发热源(距MOSFET<5mm),布局在气流路径上。
四、EMI/EMC设计
1. 滤波优化
- 输入/输出端采用π型滤波,电容按10倍频原则选择(如10μF+100nF组合)。
- 共模电感靠近接口放置,两侧增加Y电容接地。
2. 屏蔽措施
- 敏感信号线两侧布置地线(Guard Trace),间距≤2倍线宽。
- 高频噪声区域使用局部屏蔽罩,通过接地过孔(每5mm间距)连接地层。
五、安全与可靠性
1. 安规间距
- 初级/次级电路间保证≥6.4mm(250VAC应用),高压走线边缘间距≥3mm。
- 开槽处理:隔离区域铣出1mm槽,填充绝缘材料。
2. 保护电路布局
- TVS管、保险丝紧靠接口放置,过流保护采样电阻采用开尔文连接。
六、可制造性设计
1. 工艺要求
- 功率焊盘尺寸比器件引脚大20%(如0603电容焊盘0.8×1.0mm)。
- 避免在散热焊盘上开窗,防止焊接虚焊。
2. 测试点规划
- 关键节点预留直径1mm测试孔(如SW、FB、输出端),间距≥2.54mm方便探头接触。
七、验证要点
1. 原型测试
- 满载时红外测温热点应≤器件额定温度80%,重点关注电感/MOSFET温升。
- 使用近场探头扫描100MHz-1GHz频段,确认无超标辐射点。
2. 仿真验证
- 通过SIwave进行电源完整性分析,目标阻抗<100mΩ(如0.8V/8A系统)。
- 热仿真确保结温<125℃(以Infineon IPP65R190CFD为例)。
总结:电源PCB设计需在电气性能、热管理和EMC三者间取得平衡,建议结合ANSYS Icepak进行热优化,使用PDN Toolbox进行阻抗分析。实际项目中可参考TI的《电源布局指南》或Infineon的《汽车级电源设计手册》进行细节优化。