场效应管的栅极由PN结构制成; MOS结构是介质氧化层、金属电极和半导体材料形成。 与场效应管相比,MOS管在低电压下的斜率更陡峭,因此, MOS管能够实现更好的放大效应和更小的开关延迟时间。
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