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原创 CGH40010F HEMT功率器件的介绍

CCGH40010 F为GaN管子，且此类管子一般为耗尽型，导电沟道一开始就存在。所以我们加负压使其关闭一部分导电沟道，在上电时应该先加很大的负栅压使其关闭，再加上漏压，然后再增大栅压使其导电沟道打开，在下电的时候，应该先下漏压，使其无电流通过。材料结构特性使得界面处形成二维电子气导电沟道，这些电子并非是人为掺杂的，而是来自于势阱中，HEMT结构使得载流子在一个二维平面内运动，减小了与垂直方向发生的散射，增大了载流子迁移率。栅极和衬底之间应该形成一个反偏的PN结，衬底为P，应该设为低电位，即接地。