台积电2nm与Intel 18A工艺对决——性能与密度的巅峰之战

在半导体领域，制程工艺的每一次突破都如同在科技赛道上的一次加速冲刺。近日，TechInsights 和 SemiWiki 发布了关键细节，揭示了英特尔（Intel）和台积电（TSMC）在国际电子器件会议（IEDM）上披露的关于即将推出的 18A（1.8nm 级）和 N2（2nm 级）工艺技术。这两种先进工艺的出现，引发了行业内外的广泛关注，它们究竟谁能在性能、密度和功耗等关键指标上更胜一筹呢？

一、晶体管密度：台积电N2大幅领先

在高密度单元（HD标准单元）方面，台积电N2的高密度（HD）标准单元晶体管密度达到了313 MTr/mm² ，这一数据远超英特尔18A的HD单元密度（238 MTr/mm² ）以及三星的SF2/SF3P（231 MTr/mm² ）。SRAM单元对比上，台积电N2的SRAM位元尺寸（0.0175 µm²）更小，密度达38 Mb/mm²；Intel 18A为0.021 µm²，仅31.8 Mb/mm²，接近台积电旧一代N3E水平。从数据对比上看，台积电 N2 在晶体管密度这一关键指标上似乎已经抢占了先机。